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FDS6890A

1999年11月

FDS6890A

双N沟道2.5V指定的PowerTrench

MOSFET

概述

这些N沟道2.5V指定的MOSFET是

利用飞兆半导体先进的生产

已特别定制的PowerTrench工艺

最大限度地减少通态电阻，但保持

低栅极电荷为出色的开关性能。

特点

7.5 A， 20 V

DS （ ON）

= 0.018

@ V

= 4.5 V

DS （上

)

= 0.022

@ V

= 2.5 V.

低栅极电荷（ 23nC典型值）。

快速开关速度。

高性能沟道技术极

低R

DS （上

)

应用

DC / DC转换器

电机驱动

高功率和电流处理能力。

针

SO-8

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

=25

C除非另有说明

参数

评级

±8

（注1A ）

单位

7.5

2.0

功耗双操作

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

1.6

1.0

0.9

-55到+150

°C

, T

英镑

工作和存储结温范围

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS6890A

设备

FDS6890A

带尺寸

TAPE W ID

12mm

QUANTITY

2500台

1999

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDS6890A版本C

FDS6890A

电气特性

符号

DSS

ΔBV

DSS

GSSF

GSSR

= 25°C除非另有说明

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，

前锋

门体漏电流，

反向

（注2 ）

测试条件

= 0 V，I

= 250

参考25 ℃下

= 16 V, V

= 0 V

= 8 V, V

= 0 V

= -8 V, V

= 0 V

民

典型值

最大单位

开关特性

100

-100

毫伏/°C的

基本特征

GS （ TH）

DS （ ON）

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

通态漏电流

正向跨导

= V

, I

= 250

参考25 ℃下

= 4.5 V，I

=7.5 A

= 4.5 V，I

= 7.5 A，T

=125°C

= 2.5 V，I

=6.5 A

= 10 V, V

= 5 V

= 5 V，I

= 7.5 A

0.5

0.8

-3.5

0.013

0.021

0.016

1.5

毫伏/°C的

0.018

0.034

0.022

D（上）

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

（注2 ）

= 10 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

2130

545

270

开关特性

D（上）

D（关闭）

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= 10 V，I

= 1 A,

= 4.5 V ，R

根

= 6

= 10 V，I

= 7.5 A,

= 4.5 V,

3.2

4.4

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

电压

= 0 V，I

= 1.3 A

（注2 ）

1.3

0.65

1.2

注意事项：

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为焊接安装

的漏极引脚表面。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

一） 78 ° C / W时，

安装在一个0.5

垫的2盎司铜。

B） 125 ° C / W时，

安装在一个0.02

垫的2盎司铜。

C） 135 ° C / W时，

安装在一个最小焊盘。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

FDS6890A版本C

FDS6890A

典型特征

（续）

2.0V

1.8

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

=4.5V

2.5V

，漏源电流（A ）

1.6

=1.8V

2.0V

1.8V

1.4

2.5V

3.0V

3.5V

4.5

1.2

1.5V

0.5

1.5

2.5

0.8

，漏源电压（V ）

，漏电流（ A）

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

1.8

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

-50

-25

100

0.05

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

= 7.5A

= 4.5V

=3.8A

0.04

0.03

= 125 C

= 25 C

0.01

0.02

125

150

，结温（ C）

，门源电压（ V）

图3.导通电阻变化

withTemperature 。

