www.fairchildsemi.com
FS6M07652RTC
特点
飞兆功率开关（ FPS ）
描述
飞兆半导体的功率开关（FPS ）产品系列是专
设计用于离线开关电源用最少的外部
组件。飞兆半导体的功率开关（FPS ）组成的
高电压功率值SenseFET和一个电流模式的PWM集成电路。
包括PWM控制器具有集成固定振荡器，
在欠压锁定，前沿消隐，该
优化的栅极导通/关断驱动器，热关断
保护，过电压保护，并在温度
补偿精密电流源回路
补偿和故障保护电路。相比
一个分立MOSFET和控制器或RCC开关
转换器解决方案，一飞兆功率开关（ FPS ）可以
在降低总元件数量，缩小设计尺寸和重量，
同时提高效率，生产率和系统
可靠性。它有一个基本的平台适合于成本
有效的LCD显示器的电源。
TO-220F-5L
固定频率
为待机模式，内部突发模式控制器
逐脉冲过电流限制
过电流保护（自动重新启动模式）
过电压保护（自动重新启动模式）
过负载保护（自动重新启动模式）
内部热关断功能（锁存模式）
欠压锁定
内部高压感FET
软启动
应用
液晶显示器开关电源
适配器
1
1.漏2. GND 3. V
CC
4.反馈5.软启动
内部框图
V
CC
漏
3
VREF
OSC
VREF
VFB
Vth=1V
突发模式
调节器
1
软启动
5
国内
BIAS
VREF
UVLO
S
Q
罗恩
VCC
Vth=11V/12V
R
ROFF
PWM
Feedbock
4
IFB
2.5R
R
VCC
VFB偏移
Rsenese
VREF
IDELAY
OLP
Vth=7.5V
VCC
Vth=33V
OVP
OCL
滤波器
(130nsec)
Vth=2V
2
GND
S
UVLO复位
(Vcc=9V)
Q
Q
S
R
POWER- ON
RESET
(Vcc=6.5V)
TSD
(Tj=160
℃)
R
Rev.1.0.4
2003仙童半导体公司
FS6M07652RTC
电气特性
（续）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
参数
UVLO节
启动阈值电压
停止阈值电压
振荡器部分
初始频率
电压稳定
温度稳定性（ 2 ）
最大占空比
最小占空比
反馈部分
反馈源电流
关机反馈电压
关机延迟电流
软启动部分
软启动电压
软启动电流
突发模式部分
突发模式低阈值电压
突发模式高阈值电压
突发模式使反馈电压
突发模式峰值电流限制（ 4 ）
突发模式频率
电流限制（自我保护）第
峰值电流限制（ 4 ）
保护科
过电压保护
过电流闭锁电压（ 3 ）
热关断温度（ 2 ）
设备总段
启动电流
工作电源电流（ 1 ）
I
开始
I
OP
I
OP （ MIN ）
I
OP （MAX）
V
FB
= GND ，V
CC
= 14V
V
FB
= GND ，V
CC
= 16V
V
FB
= GND ，V
CC
= 12V
V
FB
= GND ，V
CC
= 30V
-
10
15
mA
-
0.1
0.17
mA
V
OVP
V
OCL
T
SD
V
CC
≥
29V
-
-
29
1.8
140
33
2.0
160
37
2.2
-
V
V
°C
I
过度
-
1.76
2.0
2.24
A
V
树榴
V
BURH
V
BEN
I
BURPK
F
BUR
V
FB
= 0V
V
FB
= 0V
V
CC
= 10.5V
V
CC
= 10.5V, V
FB
= 0V
V
CC
= 10.5V, V
FB
= 0V
10.4
11.4
0.7
0.38
63
11.0
12.0
1.0
0.5
70
11.6
12.6
1.3
0.62
77
V
V
V
A
千赫
V
SS
I
SS
V
FB
= 2
V
SS
= V
4.7
0.8
5.0
1.0
5.3
1.2
V
mA
I
FB
V
SD
I
延迟
V
FB
= GND
V
FB
≥
6.9V
V
FB
= 5V
0.7
6.9
3.2
0.9
7.5
4.0
1.1
8.1
4.8
mA
V
A
F
OSC
F
稳定
F
OSC
D
最大
D
民
-
12V
≤
V
CC
≤
23V
-25°C
≤
Ta
≤
85°C
-
-
63
0
0
75
-
70
1
±5
80
-
77
3
±10
85
0
千赫
%
%
%
%
V
开始
V
停止
V
FB
= GND
V
FB
= GND
14
8
15
9
16
10
V
V
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
1.这些参数是流动的电流控制IC 。
2.这些参数，虽然保证在该设计中，不是100％的生产测试。
3.这些参数，虽然保证，在EDS （晶圆测试）过程中进行测试。
4.这些参数表明电感电流。
4
www.fairchildsemi.com
FSDM0565R
特点
绿色模式飞兆功率开关（ FPS
