FMBS5551
FMBS5551
NPN通用放大器
本设备是专为通用高电压放大器
和气体放电的显示驱动程序。
C1
E
NC
B
C
针＃ 1℃
SuperSOT
TM
-6单
马克： .3S1
绝对最大额定值*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
- 连续
工作和存储结温范围
参数
价值
160
180
6.0
600
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
mA
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1.这些额定值是基于对150度C的最高结温
2.这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
测试条件
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CB
= 120V ，我
E
= 0
V
CB
= 120V ，我
E
= 0, T
a
= 100°C
V
EB
= 4.0V ，我
C
= 0
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 5.0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5.0V
I
C
= 50mA时V
CE
= 5.0V
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10 ， F = 100MHz的
V
CE
= 10V ，我
C
= 0 ， F = 1.0MHz的
V
BE
= 0.5V ，我
C
= 0 ， F = 1.0MHz的
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 10V ， F = 1.0KHz
I
C
= 250μA ，V
CE
= 5.0V,
R
S
= 1.0KΩ ， F = 10 Hz至15.7KHz
50
100
80
80
30
分钟。
160
180
6.0
50
50
50
马克斯。
单位
V
V
V
nA
A
nA
集电极 - 发射极耐受电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射极截止电流
直流电流增益
基本特征
250
0.15
0.2
1.0
1.0
300
6.0
20
250
8.0
dB
V
V
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
h
fe
N
F
电流增益带宽积
输出电容
输入电容
小单电流增益
噪声系数
兆赫
pF
pF
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
2004仙童半导体公司
牧师A1 ， 2004年11月
FMBS5551
典型特征
VS集电极电流
250
200
150
25 °C
125 °C
V
CESAT
- 集电极EMITTE 电压（ V）
h
FE
- 典型ICAL脉冲CURRE NT GAIN
电压Vs集电极电流
0.5
0.4
0.3
β
β
= 10
β
100
- 40 °C
0.2
0.1
0
β
β
25 °C
50
0
0.1
V
权证
= 5V
125
°
C
- 40
°
C
0.2
0.5
1
2
5
10
20
I
C
- 集电极电流（毫安）
50
100
1
β
10
100
I
C
- 集电极CURRE新台币（毫安）
200
图1.典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
图2.集电极 - 发射极饱和电压
VS集电极电流
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
β
= 10
β
β
V
BEON
- 基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（ V）
β
电压Vs集电极电流
β
- 40
°
C
集电极电流
1
0.8
- 40
°
C
25 °C
125
°
C
0.6
0.4
0.2
0
0.1
25 °C
β
125
°
C
V
CE
= 5V
1
10
100
我 - 集电极CURRE新台币（毫安）
200
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100 200
图3.基射极饱和电压
VS集电极电流
图4.基射极电压上
VS集电极电流
I
CBO
- COLLE CTOR电流（ NA）
50
V
CB
= 100V
BV
CER
- 击穿电压（ V）
发射基之间
260
I
C
= 1.0毫安
240
10
220
200
180
1
25
50
75
100
T
A
- AMBIE NT TEMP ERATURE （
°
C)
125
160
0.1
1
10
100
1000
阻力
)
(k
图5.集电极截止电流
VS环境温度
图6.集电极 - 发射极击穿电压
与发射极 - 基极之间电阻
2004仙童半导体公司
牧师A1 ， 2004年11月
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