【FHC40LG超低噪声HEMT特点低噪声系数： 0.3分贝（典型值） @ F = 4GHz的高相关的】,IC型号FHC40LG,FHC40LG PDF资料,FHC40LG经销商,ic,电子元器件-51电子网

FHC40LG

超低噪声HEMT

特点

低噪声系数： 0.3分贝（典型值） @ F = 4GHz的

高相关的增益： 15.5分贝（典型值） @ F = 4GHz的

了Lg

≤

0.15μm的中，WG = 280μm

黄金门金属化的高可靠性

性价比高陶瓷微带（ SMT ）封装

磁带和卷轴可用

描述

该FH40LG是一个超级高电子迁移率晶体管

（ SuperHEMT ），用于一般用途，超低噪声和

高增益放大器在2-12GHz的频率范围。该装置是

包装在具有成本效益的，低寄生的，密封的

金属陶瓷封装的高容量电信，星展银行，

TVRO ， VSAT或其它低噪声应用。

富士通的严格的质量保证计划，保证最高

可靠性和一致的性能。

绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）

项

漏源电压

栅源电压

总功耗

储存温度

通道温度

注意：

安装在氧化铝板（ 30 ×30× 0.65毫米）

富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：

1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）应不超过2伏。

2.正向和反向栅极电流不应超过0.2和-0.075毫安分别与

4000Ω的栅极电阻。

3.工作通道温度（ TCH）不应超过80 ℃。

符号

VDS

VGS

P合计

TSTG

总胆固醇

条件

等级

3.5

-3.0

单位

°C

记

290

-65到+175

175

电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）

项

饱和漏极电流

跨

捏-O FF电压

门源击穿电压

噪声系数

相关的增益

热阻

可用表壳款式：

注意：

RF参数LG设备以抽样方式测量如下：

很多数量。

样本数量。

125

200

315

500

接受/拒绝

(0,1)

(1,2)