TM
)
内部雪崩坚固感FET
在1 W先进的突发模式操作消耗的
240VAC & 0.5W负载
精确的固定工作频率（ 66kHz ）
内置启动电路
逐个脉冲电流限制
异常过流保护（ AOCP ）
过电压保护（ OVP ）
过载保护（ OLP ）
内部热关断功能（ TSD ）
自动重启模式
欠压锁定（ UVLO ）与迟滞
低工作电流（ 2.5毫安）
内置软启动
输出功率表
230VAC
±15%
(3)
产品
FSDM0565R
FSDM07652R
Adapt-
er
(1)
60W
70W
开放
FRAME
(2)
70W
80W
85-265VAC
Adapt-
er
(1)
50W
60W
开放
FRAME
(2)
60W
70W
表1.注释：1.典型的连续输出功率是在非文氏
测量在50 °C的环境tilated密闭适配器。 2 。
最大的实际持续输出功率是在敞开式
设计在50 °C的环境。 3. 230 VAC或100/115 VAC带
倍增。
应用
开关电源应用于液晶显示器和机顶盒
适配器
典型电路
描述
该FSDM0565R是一个集成脉宽调制器
（ PWM）和检测FET专门设计的高
高性能离线开关模式电源（ SMPS ）
以最少的外部元件。这个装置是一个
集成高电压功率开关调节器，它
结合雪崩崎岖感FET的电流模式
PWM控制块。 PWM控制器包括集成
固定频率振荡器，欠压锁定，前沿
消隐（ LEB ） ，优化的栅极驱动器，内部软启动，
温度补偿的精确电流源的回路
补偿和自我保护电路。相比
分立MOSFET与PWM控制器解决方案，它可以减少
总成本，元件数量，同时尺寸和重量
提高效率，生产率和系统的可靠性。这
设备是一个基本的平台适合于成本效益的
反激式转换器的设计。
AC
IN
DC
OUT
VSTR
PWM
VFB
漏
VCC
来源
图1.典型的反激式应用
Rev.1.0.5
2005仙童半导体公司
FSDM0565R
引脚德网络nitions
引脚数
1
2
3
引脚名称
漏
GND
VCC
引脚功能说明
该引脚为高电压功率检测FET的漏极。它被设计用来驱动
变压器直接。
此引脚是控制地面和检测FET的源。
该引脚是正电源电压输入。在启动时，电源被抑制
由连接到所述VSTR销的内部高压电流源合股。
当VCC达到12V时，内部高压电流源被禁用，
的电力从辅助变压器绕组供电。
该引脚内部连接到PWM比较器的反相输入端。
光耦合器的集电极通常连接到该引脚。对于稳定运行，
电容应放置在该引脚与GND之间。如果此引脚的电压
达到6.0V ，过负载保护动作造成的停机
FPS
TM
.
-
该引脚直接连接到高压直流母线。在启动时，内部
高压电流源提供内部偏置和收费外钙
pacitor连接到Vcc管脚。一旦cc达到12V时，内部电流
租金来源被禁用。
4
VFB
5
6
N.C
VSTR
引脚配置
TO-220F-6L
6.Vstr
5.N.C.
4.Vfb
3.Vcc
2.GND
1.Drain
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
3
FSDM0565R
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
漏源电压
VSTR最大电压
脉冲漏电流（TC = 25
°C)
(1)
连续漏电流（TC = 25
°C)
连续漏电流（TC = 100
°C)
单脉冲雪崩能量
(2)
单脉冲雪崩电流
(3)
电源电压
输入电压范围
总功率耗散（TC = 25
°C)
工作结温
工作环境温度
存储温度范围
ESD能力， HBM模型（所有引脚
excepts的VSTR和VFB）
ESD能力，机器模型（所有引脚
excepts的VSTR和VFB）
符号
V
DSS
V
STR
I
DM
I
D
E
AS
I
AS
V
CC
V
FB
P
D
（瓦特H / S）
T
j
T
A
T
英镑
-
-
价值
650
650
11
2.8
1.7
190
-
20
-0.3到V
CC
45
内部限制
-25至+85
-55到+150
2.0
(GND-Vstr/Vfb=1.5kV)
300
(GND-Vstr/Vfb=225V)
单位
V
V
A
DC
A
A
mJ
A
V
V
W
°C
°C
°C
kV
V
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 14mH ，开始TJ = 25°C
3， L = 13uH ，开始TJ = 25°C
热阻抗
参数
结到环境的热
结至外壳热
符号
价值
49.90
2.78
单位
° C / W
° C / W
θ
JA
θ
JC
(2)
(1)
注意事项：
1.免费标准下自然对流没有散热片。
2.无限冷却条件 - 参考SEMI G30-88 。
4
www.fairchildsemi.com
