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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第180页 > FCX1151A
SOT89 PNP广颖电
（开关）晶体管
第1期 - 1998年11月
特点
FCX1151A
C
*
*
*
*
*
2W功耗
5A峰值脉冲电流
优秀
FE
特性的对5安培
极低的饱和电压例如60mV的典型。
极低的等效导通电阻;
R
CE （ SAT ）
66mΩ在3A
FCX1051A
151
E
C
B
免费类型 -
PARTMARKING详细信息 -
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流**
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-45
-40
-5
-5
-3
-500
1
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
推荐P
合计
采用FR4测量15x15x0.6mm计算
最大功耗来计算假定该设备被安装在FR4
基测量40x40x0.6mm ，并使用通过可比的测量方法
其他供应商。
**脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供这些设备的
请参考操作说明焊接表面贴装元件。
FCX1151A
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
符号最小值。
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CEV
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
-45
-40
-40
-40
-5
-0.3
-0.3
-0.3
-60
-120
-140
-200
-985
-850
270
250
180
100
450
400
300
190
45
145
40
170
460
-100
-100
-100
-90
-180
-220
-300
-1050
-950
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
条件。
I
C
=-100A
I
C
=-100A
I
C
=-10mA
I
C
= -100μA ，V
EB
=+1V
I
E
=-100A
V
CB
=-36V
V
EB
=-4V
V
CE
=-32V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-1.0mA*
I
C
= -0.5A ，我
B
=-5mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-20mA*
I
C
= -3A ，我
B
=-250mA*
I
C
= -3A ，我
B
=-250mA*
I
C
= -3A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -0.5A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -3A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -5A ，V
CE
=-2V*
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
f=50MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
I
C
= -2A ，我
B
=-20mA,
V
CC
=-30V
I
C
= -2A ，我
B
=±20mA,
V
CC
=-30V
基射
饱和电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
800
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
cb
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
FCX1151A
典型特征
0.4
+25°C
0.4
IC/IB=100
0.3
IC/IB=50
IC/IB=100
IC/IB=200
0.3
-55°C
+25°C
+100°C
+150°C
0.2
0.2
0.1
0.1
0
1m
10m
100m
1
10
0
1m
10m
100m
1
10
I
C
- 集电极电流（ A）
V
CE （ SAT ）
V I
C
I
C
- 集电极电流（ A）
V
CE （ SAT ）
V I
C
800
VCE=2V
1.0
IC/IB=100
0.8
600
+100°C
0.6
400
+25°C
0.4
200
-55°C
0.2
0
-55°C
+25°C
+100°C
+150°C
0
1m
10m
100m
1
10
1m
10m
100m
1
10
I
C
- 集电极电流（ A）
h
FE
V I
C
I
C
- 集电极电流（ A）
V
BE （ SAT ）
V I
C
0.9
10
0.6
1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
1us
0.3
-55°C
+25°C
+100°C
+150°C
0.1
0
1m
10m
100m
1
10
0.01
100m
0.1
10
100
IC - 集电极电流（ A）
V
BE（上）
V I
C
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
安全工作区
SOT89 PNP广颖电
（开关）晶体管
第1期 - 1998年11月
特点
FCX1151A
C
*
*
*
*
*
2W功耗
5A峰值脉冲电流
优秀
FE
特性的对5安培
极低的饱和电压例如60mV的典型。
极低的等效导通电阻;
R
CE （ SAT ）
66mΩ在3A
FCX1051A
151
E
C
B
免费类型 -
PARTMARKING详细信息 -
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流**
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-45
-40
-5
-5
-3
-500
1
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
推荐P
合计
采用FR4测量15x15x0.6mm计算
最大功耗来计算假定该设备被安装在FR4
基测量40x40x0.6mm ，并使用通过可比的测量方法
其他供应商。
**脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供这些设备的
请参考操作说明焊接表面贴装元件。
FCX1151A
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
符号最小值。
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CEV
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
-45
-40
-40
-40
-5
-0.3
-0.3
-0.3
-60
-120
-140
-200
-985
-850
270
250
180
100
450
400
300
190
45
145
40
170
460
-100
-100
-100
-90
-180
-220
-300
-1050
-950
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
条件。
I
C
=-100A
I
C
=-100A
I
C
=-10mA
I
C
= -100μA ，V
EB
=+1V
I
E
=-100A
V
CB
=-36V
V
EB
=-4V
V
CE
=-32V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-1.0mA*
I
C
= -0.5A ，我
B
=-5mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-20mA*
I
C
= -3A ，我
B
=-250mA*
I
C
= -3A ，我
B
=-250mA*
I
C
= -3A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -0.5A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -3A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -5A ，V
CE
=-2V*
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
f=50MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
I
C
= -2A ，我
B
=-20mA,
V
CC
=-30V
I
C
= -2A ，我
B
=±20mA,
V
CC
=-30V
基射
饱和电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
800
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
