FMM5815GJ-1
17.7-19.7GHz功率放大器MMIC
特点
高输出功率的P1dB = 31dBm的（典型值）
高增益： G1dB = 20分贝（典型值）
高PAE ：
η
添加= 25 ％ （典型值）。
阻抗匹配寻/ ZOUT = 50Ω
0.25微米pHEMT技术
描述
该FMM5815GJ是一个打包的，高增益，高线性度，
放大器，专为the17.7-19.7GHz操作
频率范围。该放大器具有输入和输出
设计用于在50Ω systems.This装置中使用是非常适合于
点 - 点通信应用。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
输入功率
储存温度
工作温度
符号
VDD
VGG
针
TSTG
顶部
条件
等级
10
-7.0
22
-55到+125
-40至+85
单位
V
V
DBM
°C
°C
富士通建议砷化镓场效应管的长期可靠运行下列条件：
1.漏极 - 源极的工作电压（VDD）应不超过6伏。
电气特性（环境温度Tc = 25 ° C）
项
频带
输出功率1分贝G.C.P.
功率增益为1分贝G.C.P.
漏电流在1分贝G.C.P.
栅电流在1分贝G.C.P.
功率附加效率为1分贝G.C.P.
输入回波损耗
输出回波损耗
三阶互调
失真
符号
f
P
1dB
G
1dB
Iddrf
Iggrf
η
添加
RLIN
RLOUT
IM3
f
= 10MHz时， 2音测试，
噘嘴= 20dBm的S.C.L.
VDD = 6V
VGG = -5V
F = 17.7 19.7GHz
国际直拨电话
=
600毫安（典型值）。
ZS = ZL = 50Ω
条件
范围
分钟。典型值。马克斯。
17.7
29
18
-
-
-
-
-
-30
-
31
20
800
-12
25
-10
-6
-35
19.7
-
23
950
-15
-
-
-
-
单位
GHz的
DBM
dB
mA
mA
%
dB
dB
dBc的
类型：
GJ
GCP ：增益压缩点， SCL ：单载波水平
1.1版
2002年4月
1
FMM5815GJ-1
17.7-19.7GHz功率放大器MMIC
输出功率与频率的关系
VDD = 6V
VGG = -5V
的P1dB ， G1dB与VDD
VDD = 6V ， VGG = -5V
34
32
输出功率（dBm ）
30
28
26
24
22
20
18
16
17.7GHz的P1dB
18.7GHz的P1dB
19.7GHz的P1dB
P1dB
17.7GHz G1dB
18.7GHz G1dB
19.7GHz G1dB
34
的P1dB （ dBm的） ， G1dB （ dB）的
32
30
28
26
24
22
20
G1dB
P1dB
8dBm
6dBm
4dBm
2dBm
0dBm
-2dBm
18
17.5
18.0
18.5
19.0
19.5
20.0
4
5
Vdd的（V）的
6
频率（GHz ）
输出功率&
η
加上随输入功率
34
VDD = 6V
32
VGG = -5V
17.7GHz噘
18.7GHz噘
30
19.7GHz噘
17.7GHz
η
添加
28
18.7GHz
η
添加
19.7GHz
η
添加
IM3 ， IM5与输出功率
-20
V
DD = 6V
VGG = -5V
f
= 10MHz时
-30
17.7GHz IM3
18.7GHz IM3
19.7GHz IM3
17.7GHz IM5
-40
18.7GHz IM5
19.7GHz IM5
噘
IM3 （ DBC） ， IM5 （ DBC）
35
30
η
添加
输出功率（dBm ）
IM3
IM5
24
22
20
18
16
-2
0
2
4
6
8
η
增加（ ％ ）
26
25
20
15
10
5
-50
-60
10 12