FS6M07652RTC
特点
飞兆功率开关（ FPS ）
描述
飞兆半导体的功率开关（FPS ）产品系列是专
设计用于离线开关电源用最少的外部
组件。飞兆半导体的功率开关（FPS ）组成的
高电压功率值SenseFET和一个电流模式的PWM集成电路。
包括PWM控制器具有集成固定振荡器，
在欠压锁定，前沿消隐，该
优化的栅极导通/关断驱动器，热关断
保护，过电压保护，并在温度
补偿精密电流源回路
补偿和故障保护电路。相比
一个分立MOSFET和控制器或RCC开关
转换器解决方案，一飞兆功率开关（ FPS ）可以
在降低总元件数量，缩小设计尺寸和重量，
同时提高效率，生产率和系统
可靠性。它有一个基本的平台适合于成本
有效的LCD显示器的电源。
TO-220F-5L
固定频率
为待机模式，内部突发模式控制器
逐脉冲过电流限制
过电流保护（自动重新启动模式）
过电压保护（自动重新启动模式）
过负载保护（自动重新启动模式）
内部热关断功能（锁存模式）
欠压锁定
内部高压感FET
软启动
应用
液晶显示器开关电源
适配器
1
1.漏2. GND 3. V
CC
4.反馈5.软启动
内部框图
V
CC
漏
3
VREF
OSC
VREF
VFB
Vth=1V
突发模式
调节器
1
软启动
5
国内
BIAS
VREF
UVLO
S
Q
罗恩
VCC
Vth=11V/12V
R
ROFF
PWM
Feedbock
4
IFB
2.5R
R
VCC
VFB偏移
Rsenese
VREF
IDELAY
OLP
Vth=7.5V
VCC
Vth=33V
OVP
OCL
滤波器
(130nsec)
Vth=2V
2
GND
S
UVLO复位
(Vcc=9V)
Q
Q
S
R
POWER- ON
RESET
(Vcc=6.5V)
TSD
(Tj=160
℃)
R
Rev.1.0.4
2003仙童半导体公司
FS6M07652RTC
电气特性
（续）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
参数
UVLO节
启动阈值电压
停止阈值电压
振荡器部分
初始频率
电压稳定
温度稳定性（ 2 ）
最大占空比
最小占空比
反馈部分
反馈源电流
关机反馈电压
关机延迟电流
软启动部分
软启动电压
软启动电流
突发模式部分
突发模式低阈值电压
突发模式高阈值电压
突发模式使反馈电压
突发模式峰值电流限制（ 4 ）
突发模式频率
电流限制（自我保护）第
峰值电流限制（ 4 ）
保护科
过电压保护
过电流闭锁电压（ 3 ）
热关断温度（ 2 ）
设备总段
启动电流
工作电源电流（ 1 ）
I
开始
I
OP
I
OP （ MIN ）
I
OP （MAX）
V
FB
= GND ，V
CC
= 14V
V
FB
= GND ，V
CC
= 16V
V
FB
= GND ，V
CC
= 12V
V
FB
= GND ，V
CC
= 30V
-
10
15
mA
-
0.1
0.17
mA
V
OVP
V
OCL
T
SD
V
CC
≥
29V
-
-
29
1.8
140
33
2.0
160
37
2.2
-
V
V
°C
I
过度
-
1.76
2.0
2.24
A
V
树榴
V
BURH
V
BEN
I
BURPK
F
BUR
V
FB
= 0V
V
FB
= 0V
V
CC
= 10.5V
V
CC
= 10.5V, V
FB
= 0V
V
CC
= 10.5V, V
FB
= 0V
10.4
11.4
0.7
0.38
63
11.0
12.0
1.0
0.5
70
11.6
12.6
1.3
0.62
77
V
V
V
A
千赫
V
SS
I
SS
V
FB
= 2
V
SS
= V
4.7
0.8
5.0
1.0
5.3
1.2
V
mA
I
FB
V
SD
I
延迟
V
FB
= GND
V
FB
≥
6.9V
V
FB
= 5V
0.7
6.9
3.2
0.9
7.5
4.0
1.1
8.1
4.8
mA
V
A
F
OSC
F
稳定
F
OSC
D
最大
D
民
-
12V
≤
V
CC
≤
23V
-25°C
≤
Ta
≤
85°C
-
-
63
0
0
75
-
70
1
±5
80
-
77
3
±10
85
0
千赫
%
%
%
%
V
开始
V
停止
V
FB
= GND
V
FB
= GND
14
8
15
9
16
10
V
V
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
1.这些参数是流动的电流控制IC 。
2.这些参数，虽然保证在该设计中，不是100％的生产测试。
3.这些参数，虽然保证，在EDS （晶圆测试）过程中进行测试。
4.这些参数表明电感电流。
4
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FSDM0565R
特点
