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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第6页 > FQD20N06L
FQD20N06L / FQU20N06L
2001年5月
QFET
FQD20N06L / FQU20N06L
LOGIC 60V N沟道MOSFET
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，
平面条形， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适用于低电压应用，例如汽车，直流/
DC转换器，以及高效率的电源开关
管理在便携式和电池供电产品。
TM
特点
17.2A ， 60V ，R
DS （ ON）
= 0.06 @ V
GS
= 10V
低栅极电荷（典型值9.5 NC）
低的Crss （典型值35 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
150
o
C的最高结温额定值
低的水平栅极驱动要求可直接
操作形式逻辑驱动器
D
D
!
＆ QUOT ;
G
!
G
S
！ "
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
D- PAK
FQD系列
I- PAK
摹 S
FQU系列
!
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
FQD20N06L / FQU20N06L
60
17.2
10.9
68.8
±
20
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
A
= 25°C) *
功率耗散（T
C
= 25°C)
170
17.2
3.8
7.0
2.5
38
0.30
-55到+150
300
T
J
, T
英镑
T
L
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境*
热阻，结到环境
典型值
--
--
--
最大
3.28
50
110
单位
° C / W
° C / W
° C / W
*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）
2001仙童半导体公司
修订版A1 。 2001年5月
FQD20N06L / FQU20N06L
电气特性
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
60
--
--
--
--
--
--
0.06
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.6 A
V
GS
= 5 V，I
D
= 8.6 A
V
DS
= 25 V，I
D
= 8.6 A
（注4 ）
1.0
--
--
--
--
0.046
0.057
11
2.5
0.06
0.075
--
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
480
175
35
630
230
45
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 48 V，I
D
= 21 A,
V
GS
= 5 V
（注4,5）
V
DD
= 30 V，I
D
= 10.5 A,
R
G
= 25
（注4,5）
--
--
--
--
--
--
--
10
165
35
70
9.5
2.5
5.5
30
340
80
150
13
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
V
GS
= 0 V，I
S
= 17.2 A
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
F
= 21 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
54
75
17.2
68.8
1.5
--
--
A
A
V
ns
nC
注意事项：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 670μH ，我
AS
= 17.2A ，V
DD
= 25V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
21A ， di / dt的
≤
300A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
2001仙童半导体公司
修订版A1 。 2001年5月
FQD20N06L / FQU20N06L
典型特征
I
D
，漏电流[ A]
10
1
I
D
，漏电流[ A]
V
GS
10.0 V
8.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
底部： 3.0 V
上图：
10
1
10
0
150
℃
25
℃
-55
℃
※
注意事项：
1. V
DS
= 25V
2. 250μ s脉冲测试
※
注意事项：
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25℃
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
-1
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图1.区域特征
图2.传输特性
100
漏源导通电阻
80
V
GS
= 5V
I
DR
，反向漏电流[ A]
10
1
R
DS （ ON）
[m
Ω
],
V
GS
= 10V
60
10
0
40
※
注：t
J
= 25℃
150℃
-1
25℃
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s脉冲测试
20
0
10
20
30
40
50
60
10
I
D
，漏电流[ A]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流和
温度
1500
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
12
10
V
DS
= 30V
V
GS
，栅源电压[V]
1000
8
V
DS
= 48V
电容[ pF的]
C
OSS
C
国际空间站
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
6
500
4
C
RSS
2
※
注：我
D
= 21A
0
0
-1
10
0
4
8
12
16
20
10
0
10
1
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
2001仙童半导体公司
修订版A1 。 2001年5月
FQD20N06L / FQU20N06L
典型特征
（续）
1.2
2.5
BV
DSS
（范
alized ）
漏源击穿电压
1.0
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
1.1
2.0
1.5
1.0
0.5
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 8.6 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结TEM
规律[ C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度的关系
图8.导通电阻变化
与温度的关系
10
3
20
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
2
15
100
s
1毫秒
10
1
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10毫秒
DC
10
10
0
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
5
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
（T ）和T H的ê马币一l研究（E S） P 0：N发E
D = 0 .5
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
10
-1
※
OTES ：
1 . Z
θ
J·C
( t ) = 3 . 2 8
℃
/ W M A X 。
2 。 ü吨和Y F是C T O服务R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
( t )
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
P
DM
t
1
t
2
Z
θ
JC
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线
2001仙童半导体公司
修订版A1 。 2001年5月
FQD20N06L / FQU20N06L
栅极电荷测试电路波形&
50KΩ
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
DS
V
GS
Q
g
5V
Q
gs
Q
gd
V
GS
DUT
3mA
收费
电阻开关测试电路波形&
V
DS
V
GS
R
G
R
L
V
DD
V
DS
90%
5V
DUT
V
GS
10%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
非钳位感应开关测试电路波形&
L
V
DS
I
D
R
G
DUT
t
p
BV
DSS
1
---- L I
AS2
--------------------
E
AS
=
2
BV
DSS
- V
DD
BV
DSS
I
AS
V
DD
V
DD
t
p
I
D
(t)
V
DS
(t)
时间
10V
2001仙童半导体公司
修订版A1 。 2001年5月
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FMS6418A
FST7345M
FU-68PDF-520M31B
FS70KM03
FPF2110
FX365
FDP39N20
FK14
FYS-3211ABX-XX
FYS-18011EX-0
FSL05A015
FL9050-UV254
FYS-5611CXX-2
FMW-2204
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型号
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