14
0
15
17
19
21
23
25
27
总输出功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
2
FMM5815GJ-1
17.7-19.7GHz功率放大器MMIC
S-参数
VDD = 6V ， VGG = -5V
频率
（兆赫）
17200
17500
17700
17900
18000
18200
18400
18600
18800
19000
19200
19400
19500
19700
20000
20200
S11
MAG
.081
.180
.245
.302
.325
.362
.385
.399
.401
.398
.389
.389
.393
.426
.472
.475
S21
昂
MAG
11.021
11.546
11.715
11.777
11.800
11.806
11.909
12.029
12.277
12.279
11.980
11.273
10.899
10.202
9.167
8.445
S12
昂
MAG
.003
.004
.004
.004
.004
.004
.004
.004
.005
.005
.005
.005
.005
.004
.002
.001
S22
昂
MAG
.287
.319
.340
.362
.369
.392
.408
.418
.415
.398
.366
.331
.315
.293
.315
.315
昂
-63.7
-105.9
-135.6
-165.2
-179.8
152.9
127.2
103.2
80.2
59.4
41.2
26.5
21.7
14.7
0.5
-13.6
19.3
-51.5
-81.8
-109.7
-123.5
-150.8
-179.4
150.9
117.4
80.6
39.8
-2.2
-23.0
-62.2
-117.1
-150.8
-38.3
-94.5
-132.5
-170.0
171.3
134.1
97.1
59.7
21.3
-18.5
-59.5
-99.4
-119.4
-157.6
145.1
107.3
-44.6
-83.3
-105.2
-135.1
-143.3
-176.7
160.5
133.8
108.7
81.8
53.1
22.3
-1.8
-40.2
-94.2
-143.2
下载S参数，请点击这里
推荐的偏置电路
1000pF
50
VGG
VDD
50
1000pF
3
2
RFIN
1
1000pF
50
4
5
RFOUT
6
50
1000pF
VGG
VDD
注1：的R / C网络被推荐的偏置电源线，接近
包，以防止视频振荡可能损坏模块。
注2 ：偏置点VDD可以在输入端或在输出端被连接：
这两个引脚VDD命名的内部连接。这同样适用于VGG 。
3
FMM5815GJ-1
17.7-19.7GHz功率放大器MMIC
机箱样式"GJ"
金属陶瓷密封封装
6-0.3
(0.012)
4-R 1.2±0.15
(0.047)
3.5最大。
(0.137)
1.3±0.15
(0.051)
3
11±0.15
(0.433)
15
(0.591)
7
(0.276)
3.8
(0.149)
4
5
6
7
(0.276)
0.9
(0.035)
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
VDD
RFIN
VGG
VGG
RFOUT
VDD
GND （车身）
单位：mm （英寸）
2
1
7
指数
1Min.
(0.039)
6±0.15
(0.236)
12±0.15
(0.472)
欲了解更多信息，请联系：
富士通化合物半导体股份有限公司。
2355 Zanker路。
加利福尼亚州圣何塞， 95131-1138 ， U.S.A.
