FEP16AT - FEP16JT
销1
+
例
销2
FEP16AT - FEP16JT
特点
低正向压降。
高浪涌电流的能力。
1
3脚
CT阳性
销1
3脚
CT阴性
后缀"A"
2
3
-
例
销2
高电流能力。
高可靠性。
销1
AC
例
销2
TO-220AB
3脚
倍
后缀"D"
快速整流器（玻璃钝化）
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
16AT
16BT
16CT
价值
16DT
16FT
16GT
16HT
16JT
单位
400
500
600
V
A
A
°C
°C
T
英镑
T
J
最高重复反向
电压
平均正向电流整流，
.375 "引线长度@ T
A
= 100°C
非重复性峰值正向浪涌
当前
8.3ms单一正弦半波
存储温度范围
工作结温
50
100
150
200
300
16
200
-55到+150
-55到+150
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
参数
功耗
热阻，结到环境
热阻，结领导
价值
8.33
15
2.2
单位
W
° C / W
° C / W
电气特性
符号
V
F
t
rr
I
R
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
16AT
16BT
设备
16CT 16DT
16FT
16GT
16HT
16JT
单位
1.5
50
V
ns
A
A
60
pF
C
T
正向电压@ 8.0A
反向恢复时间
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
RR
= 0.25 A
反向电流@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
总电容
V
R
= 4.0 。 F = 1.0 MHz的
0.95
35
10
500
85
1.3
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FEP16AT - FEP16JT ，版本C
FEP16AT - FEP16JT
典型特征
平均正向电流整流，我
F
[A]
峰值正向浪涌电流，I
FSM
[A]
20
200
16
160
12
单相
半波
60HZ
电阻或
感性负载
0.375" （ 9.0毫米） LEAD
长度
120
8
80
4
40
0
0
25
50
75
100
125
环境温度[摄氏度]
150
175
0
1
2
5
10
20
循环次数在60Hz
50
100
图1.正向电流降额曲线
100
FEP16AT-FEP16DT
图2.不重复浪涌电流
反向特性
1000
正向电流I
F
[A]
反向电流，I
R
[马]
10
FEP16FT-FEP16JT
100
T
A
= 100
C
1
10
0.1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
1
T
A
= 25
C
0.01
0.4
0.1
0.6
0.8
1
1.2
1.4
正向电压，V
F
[V]
1.6
1.8
0
20
40
60
80
100
120
140
额定峰值反向电压（％）百分比
图3.正向电压特性
100
总电容，C
T
[ pF的]
90
80
70
60
50
FEP16FT-FEP16JT
40
图4.反向电流与反向电压
FEP16AT-FEP16DT
1
2
5
10
20
反向电压， V
R
[V]
50
100
图5.总电容
50
无感
50
无感
+0.5A
(-)
TRR
DUT
50V
（约）
50
无感
脉冲
发电机
（注2 ）
(+)
示波器
（注1 ）
0
-0.25A
-1.0A
1.0cm
设定时基
5/10纳秒/厘米
反向恢复时间Characterstic和测试电路图
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FEP16AT - FEP16JT ，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
FEP16AT - FEP16JT
分立功率&信号
技术
FEP16AT - FEP16JT
特点
低正向压降。
高浪涌电流的能力。
高电流能力。
高可靠性。
0.113(2.87)
0.103(2.62)
0.27(6.86)
0.23(5.84)
0.412(10.5)
最大
0.154(3.91)
0.148(3.74)
0.185(4.70)
0.175(4.44)
0.055(1.40)
0.045(1.14)
0.594(15.1)
0.587(14.9)
TO-220AB
0.16(4.06)
1
0.14(3.56)
2
3
0.11(2.79)
0.10(2.54)
外型尺寸是：英寸（毫米）
销1
+
3脚
CT阳性
例
销2
销1
-
3脚
CT阴性
后缀“A”
例
销2
3脚
倍
后缀为“D”
销1
0.56(14.22)
AC
例
销2
0.037(0.94)
0.027(0.68)
0.53(13.46)
0.025(0.64)
0.105(2.67)
0.095(2.41)
0.014(0.35)
16安培玻璃钝化超快速整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F（浪涌）
P
D
R
θJA
R
θJL
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
平均整流电流
.375 "引线长度@ T
A
= 100°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
热阻，结领导
存储温度范围
工作结温
价值
16
单位
A
200
8.33
66
15
2.2
-65到+150
-65到+150
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
电气特性
