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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第203页 > FQPF7N65C
FQP7N65C/FQPF7N65C
QFET
FQP7N65C/FQPF7N65C
650V N沟道MOSFET
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，
平面条形， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适用于高效率的开关型电源，
有源功率因数校正，电子镇流器
基于半桥拓扑。
特点
7A ， 650V ，R
DS （ ON）
= 1.4 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型的28 NC）
低的Crss （典型值12pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
D
!
●
▲
●
●
G
!
g DS的
TO-220
FQP系列
GD S
TO-220F
FQPF系列
!
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
FQP7N65C
650
7
4.2
28
FQPF7N65C
7*
4.2 *
28 *
±
30
212
7
1.6
4.5
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
C
= 25°C)
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
160
1.28
-55到+150
300
52
0.42
*漏电流受最高结温。
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，凯斯到水槽典型。
热阻，结到环境
FQP7N65C
0.78
0.5
62.5
FQPF7N65C
2.4
--
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2004仙童半导体公司
版本A ， 2004年5月
FQP7N65C/FQPF7N65C
电气特性
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 650 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 520 V，T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
650
--
--
--
--
--
--
0.8
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.5 A
V
DS
= 40 V，I
D
= 3.5 A
（注4 ）
2.0
--
--
--
1.2
8
4.0
1.4
--
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
955
100
12
1245
130
16
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 520 V，I
D
= 7A,
V
GS
= 10 V
（注4,5）
V
DD
= 325 V，I
D
= 7A,
R
G
= 25
（注4,5）
--
--
--
--
--
--
--
20
50
90
55
28
4.5
12
50
110
190
120
36
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
V
GS
= 0 V，I
S
= 7A
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 7A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
400
3.3
7
28
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
注意事项：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 8mH ，我
AS
= 7A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
图7A中， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
2004仙童半导体公司
版本A ， 2004年5月
FQP7N65C/FQPF7N65C
典型特征
10
1
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
底部： 5.0 V
上图：
10
1
150 C
o
10
0
10
0
25 C
o
-55 C
o
※
注意事项：
1. 250μs的脉冲测试
2. T
C
= 25
℃
※
注意事项：
1. V
DS
= 40V
2. 250μs的脉冲测试
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图1.区域特征
图2.传输特性
3.0
R
DS （ ON）
[ ],
漏源导通电阻
2.5
V
GS
= 10V
2.0
I
DR
，反向漏电流[ A]
10
1
10
0
150
℃
1.5
25
℃
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μs的脉冲测试
V
GS
= 20V
※
注： T = 25
℃
J
1.0
0
5
10
15
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻变化VS
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
2000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
12
V
GS
，栅源电压[V]
1600
10
V
DS
= 130V
V
DS
= 325V
电容[ pF的]
C
国际空间站
1200
8
V
DS
= 520V
C
OSS
800
※
注意;
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
6
4
400
C
RSS
2
※
注：我
D
= 7A
0
-1
10
10
0
10
1
0
0
4
8
12
16
20
24
28
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
2004仙童半导体公司
版本A ， 2004年5月
FQP7N65C/FQPF7N65C
典型特征
（续）
1.2
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 3.5 A
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度
图8.导通电阻变化
与温度
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
1
100
s
1毫秒
10
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
s
100
s
1毫秒
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
0
10毫秒
100毫秒
DC
10
0
10毫秒
DC
10
-1
※
注意事项：
o
1. T
C
= 25 C
o
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
0
1
2
3
10
-1
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
o
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
10
-2
10
10
10
10
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
V
DS
，漏源电压[V]
V
DS
，漏源电压[V]
图9-1 。最大安全工作区
对于FQP7N65C
图9-2 。最大安全工作区
对于FQPF7N65C
8
6
I
D
，漏电流[ A]
4
2
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度[
℃
]
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
2004仙童半导体公司
版本A ， 2004年5月
FQP7N65C/FQPF7N65C
典型特征
（续）
10
0
D = 0 .5
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
0 .2
10
-1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
(t) = 0 .7 8
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
P
DM
t
1
t
2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线FQP7N65C
10
0
D = 0 .5
0 .2
0 .1
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
10
-1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
(t) = 2 .4
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
P
DM
S IN克乐P ü LS ê
t
1
10
-2
t
2
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
图11-2 。瞬态热响应曲线FQPF7N65C
2004仙童半导体公司
版本A ， 2004年5月
FQP7N65C/FQPF7N65C
QFET
FQP7N65C/FQPF7N65C
650V N沟道MOSFET
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，
平面条形， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适用于高效率的开关型电源，
有源功率因数校正，电子镇流器
基于半桥拓扑。
特点
7A ， 650V ，R
DS （ ON）
= 1.4 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型的28 NC）
低的Crss （典型值12pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
D
!