电话： （ 408 ） 232-9500
传真： （ 408 ） 428-9111
www.fcsi.fujitsu.com
富士通量子器件EUROPE LTD 。
网络之家
Norreys驱动器
梅登黑德，伯克希尔SL6 4FJ
电话： +44 （ 0 ） 1628 504800
传真： +44 （ 0 ） 1628 504888
小心
富士通化合物半导体的产品包含
砷化镓
砷化镓（GaAs ）
这会危害人体和环境。
为安全起见，请遵循以下步骤：
不要摄取。
不要改变这个产品的形式转化为气体，粉末或液体
通过燃烧，粉碎，或化学处理，因为这些副产物
是危险的，如果吸入，食入，或吞食人体。
遵守政府的法律和丢弃这个时候公司规定
产品。该产品必须按照方法被丢弃
适用危险废物的程序规定。
富士通公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
信息不转达根据富士通公司或他人的权利的任何许可。
2002富士通化合物半导体股份有限公司。
美国印刷FCSI0402M200
4
FMM5815GJ-1
17.7-19.7GHz功率放大器MMIC
特点
高输出功率的P1dB = 31dBm的（典型值）
高增益： G1dB = 20分贝（典型值）
高PAE ：
η
添加= 25 ％ （典型值）。
阻抗匹配寻/ ZOUT = 50Ω
0.25微米pHEMT技术
描述
该FMM5815GJ是一个打包的，高增益，高线性度，
放大器，专为the17.7-19.7GHz操作
频率范围。该放大器具有输入和输出
设计用于在50Ω systems.This装置中使用是非常适合于
点 - 点通信应用。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
输入功率
储存温度
工作温度
符号
VDD
VGG
针
TSTG
顶部
条件
等级
10
-7.0
22
-55到+125
-40至+85
单位
V
V
DBM
°C
°C
富士通建议砷化镓场效应管的长期可靠运行下列条件：
1.漏极 - 源极的工作电压（VDD）应不超过6伏。
电气特性（环境温度Tc = 25 ° C）
项
频带
输出功率1分贝G.C.P.
功率增益为1分贝G.C.P.
漏电流在1分贝G.C.P.
栅电流在1分贝G.C.P.
功率附加效率为1分贝G.C.P.
输入回波损耗
输出回波损耗
三阶互调
失真
符号
f
P
1dB
G
1dB
Iddrf
Iggrf
η
添加
RLIN
RLOUT
IM3
f
= 10MHz时， 2音测试，
噘嘴= 20dBm的S.C.L.
VDD = 6V
VGG = -5V
F = 17.7 19.7GHz
国际直拨电话
=
600毫安（典型值）。
ZS = ZL = 50Ω
条件
范围
分钟。典型值。马克斯。
17.7
29
18
-
-
-
-
-
-30
-
31
20
800
-12
25
-10
-6
-35
19.7
-
23
950
-15
-
-
-
-
单位
GHz的
DBM
dB
mA
mA
%
dB
dB
dBc的
类型：
GJ
GCP ：增益压缩点， SCL ：单载波水平
1.1版
2002年4月
1
FMM5815GJ-1
17.7-19.7GHz功率放大器MMIC
输出功率与频率的关系
VDD = 6V
VGG = -5V
的P1dB ， G1dB与VDD
VDD = 6V ， VGG = -5V
34
32
输出功率（dBm ）
30
28
26
24
22
20
18
16
17.7GHz的P1dB
18.7GHz的P1dB
19.7GHz的P1dB
P1dB
17.7GHz G1dB
18.7GHz G1dB
19.7GHz G1dB
34
的P1dB （ dBm的） ， G1dB （ dB）的
32
30
28
26
24
22
20
G1dB
P1dB
8dBm
6dBm
4dBm
2dBm
0dBm
-2dBm
18
17.5
18.0
18.5
19.0
19.5
20.0
4
5
Vdd的（V）的
6
频率（GHz ）
输出功率&
η
加上随输入功率
34
VDD = 6V
32
VGG = -5V
17.7GHz噘
18.7GHz噘
30
19.7GHz噘
17.7GHz
η
添加
28
18.7GHz
η
添加
19.7GHz
η
添加
IM3 ， IM5与输出功率
-20
V
DD = 6V
VGG = -5V
f
= 10MHz时
-30
17.7GHz IM3
18.7GHz IM3
19.7GHz IM3
17.7GHz IM5
-40
18.7GHz IM5
19.7GHz IM5
噘
IM3 （ DBC） ， IM5 （ DBC）
35
30
η
添加
输出功率（dBm ）
IM3
IM5
24
22
20
18
16
-2
0
2
4
6
8
η
增加（ ％ ）
26
25
20
15
10
5
-50
-60
10 12
14
0
15
17
19
21
23
25
27
