FSPYE134R ， FSPYE134F
数据表
2001年12月
抗辐射，抗SEGR
N沟道功率MOSFET
飞兆半导体星*电源抗辐射
MOSFET的过专门
TM
对于高性能开发
在商业应用中，或
军事空间环境。星*功率MOSFET提供
系统设计既非常低R
DS （ ON）
与门
负责让低损耗电源的发展
子系统。星*功率场效应晶体管结合起来的电
总剂量辐射硬度可达300K能力
拉德同时保持性能保证的
单粒子效应（ SEE ）的仙童FS系列
一直展出。
星*功率FET的飞兆半导体产品组合包括一个家庭
在不同的电压，电流和封装类型的设备。
星*电源系列包括星*功率和
星*电源金奖产品。星*功率场效应管进行了优化
总剂量和R
DS （ ON）
同时表现出SEE性能
在全额定电压的37星*电源的LET能力
黄金场效应管都进行了优化SEE和栅极电荷
提供SEE性能80 ％的额定电压为
82用极低的栅极电荷特性的LET 。
这个MOSFET是一个增强型硅栅功率
的垂直DMOS场效应晶体管（ VDMOS ）
结构。据具体来说设计和加工成
耐辐射。 MOSFET被非常适用于
暴露于辐射的环境中，例如应用
开关调节，开关转换器，电源
分布，马达驱动器和继电器驱动器以及其它
功率控制和调节应用。如同
传统MOSFET，这些抗辐射
的MOSFET提供了方便的电压控制，快速切换
速度与能力并行开关器件。
可靠性筛选可作为无论是热力膨胀阀或空间
相当于MIL -PRF- 19500的。
*当前被包能力的限制
以前作为类型TA45214W 。
特点
* 20A ， 150V ，R
DS （ ON）
= 0.088
额定UIS
总剂量
- 符合预RAD特定网络阳离子100K RAD （SI ）
- 额定为300K RAD （SI ）
单事件
- 安全工作区曲线的单粒子效应
- SEE免疫为36MeV /毫克/平方厘米LET
2
同
V
DS
额定击穿的高达100％的
剂量率
- 通常情况下躲过3E9 Rad公司（SI ） / s的80 ％ BV
DSS
- 通常情况下躲过2E12如果电流限制在我
AS
光电流
- 仅为2nA每- RAD （SI ） / s的典型
中子
- 维持前期-Rad公司产品规格
对于1E13中子/平方厘米
2
- 可用来1E14中子/平方厘米
2
符号
D
G
S
包装
SMD.5
订购信息
RAD LEVEL
10K
100K
100K
300K
300K
筛选LEVEL
工程样品
TXV
空间
TXV
空间
零件编号/ BRAND
FSPYE134D1
FSPYE134R3
FSPYE134R4
FSPYE134F3
FSPYE134F4
2001仙童半导体公司
FSPYE134R ， FSPYE134F版本B
FSPYE134R ， FSPYE134F
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
FSPYE134R ， FSPYE134F
漏源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ的） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流
T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散
T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
T
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
T
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩电流， L = 100μH ， （见测试图） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
AS
连续源电流（体二极管） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
S
脉冲源电流（体二极管） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
SM
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
焊接温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
（距离＆ GT ; 0.063in （ 1.6毫米）从表壳， 10秒最大）
重量（典型）
75
30
0.60
45
20
80
-55到150
300
1.0 （典型值）
W
W
W/
o
C
A
A
A
o
C
o
C
单位
V
V
A
A
A
V
150
150
20 （注）
13
80
±30
g
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
*当前被包能力的限制
电气规格
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
,
I
D
= 1毫安
T
C
= -55
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
民
150
-
2.0
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至12V
V
DD
= 75V,
I
D
= 20A
-
-
-
V
GS
= 0V至20V
V
GS
= 0V至2V
I
D
= 20A ，V
DS
= 15V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.077
-
-
-
-
-
30
10
8
45
3
6.5
1350
275
16
-
最大
-
5.5
4.5
-
25
250
100
200
1.86
0.088
0.167
20
30
35
15
33
12
10
-
-
-
-
-
-
1.67
单位
V
V
V
V
A
A
nA
nA
V
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
nC
V
pF
pF
pF
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
I
DSS
I
GSS
V
DS （ ON）
r
DS(ON)12
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g(12)
Q
gs
Q
gd
Q
g(20)
Q
G（ TH ）
V
（高原）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
V
DS
= 120V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±30V
V
GS
= 12V，我
D
= 20A
I
D
= 13A,
V
GS
= 12V
门源漏电流
漏极至源极通态电压
漏极至源极导通电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极电荷源
门电荷泄漏
栅极电荷，在20V
阈值的栅极电荷
高原电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
V
DD
= 75V ，我
D
= 20A,
R
L
= 3.75, V
GS
= 12V,
R
GS
= 7.5
2001仙童半导体公司
FSPYE134R ， FSPYE134F版本B
FSPYE134R ， FSPYE134F
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
SD
t
rr
Q
RR
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
测试条件
V
GS
= 0, I
D
= 1毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0, V
DS
= 120V
V
GS
= 12V，我
D
= 20A
V
GS
= 12V，我
D
= 13A
民
150
2.0
-
-
-
-
最大
-
4.5
100
25
1.86
0.088
民
150
1.5
最大
-
4.5
100
50
2.30
0.105
单位
V
V
nA
A
V
100K RAD
漏极至源极击穿电压
门源阈值电压
门到车身泄漏
零栅漏
漏极至源极导通状态电压
漏极至源极导通电阻
注意事项：
1.脉冲测试， 300μS最大。
2.绝对价值。
3.原位伽玛偏见必须被采样为V
GS
= 12V, V
DS
= 0V和V
GS
= 0V, V
DS
= 80％ BV
DSS
.
（注3）
（注3）
（注2,3）
（注3）
（注1,3）
（注1,3）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
DS （ ON）
r
DS(ON)12
300K RAD
I
SD
= 20A
I
SD
= 20A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
-
典型值
-
-
1.3
最大
1.2
210
-
单位
V
ns
C
电气连接特定阳离子高达300K RAD
参数
符号
单粒子效应（ SEB ， SEGR ）
注4
环境
（注5 ）
（注6 ）
典型LET
（兆电子伏/毫克/平方厘米）
37
60
60
82
82
注意事项：
4.测试在布鲁克海文国家实验室或德克萨斯州A&M进行。
5.通量= 1E5离子/ cm
2
（典型值） ，T = 25
o
C.
6.离子种类： LET = 37 ， Br或氪; LET = 60 ， I或氙; LET = 82金。
7.不会出现单粒子烧毁（ SEB ）和单粒子栅穿（ SEGR ） 。
典型范围（ μ ）
36
32
32
28
28
应用的
V
GS
BIAS
(V)
-10
-2
-8
0
-5
（注7 ）
最大
V
DS
BIAS
(V)
150
150
120
120
90
TEST
单粒子效应的安全工作区
符号
SEESOA
2001仙童半导体公司
FSPYE134R ， FSPYE134F版本B
QQ：2880707522 复制