cb
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
FCX1151A
典型特征
0.4
+25°C
0.4
IC/IB=100
0.3
IC/IB=50
IC/IB=100
IC/IB=200
0.3
-55°C
+25°C
+100°C
+150°C
0.2
0.2
0.1
0.1
0
1m
10m
100m
1
10
0
1m
10m
100m
1
10
I
C
- 集电极电流（ A）
V
CE （ SAT ）
V I
C
I
C
- 集电极电流（ A）
V
CE （ SAT ）
V I
C
800
VCE=2V
1.0
IC/IB=100
0.8
600
+100°C
0.6
400
+25°C
0.4
200
-55°C
0.2
0
-55°C
+25°C
+100°C
+150°C
0
1m
10m
100m
1
10
1m
10m
100m
1
10
I
C
- 集电极电流（ A）
h
FE
V I
C
I
C
- 集电极电流（ A）
V
BE （ SAT ）
V I
C
0.9
10
0.6
1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
1us
0.3
-55°C
+25°C
+100°C
+150°C
0.1
0
1m
10m
100m
1
10
0.01
100m
0.1
10
100
IC - 集电极电流（ A）
V
BE（上）
V I
C
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
安全工作区
SMD型
晶体管
PNP硅功率开关晶体管
FCX1151A
特点
2W的功率耗散。
5A峰值脉冲电流。
优良的HFE特性高达5安培。
极低的饱和电压例如60mV的典型。
极低的等效导通电阻。
R
CE （ SAT ）
66m在3A 。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流* 3
基极电流
功耗
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j,
T
英镑
等级
-45
-40
-5
-5
-3
-500
1 *1
2 *2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
* 1推荐P合计使用FR4测量15X15X0.6mm计算
* 2最大功耗来计算假定该设备被安装在FR4
基测40X40X0.6mm
* 3脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300ìs 。占空比
2%
www.kexin.com.cn
1
SMD型
FCX1151A
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极发射极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
I
C
=-100ìA
V
（ BR ） CEO
I
C
=-10mA
V
（ BR ） EBO
I
E
=-100ìA
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CB
=-36V
V
CE
=-32V
V
EB
=-4V
Testconditons
民
-45
-40
-5
晶体管
典型值
最大
单位
V
V
V
-0.3
-0.3
-0.3
-60
-120
-140
-200
-100
-100
-100
-90
-180
-220
-300
nA
nA
nA
集电极 - 发射极饱和电压*
I
C
= -0.1A ，我
B
=-1mA
I
C
= -0.5A ，我
B
=-5mA
V
CE（
SAT ）
I
C
= -1A ，我
B
=-20mA
I
C
= -3A ，我
B
=-250mA
V
BE （
SAT ）I
C
= -3A ，我
B
=-250mA
V
BE （上
) I
C
= -3A ，V
CE
=-2V
I
C
=-10mA,V
CE
=-2V
I
C
=-0.5A,V
CE
=-2V
I
C
=-2A,V
CE
=-2V
I
C
=-3A,V
CE
=-2V
I
C
=-5A,V
CE
=-2V
I
C
= -50mA ，V
CE
= -10V ， F = 50MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
I
C
= -2A ，V
CC
=-30V
I
B1
=I
B2
=-20mA
270
250
180
100
mV
基射极饱和电压*
基射极电压ON *
-985 -1050
-850
450
400
300
190
45
145
40
170
460
-950
800
mV
mV
静态正向电流传输比*
h
FE
过渡频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
*脉冲测试： TP = 300 ;
0.02.
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
兆赫
pF
ns
ns
记号
记号
151
2
www.kexin.com.cn
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
FCX1151A
特点
2W的功率耗散。
5A峰值脉冲电流。
优良的HFE特性高达5安培。
极低的饱和电压例如60mV的典型。
极低的等效导通电阻。
R
CE （ SAT ）
66m在3A 。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流* 3
基极电流
功耗
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j,
T
英镑
等级
-45
-40
-5
-5
-3
-500
1 *1
2 *2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
* 1推荐P合计使用FR4测量15X15X0.6mm计算
* 2最大功耗来计算假定该设备被安装在FR4
基测40X40X0.6mm
* 3脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300ìs 。占空比
2%
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
FCX1151A
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极发射极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
I
C
=-100ìA
V
（ BR ） CEO
I
C
=-10mA
V
（ BR ） EBO
I
E
=-100ìA
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CB
=-36V
V
CE
=-32V
V
EB
=-4V
Testconditons
民
-45
-40
-5
-0.3
-0.3
-0.3
-60
-120
-140
-200
-100
-100
-100
-90
-180
-220
-300
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
集电极 - 发射极饱和电压*
I
C
= -0.1A ，我
B
=-1mA
V
CE（
SAT ）I
C
= -0.5A ，我
B
=-5mA
I
C
= -1A ，我
B
=-20mA
I
C
= -3A ，我
B
=-250mA
V
BE （
SAT ）I
C
= -3A ，我
B
=-250mA
V
BE （上
) I
C
= -3A ，V
CE
=-2V
I
C
=-10mA,V
CE
=-2V
I
C
=-0.5A,V
CE
=-2V
I
C
=-2A,V
CE
=-2V
I
C
=-3A,V
CE
=-2V
I
C
=-5A,V
CE
=-2V
I
C
= -50mA ，V
CE
= -10V ， F = 50MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
I
C
= -2A ，V
CC
=-30V
I
B1
=I
B2
=-20mA
270
250
180
100
mV
基射极饱和电压*
基射极电压ON *
-985 -1050
-850
450
400
300
190
45
145
40
170
460
-950
800
mV
mV
静态正向电流传输比*
h
FE
过渡频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
*脉冲测试： TP = 300 ;
0.02.
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
兆赫
pF
ns
ns
记号
记号
151
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2
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FWP-10B
FST7280SL
FOD2741CT
FMMD2835
FX5545G0082V9T2E2
FTR-C2CB005GB05
FECL6M
FM3104-S
F0810BH
FRX185-60
FMI12N60ES
FS16KMA-5A
FS16KMA5A
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