总输出功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
2
FMM5815GJ-1
17.7-19.7GHz功率放大器MMIC
S-参数
VDD = 6V ， VGG = -5V
频率
（兆赫）
17200
17500
17700
17900
18000
18200
18400
18600
18800
19000
19200
19400
19500
19700
20000
20200
S11
MAG
.081
.180
.245
.302
.325
.362
.385
.399
.401
.398
.389
.389
.393
.426
.472
.475
S21
昂
MAG
11.021
11.546
11.715
11.777
11.800
11.806
11.909
12.029
12.277
12.279
11.980
11.273
10.899
10.202
9.167
8.445
S12
昂
MAG
.003
.004
.004
.004
.004
.004
.004
.004
.005
.005
.005
.005
.005
.004
.002
.001
S22
昂
MAG
.287
.319
.340
.362
.369
.392
.408
.418
.415
.398
.366
.331
.315
.293
.315
.315
昂
-63.7
-105.9
-135.6
-165.2
-179.8
152.9
127.2
103.2
80.2
59.4
41.2
26.5
21.7
14.7
0.5
-13.6
19.3
-51.5
-81.8
-109.7
-123.5
-150.8
-179.4
150.9
117.4
80.6
39.8
-2.2
-23.0
-62.2
-117.1
-150.8
-38.3
-94.5
-132.5
-170.0
171.3
134.1
97.1
59.7
21.3
-18.5
-59.5
-99.4
-119.4
-157.6
145.1
107.3
-44.6
-83.3
-105.2
-135.1
-143.3
-176.7
160.5
133.8
108.7
81.8
53.1
22.3
-1.8
-40.2
-94.2
-143.2
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推荐的偏置电路
1000pF
50
VGG
VDD
50
1000pF
3
2
RFIN
1
1000pF
50
4
5
RFOUT
6
50
1000pF
VGG
VDD
注1：的R / C网络被推荐的偏置电源线，接近
包，以防止视频振荡可能损坏模块。
注2 ：偏置点VDD可以在输入端或在输出端被连接：
这两个引脚VDD命名的内部连接。这同样适用于VGG 。
3
FMM5815GJ-1
17.7-19.7GHz功率放大器MMIC
机箱样式"GJ"
金属陶瓷密封封装
6-0.3
(0.012)
4-R 1.2±0.15
(0.047)
3.5最大。
(0.137)
1.3±0.15
(0.051)
3
11±0.15
(0.433)
15
(0.591)
7
(0.276)
3.8
(0.149)
4
5
6
7
(0.276)
0.9
(0.035)
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
VDD
RFIN
VGG
VGG
RFOUT
VDD
GND （车身）
单位：mm （英寸）
2
1
7
指数
1Min.
(0.039)
6±0.15
(0.236)
12±0.15
(0.472)
欲了解更多信息，请联系：
富士通化合物半导体股份有限公司。
2355 Zanker路。
加利福尼亚州圣何塞， 95131-1138 ， U.S.A.
电话： （ 408 ） 232-9500
传真： （ 408 ） 428-9111
www.fcsi.fujitsu.com
富士通量子器件EUROPE LTD 。
网络之家
Norreys驱动器
梅登黑德，伯克希尔SL6 4FJ
电话： +44 （ 0 ） 1628 504800
传真： +44 （ 0 ） 1628 504888
小心
富士通化合物半导体的产品包含
砷化镓
砷化镓（GaAs ）
这会危害人体和环境。
为安全起见，请遵循以下步骤：
不要摄取。
不要改变这个产品的形式转化为气体，粉末或液体
通过燃烧，粉碎，或化学处理，因为这些副产物
是危险的，如果吸入，食入，或吞食人体。
遵守政府的法律和丢弃这个时候公司规定
产品。该产品必须按照方法被丢弃
适用危险废物的程序规定。
富士通公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
信息不转达根据富士通公司或他人的权利的任何许可。
2002富士通化合物半导体股份有限公司。
美国印刷FCSI0402M200
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