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
16AT
16BT
100
70
100
16CT
150
105
150
16DT
200
140
200
10
500
35
0.95
85
1.3
50
1.5
60
16FT
300
210
300
16GT
400
280
400
16HT
500
350
500
16JT
600
420
600
50
35
50
单位
V
V
V
A
A
nS
V
pF
反向重复峰值电压
最大RMS电压
阻断电压DC
（额定V
R
)
最大反向电流
@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
最大反向恢复时间
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
RR
= 0.25 A
最大正向电压@ 8.0A
典型结电容
V
R
= 4.0 。 F = 1.0 MHz的
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FEP16AT - FEP16JT ，版本A
FEP16AT - FEP16JT
典型特征
正向电流降额曲线
峰值正向浪涌电流（ A）
20
正向电流（ A）
非重复浪涌电流
200
16
160
12
单相
半波
60HZ
电阻或
感性负载
0.375" （ 9.0毫米） LEAD
长度
120
8
80
4
40
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ C）
175
0
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
正向特性
100
正向电流（ A）
FEP16AT-FEP16DT
反向特性
1000
反向电流（
A)
10
FEP16FT-FEP16JT
100
T
A
= 100
C
1
10
0.1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
1
T
A
= 25
C
0.01
0.4
0.1
0.6
0.8
1
1.2
1.4
正向电压（ V）
1.6
1.8
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
结电容
100
90
电容（pF）
80
70
60
50
FEP16FT-FEP16JT
40
FEP16AT-FEP16DT
1
2
5
10
20
反向电压（ V）
50
100
50
无感
50
无感
+0.5A
(-)
TRR
DUT
50V
（约）
50
无感
脉冲
发电机
（注2 ）
(+)
示波器
（注1 ）
0
-0.25A
-1.0A
1.0cm
设定时基
5/10纳秒/厘米
反向恢复时间Characterstic和测试电路图
FEP16AT - FEP16JT ，版本A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
FEP16AT - FEP16JT
销1
+
例
销2
FEP16AT - FEP16JT
特点
低正向压降。
高浪涌电流的能力。
1
3脚
CT阳性
销1
3脚
CT阴性
后缀"A"
2
3
-
例
销2
高电流能力。
高可靠性。
销1
AC
例
销2
TO-220AB
3脚
倍
后缀"D"
快速整流器（玻璃钝化）
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
16AT
16BT
16CT
价值
16DT
16FT
16GT
16HT
16JT
单位
400
500
600
V
A
A
°C
°C
T
英镑
T
J
最高重复反向
电压
平均正向电流整流，
.375 "引线长度@ T
A
= 100°C
非重复性峰值正向浪涌
当前
8.3ms单一正弦半波
存储温度范围
工作结温
50
100
150
200
300
16
200
-55到+150
-55到+150
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
参数
功耗
热阻，结到环境
热阻，结领导
价值
8.33
15
2.2
单位
W
° C / W
° C / W
电气特性
符号
V
F
t
rr
I
R
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
16AT
16BT
设备
16CT 16DT
16FT
16GT
16HT
16JT
单位
1.5
50
V
ns
A
A
60
pF
C
T
正向电压@ 8.0A
反向恢复时间
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
RR
= 0.25 A
反向电流@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
总电容
V
R
= 4.0 。 F = 1.0 MHz的
0.95
35
10
500
85
1.3
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FEP16AT - FEP16JT ，版本C
FEP16AT - FEP16JT
典型特征
平均正向电流整流，我
F
[A]
峰值正向浪涌电流，I
FSM
[A]
20
200
16
160
12
单相
半波
60HZ
电阻或
感性负载
0.375" （ 9.0毫米） LEAD
长度
120
8
80
4
40
0
0
25
50
75
100
125
环境温度[摄氏度]
150
175
0
1
2
5
10
20
循环次数在60Hz
50
100
图1.正向电流降额曲线
100
FEP16AT-FEP16DT
图2.不重复浪涌电流
反向特性
1000
正向电流I
F
[A]
反向电流，I
R
[马]
10
FEP16FT-FEP16JT
100
T
A
= 100
C
1
10
0.1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
