FQP32N12V2/FQPF32N12V2
QFET
FQP32N12V2/FQPF32N12V2
120V N沟道MOSFET
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，
平面条形， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适合用于DC到DC转换器， sychronous整流，
和其他应用最低的Rds（on ）是必需的。
特点
32 A， 120 V ，R
DS （ ON）
= 0.05 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型的41 NC）
低的Crss （典型值70 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
D
!
●
▲
●
●
G
!
g DS的
TO-220
FQP系列
GD S
TO-220F
FQPF系列
!
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
FQP32N12V2
120
32
23
128
FQPF32N12V2
32 *
23 *
128 *
±
30
439
32
15
4.5
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
C
= 25°C)
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
150
1
-55到+175
300
50
0.33
*漏电流受最高结温。
热特性
符号
R
θJC
R
θJS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，凯斯到水槽典型。
热阻，结到环境
FQP32N12V2
1.0
40
62.5
FQPF32N12V2
3.0
--
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2003仙童半导体公司
版本A 2003年12月
FQP32N12V2/FQPF32N12V2
典型特征
（续）
Z
θ
（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E
10
0
D = 0 .5
0 .2
10
-1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
= 1 .0
℃
/ W M A X 。
(t)
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
P
DM
t
1
S IN克乐P ü LS ê
JC
10
-2
t
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]
图11-1 。瞬态热响应曲线FQP32N12V2
Z
θ
（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E
D = 0 .5
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
10
-1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
= 3 .0
℃
/ W M A X 。
(t)
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
JC
P
DM
t
1
t
2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]
图11-2 。瞬态热响应曲线FQPF32N12V2
2003仙童半导体公司
版本A 2003年12月
FQP32N12V2/FQPF32N12V2
QFET
FQP32N12V2/FQPF32N12V2
120V N沟道MOSFET
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，
平面条形， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适合用于DC到DC转换器， sychronous整流，
和其他应用最低的Rds（on ）是必需的。
特点
32 A， 120 V ，R
DS （ ON）
= 0.05 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型的41 NC）
低的Crss （典型值70 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
D
!
●
▲
●
●
G
!
g DS的
TO-220
FQP系列
GD S
TO-220F
FQPF系列
!
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
FQP32N12V2
120
32
23
128
FQPF32N12V2
32 *
23 *
128 *
±
30
439
32
15
4.5
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
C
= 25°C)
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
150
1
-55到+175
300
50
0.33
*漏电流受最高结温。
热特性
符号
R
θJC
R
θJS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，凯斯到水槽典型。
热阻，结到环境
FQP32N12V2
1.0
40
62.5
FQPF32N12V2
3.0
--
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2003仙童半导体公司
版本A 2003年12月
FQP32N12V2/FQPF32N12V2
典型特征
（续）
Z
θ
（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E
10
0
D = 0 .5
0 .2
10
-1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
= 1 .0
℃
/ W M A X 。
(t)
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
P
DM
t
1
S IN克乐P ü LS ê
JC
10
-2
t
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]
图11-1 。瞬态热响应曲线FQP32N12V2
Z
θ
（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E
D = 0 .5
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
10
-1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
= 3 .0
℃
/ W M A X 。
(t)
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
JC
P
DM
t
1
t
2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]
图11-2 。瞬态热响应曲线FQPF32N12V2
2003仙童半导体公司
版本A 2003年12月
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