符号

IDSS

VGSO

气

RTH

条件

VDS = 2V ， VGS = 0V

VDS = 2V ， IDS = 10毫安

VDS = 2V ， IDS = 1毫安

IGS = -10μA

分钟。

-0.1

-3.0

极限

典型值。马克斯。

-1.0

0.30

15.5

220

-2.0

0.40

300

单位

° C / W

VDS = 2V ， IDS = 10毫安，

F = 4GHz的

14.0

渠道情况

1200

1201

3201

10001

少

3200

10000

过度

1.1版

1999年7月

FHC40LG

超低噪声HEMT

功率降额曲线

300

总功率耗散（ mW）的

250

200

150

100

150

200

环境温度（ ℃）

漏极电流与漏源电压

VGS = 0V

漏极电流（mA ）

-0.2V

-0.4V

-0.6V

-0.8V

-1.0V

漏源极电压（ V）

FHC40LG

超低噪声HEMT

典型噪声系数圆

+j50

+j100

+j25

0.5

+j10

3.0dB

1.5

2.0

2.5

100

250

1.0

+j250

选择

-j10

-j250

-j25

-j50

-j100

f=4GHz

VDS=2V

IDS=10mA

Γopt=0.87∠57°

Rn/50=0.18

NFmin=0.30dB

噪声参数

VDS = 2V ，IDS = 10毫安

频率。

（千兆赫）

Γopt

（ MAG ）

（ ANG）

0.86

0.87

0.86

0.81

0.74

0.63

0.49

0.33

0.13

31.0

57.0

83.0

108.0

132.0

156.0

179.0

-158.0

-136.0

NFmin

（ dB）的

0.28

0.30

0.34

0.39

0.47

0.55

0.67

0.81

1.00

嘎（ max）和| S21 |与频率的关系

Rn/50

0.19

0.18

0.13

0.09

0.05

0.03

0.04

0.07

0.11

增益（dB ）

嘎（最大值）

VDS=2V

IDS=10mA

|S21|

8 1012 18 20

频率（GHz ）

FHC40LG

超低噪声HEMT

+j50

+j100

+j25

S11

S22

+90°

S21

S12

18GHZ

+j250

1GHz

+j10

18GHZ

100

1GHz

250

1GHz

180°

0.08 0.06 0.04 0.02

0°

量表| S12 |

-j10

-j250

-j25

-j50

-j100

-90°

S-参数

VDS = 2V ，IDS = 10毫安

频率

（千兆赫）

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

10.0

11.0

12.0

13.0

14.0

15.0

16.0

17.0

18.0

S11

MAG

0.980

0.942

0.887

0.838

0.786

0.742

0.705

0.672

0.651

0.633

0.611

0.595

0.588

0.579

0.569

0.555

0.536

0.525

S21

昂

-20.6

-40.7

-59.4

-76.9

-93.2

-108.3

-122.1

-133.7

-143.9

-153.9

-164.1

-174.8

176.0

167.6

159.3

150.5

140.3

129.9

S12

昂

159.7

140.7

122.6

105.8

89.9

74.9

60.6

47.6

35.8

23.7

11.8

0.0

-11.6

-23.0

-34.6

-46.6

-59.4

-72.6

量表| S21 |

18GHZ

S22

昂

75.8

61.6

49.5

38.5

28.5

20.2

12.9

7.2

3.2

-0.2

-2.9

-5.1

-6.7

-7.9

-10.1

-12.9

-17.0

-22.4

MAG

5.620

5.401

5.051

4.685

4.334

3.984

3.654

3.340

3.110

2.954

2.786

2.641

2.518

2.412

2.342

2.290

2.272

2.233

MAG

0.017

0.033

0.045

0.054

0.060

0.063

0.062

0.061

0.059

0.058

0.057

0.058

0.059

0.060

MAG

0.541

0.523

0.501

0.480

0.461

0.448

0.449

0.463

0.481

0.498

0.513

0.535

0.562

0.597

0.634

0.667

0.697

0.727

昂

-17.8

-35.0

-51.2

-66.6

-81.3

-95.4

-108.9

-120.3

-130.1

-138.8

-147.6

-157.0

-165.3

-172.8

-179.7

173.6

166.4

158.8

下载S参数，请点击这里

FHC40LG

超低噪声HEMT

机箱样式"LG"

金属陶瓷密封封装

4.78±0.5

1.5±0.3

(0.059)

1.78±0.15 1.5±0.3

(0.07)

(0.059)

1.5±0.3

(0.059)

1.0

(0.039)

1.78±0.15 1.5±0.3

(0.07)

(0.059)

4.78±0.5

0.5

(0.02)

1.3最大

(0.051)

0.1

(0.004)

门

来源

漏

来源

单位：mm （英寸）

欲了解更多信息，请联系：

富士通化合物半导体股份有限公司。

2355 Zanker路。

加利福尼亚州圣何塞， 95131-1138 ， U.S.A.

电话：（ 408 ） 232-9500

传真：（ 408 ） 428-9111

www.fcsi.fujitsu.com

富士通微电子有限公司。

化合物半导体事业部

网络之家

Norreys驱动器

梅登黑德，伯克希尔SL6 4FJ

电话： +44 （ 0 ） 1628 504800

传真： +44 （ 0 ） 1628 504888

小心

富士通化合物半导体的产品包含

砷化镓

砷化镓（GaAs ）

这会危害人体和环境。

为安全起见，请遵循以下步骤：

不要将这些产品放入口中。

不要改变这个产品的形式转化为气体，粉末或液体

通过燃烧，粉碎，或化学处理，因为这些副产物

是危险的，如果吸入，食入，或吞食人体。

遵守政府的法律和丢弃这个时候公司规定

产品。该产品必须按照方法被丢弃

适用危险废物的程序规定。

富士通公司保留更改产品规格，恕不另行通知。

信息不转达根据富士通公司或他人的权利的任何许可。

1998富士通化合物半导体股份有限公司。

美国印刷FCSI0598M200

SuperHEMT

是富士通株式会社的商标。

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5000刚到

SMD

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15000

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FHC40LG

FAIRCHIL

14+

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√ 欧美㊣品

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9848

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