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SOT23 NPN硅平面
高频三极管
第3期 - 1996年1月
特点
*高F
T
= 900MHz的敏
*最大容量为1pF =
*低噪音4.5分贝
PARTMARKING详细信息 - 179
FMMT5179
E
C
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗
工作和存储温度范围
参数
集电极 - 发射极可持续
电压
集电极 - 基极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止
当前
静态正向电流
传输比
集电极 - 发射极饱和
电压
基射
饱和电压
跃迁频率
集电极 - 基极电容
小信号电流增益
噪声系数
共发射极放大器
功率增益
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
cb
h
fe
N
F
GPE
15
25
3
900
25
分钟。
12
20
2.5
0.02
1.0
250
0.4
1.0
2000
1
300
14
4.5
ps
dB
dB
V
V
兆赫
pF
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
马克斯。
价值
20
12
2.5
50
330
-55到+150
SOT23
单位
V
V
V
mA
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
单位条件。
V
V
V
A
A
I
C
= 3毫安，我
B
=0
I
C
= 1
A，I
E
=0
I
E
=10
A，I
C
=0
V
CB
= 15V ，我
E
=0
V
CB
= 15V ，我
E
=0, T
AMB
=150°C
I
C
= 3mA电流， V
CE
=1V
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 5毫安，V
CE
= 6V ， F = 100MHz的
I
E
=0, V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
I
C
= 2毫安，V
CE
= 6V ， F = 1kHz时
I
E
= 2毫安，V
CB
= 6V ， F = 31.9MHz
I
C
= 1.5毫安，V
CE
=6V
R
S
=50
中，f = 200MHz的
I
C
= 5毫安，V
CE
=6V
f=200MHz
集电极基时间常数rb'C
c
辣妹参数数据可应要求提供此设备
3 - 169
FMMT5179
典型特征
200
175°C
0.8
150
100°C
25°C
V
CE
=1V
1.0
V
CE
=1V
-55°C
V
BE
- （伏）
h
FE
- 获得
0.6
100
25°C
100°C
175°C
0.4
-55°C
50
0.2
0
0.1
1
10
100
0
0.1
1
10
100
I
C
-
（MA ）
I
C
-
（MA ）
h
FE
V I
C
V
BE（上）
V I
C
1500
V
CE
=6V
f=100MHz
1.2
1.0
I
E
=0
f=1MHz
f
T
- （兆赫）
1000
0.8
C
CB
- （ pF）的
0.1
1
10
100
0.6
0.4
0.2
500
0
0
0.1
1
10
30
I
C
-
（MA ）
V
CB
-
（伏）
f
T
V I
C
C
CB
v V
CB
3 - 170
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FM380-AN
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型号
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22+
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