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

= 5V

，漏电流（ A）

125 C

，反向漏电流（ A）

= -55 C

100

25 C

0.1

0.01

0.001

0.0001

=125 C

25 C

-55 C

0.5

1.5

2.5

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

，门源电压（ V）

，体二极管电压（ V）

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度。

FDS6890A版本C

FDS6890A

典型特征

（续）

，栅源电压（V ）

= 7.5A

= 5V

10V

3200

F = 1 MHz的

= 0 V

电容（pF）

15V

2400

国际空间站

1600

800

OSS

RSS

，栅极电荷（ NC）

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性。

图8.电容特性。

100

DS （ ON）

极限

，漏电流（ A）

10ms

10s

= 10V

单脉冲

θJA

= 135℃ / W

= 25 C

0.01

0.1

100

，漏源电压（V ）

100s

1ms

100ms

0.01

单PUL SE

J A

= 13 5℃ / W

= 25 C

0.1

功率（W）的

0.1

0.5

50 100

300

单脉冲时间（秒）

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大

功耗。

牛逼RANSIENT热阻

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

.005

.002

.001

0. 001

.001

0.01

0.1

，时间（S EC）

D = 0 .5

0 .2

0 .1

0 5

P （P K）

0 2

0 1

■在克乐P UL发E

R（T ， NO RMAL化的EFF牛逼

)

EC IVE

（ T）= R（T * R

)

135

C / W

- T

= P * R

JA （T ）

ü吨 C L E，D = T

100

300

图11.瞬态热响应曲线。

热特性进行使用注1c中所述的条件。

瞬态themal响应将取决于电路板的设计变化。

FDS6890A版本C

SO- 8磁带和卷轴数据和封装尺寸

SOIC （ 8lds ）包装

CON组fi guration ：

图1.0

包装说明：

EL ECT ROST AT IC

SEN SIT IVE器件

DO不要选丁字施P或STO RE EAR ST RO吴EL ECT ROST AT IC

EL ECT RO M AGN ETI C，M AG NET IC ORR ADIO ACT IVE FI ELD S

TNR ATE

PT NUMB ER

PEEL STREN GTH MIN ___ __ ____ __ ___gms

MAX ___ ___ ___ ___ _克

防静电盖带

防静电标签

SOIC - 8零件运胶带。载带是

从耗散取得（碳填写）聚碳酸酯

树脂。盖带是一种多层膜（热激活

粘合剂的性质），主要由聚酯薄膜，

粘合剂层，密封剂和防静电喷洒剂。

在标准选项，这些摇摇晃晃的部分是随

2500个单位13"或330厘米卷筒直径。卷轴是

深蓝色的颜色，是由聚苯乙烯塑料（抗

静电涂层）。其他选项来在500个单位或7"

177厘米卷筒直径。这与一些其他选项是

在包装信息表中进一步描述。

这些完整卷轴是单独的条码标签和

放置在一个标准的中间框（示于

图1.0 ）制成的可回收瓦楞纸牛皮纸。

一箱最多包含两个卷轴。而这些盒子

放在里面的条形码标签包装箱其中

有不同的大小取决于零件的数量

出货。

静电消散

压纹载带

F63TNR

LABEL

定制

LABEL

F852

NDS

9959

F852

NDS

9959

F852

NDS

9959

F852

NDS

9959

SOIC （ 8lds ）包装信息

包装选项

包装类型

每卷/管材/袋数量

带尺寸

箱尺寸（mm ）

每箱数量最多

每单位重量（克）

每卷重量（kg ）

注/评论

标准

（无流量代码）

TNR

2,500

13"迪亚

343x64x343

5,000

0.0774

0.6060

L86Z

铁路/地铁

530x130x83

30,000

0.0774

F011

TNR

4,000

13"迪亚

343x64x343

8,000

0.0774

0.9696

D84Z

TNR

500

7"迪亚

184x187x47

1,000

0.0774

0.1182

F852

NDS

9959

销1

SOIC - 8单元定位

343毫米X 342毫米X 64毫米

标准的中级箱

防静电标签

F63TNR标签样本

LOT ： CBVK741B019

FSID ： FDS9953A

数量： 2500

产品规格：

F63TNLabel

F63TN标签

防静电标签

(F63TNR)3

D / C1 ： D9842

D / C2 ：

QTY1 ：

QTY2 ：

SPEC REV ：

CPN ：

N / F： F

SOIC （ 8lds ）带片头和片尾

CON组fi guration ：

图2.0

载带

盖带

组件

拖车带

640毫米最小或

80皆空

引导带

1680毫米最小或

210皆空

1999年7月，修订版A