FDP5N50NZF / FDPF5N50NZF N沟道MOSFET
FDP5N50NZF / FDPF5N50NZF
N沟道MOSFET
500V ， 4.2A ， 1.75Ω
特点
R
DS （ ON）
= 1.57Ω （典型值） @ V
GS
= 10V ，我
D
= 2.1A
低栅极电荷（典型值9NC ）
低C
RSS
（典型值4PF ）
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
ESD Imoroved能力
符合RoHS
的UniFET -II
TM
2012年2月
描述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管
器都采用飞兆半导体专有的，平面条形制作，
DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对微型
迈兹的导通电阻，优越的开关perfor-
曼斯，并能承受高能量脉冲雪崩和
换流模式。这些装置非常适用于高艾菲
cient开关模式电源和有源功率因数
校正。
D
G
摹 S
TO-220
FDP系列
GDS
TO-220F
FDPF系列
（盆栽）
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明*
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25 C)
- 减免上述25℃
o
o
参数
FDP5N50NZF
500
±25
FDPF5N50NZF
单位
V
V
- 连续（T
C
=
- 脉冲
25
o
C)
o
4.2
2.5
16
165
4.2
7.8
20
78
0.62
-55到+150
300
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
4.2*
2.5*
16*
- 连续（T
C
= 100 C)
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
单脉冲雪崩能量
（注3）
30
0.24
W
W/
o
C
o
o
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
C
C
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，案件散热器典型。
热阻，结到环境
1
FDP5N50NZF
1.6
0.5
62.5
FDPF5N50NZF
4.1
-
62.5
单位
o
C / W
2012仙童半导体公司
FDP5N50NZF / FDPF5N50NZF版本C0
www.fairchildsemi.com
FDP5N50NZF / FDPF5N50NZF N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FDP5N50NZF
FDPF5N50NZF
设备
FDP5N50NZF
FDPF5N50NZF
包
TO-220
TO-220F
带尺寸
-
-
胶带宽度
-
-
QUANTITY
50
50
电气特性
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
C
= 25
o
C
I
D
= 250μA ，参考25
o
C
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
V
DS
= 400V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125
o
C
V
GS
= ±25V, V
DS
= 0V
500
-
-
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
10
100
±10
V
V/
o
C
μA
μA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.1A
V
DS
= 20V ，我
D
= 2.1A
（注4 ）
3.0
-
-
-
1.57
4.2
5.0
1.75
-
V
Ω
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 400V我
D
= 4.2A
V
GS
= 10V
（注4 ）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
365
50
4
9
2
4
485
65
8
12
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 250V ，我
D
= 4.2A
V
GS
= 10V ，R
根
= 25Ω
（注4 ）
-
-
-
-
12
19
31
22
35
50
70
55
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
SD
= 4.2A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 4.2A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
-
-
-
-
-
-
-
-
87
0.15
4.2
16
1.5
-
-
A
A
V
ns
μC
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 18.7mH ，我
AS
= 4.2A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
4.2A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.基本上是独立的工作温度典型特征
FDP5N50NZF / FDPF5N50NZF版本C0
2
www.fairchildsemi.com
FDP5N50NZF / FDPF5N50NZF N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
10
V
GS
=
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
图2.传输特性
10
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
1
150 C
o
-55 C
o
1
25 C
o
0.1
*注意：
1. 250
μ
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
*注意：
1. V
DS
= 20V
2. 250
μ
s脉冲测试
0.03
0.1
0.1
25
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
3
4
5
6
7
V
GS
，栅源电压[V]
8
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
3.6
3.2
2.8
2.4
V
GS
= 10V
V
GS
= 20V
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
50
R
DS （ ON）
[
Ω
]
,
漏源导通电阻
I
S
，反向漏电流[ A]
10
150 C
o
25 C
o
2.0
1.6
1.2
0
2
*注：t
C
= 25 C
o
*注意：
1. V
GS
= 0V
4
6
I
D
，漏电流[ A]
8
10
1
0.4
2. 250
μ
s脉冲测试
0.8
1.2
V
SD
，体二极管正向电压[ V]
1.6
图5.电容特性
800
西塞=的Cgs + Cgd的
(
CDS =短路
)
COSS =硫化镉+ Cgd的
CRSS = Cgd的
图6.栅极电荷特性
10
V
GS
，栅源电压[V]
V
DS
= 100V
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
8
600
电容[ pF的]
C
国际空间站
6
400
*注意：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
C
OSS
4
200
C
RSS
2
*注：我
D
= 4.2A
0
0.1
0
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
30
0
2
4
6
8
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
10
FDP5N50NZF / FDPF5N50NZF版本C0
3
www.fairchildsemi.com
FDP5N50NZF / FDPF5N50NZF N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.15
BV
DSS
， [归]
漏源击穿电压
图8.最大安全工作区
与外壳温度， FDPF5N50NZF
30
30
μ
s
10
I
D
，漏电流[ A]
1.10
100
μ
s
1ms
10ms
1.05
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
DC
1.00
0.1
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
0.95
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
μ
A
0.90
-75 -50
0
50
100
o
T
J
，结温
[
C
]
150
0.01
1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
1000
图9.最大漏极电流
5
4
I
D
，漏电流[ A]
3
2
1
0
25
50
75
100
125
o
T
C
，外壳温度[C]
150
图10.瞬态热响应曲线， FDPF5N50NZF
4.3
0.5
热响应[Z
θ
JC
]
1
0.2
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
0.1
0.02
0.01
*注意：
1. Z
θ
JC
（ T） = 4.1 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
-4
o
单脉冲
0.01
-5
10
10
10
10
10
10
矩形脉冲持续时间（秒）
-3
-2
-1
0
10
1
10
2
FDP5N50NZF / FDPF5N50NZF版本C0
4
www.fairchildsemi.com
FDP5N50NZF / FDPF5N50NZF N沟道MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
电阻开关测试电路波形&
非钳位感应开关测试电路波形&
FDP5N50NZF / FDPF5N50NZF版本C0
5
www.fairchildsemi.com
QQ：2880707522 复制