1
T
A
= 25
C
0.01
0.4
0.1
0.6
0.8
1
1.2
1.4
正向电压，V
F
[V]
1.6
1.8
0
20
40
60
80
100
120
140
额定峰值反向电压（％）百分比
图3.正向电压特性
100
总电容，C
T
[ pF的]
90
80
70
60
50
FEP16FT-FEP16JT
40
图4.反向电流与反向电压
FEP16AT-FEP16DT
1
2
5
10
20
反向电压， V
R
[V]
50
100
图5.总电容
50
无感
50
无感
+0.5A
(-)
TRR
DUT
50V
（约）
50
无感
脉冲
发电机
（注2 ）
(+)
示波器
（注1 ）
0
-0.25A
-1.0A
1.0cm
设定时基
5/10纳秒/厘米
反向恢复时间Characterstic和测试电路图
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FEP16AT - FEP16JT ，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
FEP16A通FEP16J
无铅电镀产品
FEP16A通FEP16J
TO-220AB
.419(10.66)
.387(9.85)
.139(3.55)
民
Pb
16.0安培快速高效的塑料半桥式整流器
特点
玻璃钝化结
快速开关的高效率
低正向压降和高电流能力
低反向漏电流
高浪涌电流能力
应用
单位：英寸（毫米）
.196(5.00)
.163(4.16)
.054(1.39)
.045(1.15)
.269(6.85)
.226(5.75)
.624(15.87)
.50(12.7)MIN
机械数据
案例：模压塑料TO- 220AB散热器
环氧树脂： UL 94V- 0率阻燃
码头：每MIL -STD- 202焊接的
方法208
极性：对人体标示
安装位置：任意
重量： 2.03克
.038(0.96)
.019(0.50)
.177(4.5)MAX
汽车环境|直流电机控制
电镀电源| UPS |逆变器
汽车功放和音响设备系统等。
.548(13.93)
.025(0.65)MAX
.1(2.54)
.1(2.54)
例
例
例
CT阳性
共阴极
后缀"T"
CT阴性
共阳极
后缀"TA"
倍
串联
后缀"TD"
最大额定值和电气特性
等级25
o
C
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
共阴极后缀"T"
共阳极后缀"TA"
阳极和阴极共存后缀"TD"
FEP16AT FEP16BT
FEP16DT FEP16FT
FEP16GT
FEP16JT
符号
FEP16ATA FEP16BTA FEP16DTA FEP16FTA FEP16GTA FEP16JTA
单位
FEP16ATD FEP16BTD FEP16DTD FEP16FTD FEP16GTD FEP16JTD
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流网络版
电流T
C
=100
C
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单
半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
最大正向电压
@ 8.0 A
反向电流最大DC @T
J
=25
C
在额定阻断电压DC @T
J
=125
C
最大反向恢复时间（注1 ）
典型结电容（注2 ）
典型热阻（注3 ）
工作结存储
温度范围
o
o
o
V
RRM
V
RMS
V
DC
IF
（AV）
50
35
50
100
70
100
200
140
200
16.0
300
210
300
400
280
400
600
420
600
V
V
V
A
I
FSM
175
150
A
V
F
0.98
10.0
250
35
90
2.2
-55到+ 150
1.3
1.7
V
uA
uA
nS
pF
o
I
R
TRR
C
J
R
JC
T
J
, T
英镑
CW
o
C
注： （ 1 ）反向恢复测试条件IF = 0.5A ， I = 1.0A ， IRR = 0.25A 。
R
（ 2 ）测得1.0 MHz和应用4.0伏特的直流反向电压。
（ 3 ）热阻结到管壳。
第1/2页
2006 Thinki半导体有限公司。
http://www.thinkisemi.com/
FEP16A通FEP16J
图1 - 正向电流降额曲线
16
图2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流
200
峰值正向浪涌电流，
安培
正向平均整流
当前，安培
13
175
150
125
100
75
50
25
0
脉宽8.3ms的
单半陛下波
（ JEDEC的方法）
10
8
6
4
60赫兹电阻或
感性负载
0
0
50
100
o
150
1
10
100
外壳温度，C
循环次数在60Hz
图3 - 典型瞬时
正向特性
IINSTANTANEOUS正向电流，
安培
10
图4 - 典型的反向特性
1000
FEP16A-FEP16D
瞬时反向电流，
微安
FEP16F-FEP16G
100
T
J
=125 C
o
1.0
FEP16J
10
T
J
=25 C
1
o
0.1
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
T
J
=25 C
脉冲宽度= 300US
1 ％占空比
1.0
1.2
1.4
1.6
o
0.1
0
20
40
60
80
100
正向电压，
伏
百分之额定峰值反向电压， ％
图5 - 典型结电容
1000
结电容， pF的
T
J
= 25 C
F = 1.0 MHz的
VSIG = 50mVp -P
o
100
10
0.1
1.0
4.0
10
100
反向电压，伏
第2/2页
2006 Thinki半导体有限公司。
http://www.thinkisemi.com/
QQ：2881677436 复制