绿色模式飞兆功率开关（ FPS
TM
)
内部雪崩坚固感FET
在1 W先进的突发模式操作消耗的
240VAC & 0.5W负载
精确的固定工作频率（ 66kHz ）
内置启动电路
逐个脉冲电流限制
异常过流保护（ AOCP ）
过电压保护（ OVP ）
过载保护（ OLP ）
内部热关断功能（ TSD ）
自动重启模式
欠压锁定（ UVLO ）与迟滞
低工作电流（ 2.5毫安）
内置软启动
输出功率表
230VAC
±15%
(3)
产品
FSDM0565R
FSDM07652R
Adapt-
er
(1)
60W
70W
开放
FRAME
(2)
70W
80W
85-265VAC
Adapt-
er
(1)
50W
60W
开放
FRAME
(2)
60W
70W
表1.注释：1.典型的连续输出功率是在非文氏
测量在50 °C的环境tilated密闭适配器。 2 。
最大的实际持续输出功率是在敞开式
设计在50 °C的环境。 3. 230 VAC或100/115 VAC带
倍增。
应用
开关电源应用于液晶显示器和机顶盒
适配器
典型电路
描述
该FSDM0565R是一个集成脉宽调制器
（ PWM）和检测FET专门设计的高
高性能离线开关模式电源（ SMPS ）
以最少的外部元件。这个装置是一个
集成高电压功率开关调节器，它
结合雪崩崎岖感FET的电流模式
PWM控制块。 PWM控制器包括集成
固定频率振荡器，欠压锁定，前沿
消隐（ LEB ） ，优化的栅极驱动器，内部软启动，
温度补偿的精确电流源的回路
补偿和自我保护电路。相比
分立MOSFET与PWM控制器解决方案，它可以减少
总成本，元件数量，同时尺寸和重量
提高效率，生产率和系统的可靠性。这
设备是一个基本的平台适合于成本效益的
反激式转换器的设计。
AC
IN
DC
OUT
VSTR
PWM
VFB
漏
VCC
来源
图1.典型的反激式应用
Rev.1.0.5
2005仙童半导体公司
FSDM0565R
引脚德网络nitions
引脚数
1
2
3
引脚名称
漏
GND
VCC
引脚功能说明
该引脚为高电压功率检测FET的漏极。它被设计用来驱动
变压器直接。
此引脚是控制地面和检测FET的源。
该引脚是正电源电压输入。在启动时，电源被抑制
由连接到所述VSTR销的内部高压电流源合股。
当VCC达到12V时，内部高压电流源被禁用，
的电力从辅助变压器绕组供电。
该引脚内部连接到PWM比较器的反相输入端。
光耦合器的集电极通常连接到该引脚。对于稳定运行，
电容应放置在该引脚与GND之间。如果此引脚的电压
达到6.0V ，过负载保护动作造成的停机
FPS
TM
.
-
该引脚直接连接到高压直流母线。在启动时，内部
高压电流源提供内部偏置和收费外钙
pacitor连接到Vcc管脚。一旦cc达到12V时，内部电流
租金来源被禁用。
4
VFB
5
6
N.C
VSTR
引脚配置
TO-220F-6L
6.Vstr
5.N.C.
4.Vfb
3.Vcc
2.GND
1.Drain
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
3
FSDM0565R
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
漏源电压
VSTR最大电压
脉冲漏电流（TC = 25
°C)
(1)
连续漏电流（TC = 25
°C)
连续漏电流（TC = 100
°C)
单脉冲雪崩能量
(2)
单脉冲雪崩电流
(3)
电源电压
输入电压范围
总功率耗散（TC = 25
°C)
工作结温
工作环境温度
存储温度范围
ESD能力， HBM模型（所有引脚
excepts的VSTR和VFB）
ESD能力，机器模型（所有引脚
excepts的VSTR和VFB）
符号
V
DSS
V
STR
I
DM
I
D
E
AS
I
AS
V
CC
V
FB
P
D
（瓦特H / S）
T
j
T
A
T
英镑
-
-
价值
650
650
11
2.8
1.7
190
-
20
-0.3到V
CC
45
内部限制
-25至+85
-55到+150
2.0
(GND-Vstr/Vfb=1.5kV)
300
(GND-Vstr/Vfb=225V)
单位
V
V
A
DC
A
A
mJ
A
V
V
W
°C
°C
°C
kV
V
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 14mH ，开始TJ = 25°C
3， L = 13uH ，开始TJ = 25°C
热阻抗
参数
结到环境的热
结至外壳热
符号
价值
49.90
2.78
单位
° C / W
° C / W
θ
JA
θ
JC
(2)
(1)
注意事项：
1.免费标准下自然对流没有散热片。
2.无限冷却条件 - 参考SEMI G30-88 。
4
QQ：2880707522 复制