●
▲
●
●
G
!
g DS的
TO-220
FQP系列
GD S
TO-220F
FQPF系列
!
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
FQP7N65C
650
7
4.2
28
FQPF7N65C
7*
4.2 *
28 *
±
30
212
7
1.6
4.5
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
C
= 25°C)
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
160
1.28
-55到+150
300
52
0.42
*漏电流受最高结温。
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，凯斯到水槽典型。
热阻，结到环境
FQP7N65C
0.78
0.5
62.5
FQPF7N65C
2.4
--
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2004仙童半导体公司
版本A ， 2004年5月
FQP7N65C/FQPF7N65C
电气特性
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 650 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 520 V，T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
650
--
--
--
--
--
--
0.8
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.5 A
V
DS
= 40 V，I
D
= 3.5 A
（注4 ）
2.0
--
--
--
1.2
8
4.0
1.4
--
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
955
100
12
1245
130
16
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 520 V，I
D
= 7A,
V
GS
= 10 V
（注4,5）
V
DD
= 325 V，I
D
= 7A,
R
G
= 25
（注4,5）
--
--
--
--
--
--
--
20
50
90
55
28
4.5
12
50
110
190
120
36
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
V
GS
= 0 V，I
S
= 7A
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 7A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
400
3.3
7
28
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
注意事项：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 8mH ，我
AS
= 7A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
图7A中， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
2004仙童半导体公司
版本A ， 2004年5月
FQP7N65C/FQPF7N65C
典型特征
10
1
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
底部： 5.0 V
上图：
10
1
150 C
o
10
0
10
0
25 C
o
-55 C
o
※
注意事项：
1. 250μs的脉冲测试
2. T
C
= 25
℃
※
注意事项：
1. V
DS
= 40V
2. 250μs的脉冲测试
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图1.区域特征
图2.传输特性
3.0
R
DS （ ON）
[ ],
漏源导通电阻
2.5
V
GS
= 10V
2.0
I
DR
，反向漏电流[ A]
10
1
10
0
150
℃
1.5
25
℃
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μs的脉冲测试
V
GS
= 20V
※
注： T = 25
℃
J
1.0
0
5
10
15
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻变化VS
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
2000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
12
V
GS
，栅源电压[V]
1600
10
V
DS
= 130V
V
DS
= 325V
电容[ pF的]
C
国际空间站
1200
8
V
DS
= 520V
C
OSS
800
※
注意;
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
6
4
400
C
RSS
2
※
注：我
D
= 7A
0
-1
10
10
0
10
1
0
0
4
8
12
16
20
24
28
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
2004仙童半导体公司
版本A ， 2004年5月
FQP7N65C/FQPF7N65C
典型特征
（续）
1.2
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 3.5 A
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度
图8.导通电阻变化
与温度
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
1
100
s
1毫秒
10
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
s
100
s
1毫秒
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
0
10毫秒
100毫秒
DC
10
0
10毫秒
DC
10
-1
※
注意事项：
o
1. T
C
= 25 C
o
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
0
1
2
3
10
-1
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
o
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
10
-2
10
10
10
10
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
V
DS
，漏源电压[V]
V
DS
，漏源电压[V]
图9-1 。最大安全工作区
对于FQP7N65C
图9-2 。最大安全工作区
对于FQPF7N65C
8
6
I
D
，漏电流[ A]
4
2
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度[
℃
]
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
2004仙童半导体公司
版本A ， 2004年5月
FQP7N65C/FQPF7N65C
典型特征
（续）
10
0
D = 0 .5
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
0 .2
10
-1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
(t) = 0 .7 8
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
P
DM
t
1
t
2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线FQP7N65C
10
0
D = 0 .5
0 .2
0 .1
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
10
-1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
(t) = 2 .4
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
P
DM
S IN克乐P ü LS ê
t
1
10
-2
t
2
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
图11-2 。瞬态热响应曲线FQPF7N65C
2004仙童半导体公司
版本A ， 2004年5月
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