【订购数量： EN5849P沟道硅MOS场效应管FW115S / W负载应用特点· 4V的驱动器。·低】,IC型号FW115,FW115 PDF资料,FW115经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： EN5849

P沟道硅MOS场效应管

FW115

S / W负载应用

特点

· 4V的驱动器。

·低导通电阻。

包装尺寸

单位：mm

2129

[FW115]

0.3

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain2

7 ： Drain1

8 ： Drain1

三洋： SOP8

4.4

5.0

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在Ta = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

总功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

0.595

1.27

0.43

条件

0.1

1.5

1.8max

0.2

评级

–30

±20

–3

6.0

单位

≤

为10μs ，占空比

≤

安装在陶瓷板上

(1200mm

×0.8mm)

(1200mm

×0.8mm)

1unit

–32

1.7

2.0

150

-55到+150

电气特性

在Ta = 25℃

参数

D-S间的击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止目前

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

二极管的正向电压

符号

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

| YFS |

RDS(on)1

RDS(on)2

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

VSD

ID = -1mA ， VGS = 0

VDS = -30V ， VGS = 0

VGS = ± 16V ， VDS = 0

VDS = -10V ，ID = -1mA

VDS = -10V ，ID = -3A

ID = -3A ， VGS = -10V

ID = -1A ， VGS = -4V

VDS = -10V ， F = 1MHz的

请参阅特定网络版测试电路

VDS = -10V ， VGS = -10V ， ID = -3A

IS = -3A ， VGS = 0

–1.0

135

470

280

140

–1.0

–1.5

190

条件

评级

民

–30

–100

±10

–2.5

典型值

最大

单位

三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

52698TS （ KOTO ） TA- 1218 No.5849-1 / 3

FW115

开关时间测试电路

–10V

VIN

PW=10s

D.C.≤1%

VDD=–15V

ID = -3A

RL = 5Ω

VOUT

P.G

–10

.0V

– 8.

– 6.

– 5

– 4.

–4

.0V

-3.5

-3.0

- V

–3

.5V

-6

- V

=-10V

-5

-2.5

漏电流，我

-2.0

-1.5

-1.0

-0.5

漏电流，我

-4

=–3.0V

-3

-1

-0.1

-0.2

-0.3

-0.4

-0.5

-0.6

-0.7

-0.8

-0.9

-1.0

-0.5

-1.0

-1.5

-2.0

-2.5

TA =

– 25

-3.0

-3.5

-2

25C

75C

-4.0

漏极至源极电压，V

- V

=–10V

栅极 - 源极电压，V

- V

200

FS |

- I

-2

DS （ ON）

- V

Tc=25C

Forwaard转移Addmittance ， | Y

| - S

静态漏 - 源

通态电阻，R

DS （

)

– m

160

1.0

0.1

0.01

-0.01

5 7 -0.1

5 7 -1.0

5 7 -10

120

=–3A

=–1A

-2

-4

-6

-8

-10

-12

-14

-16

-18

-20

漏电流，我

- A

200

栅极 - 源极电压，V

- V

-10

DS （ ON）

- 锝

=–4

- V

静态漏 - 源

通态电阻，R

DS （

)

– m

180

140

120

100

-60

-40

-20

正向电流I

- A

160

, V

– 1A

-1.0

-0.1

, V

=-3A

10V

-0.2

-0.4

25C

100

120

140

-0.01

TA = 7

-0.6

–25C

-0.8

-1.0

-1.2

-1.4

外壳温度，TC - C

二极管的正向电压，V

– V

No.5849-2/3

FW115

10000

西塞，科斯，的Crss - V

f=1MHz

-10

- 的Qg

栅极 - 源极电压，V

– V

-30

=-10V

=-3A

-9

-8

-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

西塞，科斯，的Crss - pF的

1000

100

-5

-10

-15

-20

-25

西塞

科斯

CRSS

漏极至源极电压，V

– V

1000

总栅极电荷QG - 数控

-100

= – 3 2 A

SW时间 - 我

=–15V

=–10V

A S

10s

切换时间， SW时间 - NS

100

1.0

7 -0.1

7 -1.0

漏电流，我

- A

吨D（关闭）

-10

-1.0

吨D（上）

-0.1

TA = 25℃

1pulse

1unit

,,,,,,,,,,

=3A

在这一领域是

限于由R

（上）。

安装在陶瓷板上（ 1200毫米

0.8mm)

5 7 -0.1

2 3

5 7 -1.0

2 3

5 7 -10

2 3

-10

-0.01

-0.01 2 3

漏电流，我

– A

2.0

排水-to -Source电压，V

- V

2.5

D(FET2)

D(FET1)

允许功耗，P

D –

允许功耗，P

（FET 2 ） - 含

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

NTE

2.0

1.7

ERA

ARD

1.5

TAL

0.8

1.0

)

NIT

TIO

0.5

安装在陶瓷板上（ 1200毫米

0.8mm)

100

120

140

160

允许功耗，P

（ FET 1 ） - 含

环境温度TA - C

没有描述或包含此产品旨在用于外科植入物，生命支持系统的使用，

航空航天设备，核电控制系统，车辆，灾难/犯罪预防设备和

等，其中的故障可能直接或间接地造成人身伤害，死亡或财产损失。

任何人购买描述或包含了上面提到的使用应的任何产品：

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他们的官员和雇员共同或个别。

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PS No.5849-3 / 3