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FMBA14
分立功率&信号
技术
FMBA14
C2
E1
C1
B2
E2
针# 1
B1
SuperSOT
-6
马克: .1N
NPN多芯片达林顿晶体管
该器件是专为需要极高电流的应用
集电极电流增益为1.0 A.从过程05采购。
绝对最大额定值*
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
30
30
10
1.2
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项:
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJA
T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻,结到环境
最大
FMBA14
700
5.6
180
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
1998年仙童半导体公司
FMBA14
NPN多芯片达林顿晶体管
(续)
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
典型值
最大单位
开关特性
V
( BR ) CES
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
I
C
= 100
A,
I
B
= 0
V
CB
= 30 V,I
E
= 0
V
EB
= 10 V,I
C
= 0
30
100
100
V
nA
nA
基本特征*
h
FE
V
CE(
SAT
)
V
BE (
on
)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
I
C
= 10 mA时, V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100毫安, V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100毫安,我
B
- 0.1毫安
I
C
= 100毫安, V
CE
= 5.0 V
10K
20K
1.5
2.0
V
V
小信号特性
f
T
电流增益 - 带宽积
I
C
= 10 mA时, V
CE
= 10 V,
F = 100 MHz的
200
兆赫
*
脉冲测试:脉冲宽度
300
s,
占空比
2.0%
典型特征
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
250
200
V
CE
= 5V
150
25 °C
h
FE
- 典型的脉冲电流增益( K)
V
CESAT
- 集电极发射极电压(V )
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
1.6
β
= 1000
1.2
- 40 C
25°C
125 C
125 °C
0.8
100
- 40 °C
50
0
0.001
0.4
0.01
0.1
I
C
- 集电极电流( A)
1
0
1
10
100
I
C
- 集电极电流(毫安)
1000
V
BEON
- 基极发射极电压( V)
V
BESAT
- 基极发射极电压( V)
基射极饱和
电压Vs集电极电流
2
1.6
- 40 C
基极发射极电压ON VS
集电极电流
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
V
CE
= 5V
β
= 1000
- 40 C
25 °C
125 C
1.2
0.8
0.4
0
25 °C
125 C
1
10
100
I
C
- 集电极电流(毫安)
1000
1
10
100
I
C
- 集电极电流(毫安)
1000
FMBA14
NPN多芯片达林顿晶体管
(续)
典型特征
(续)
100
V
CB
= 30V
BV
CER
- 击穿电压( V)
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流( NA)
集电极 - 发射极击穿
电压与电阻
发射基之间
62.5
62
61.5
61
60.5
60
59.5
0.1
10
1
0.1
0.01
25
50
75
100
T
A
- 环境温度( C)
125
1
10
100
1000
电阻(K
)
输入和输出电容
VS反向电压
F = 1.0 MHz的
20
f
T
- 增益带宽积(兆赫)
增益带宽积
VS集电极电流
50
VCE = 5V
40
电容(pF)
10
30
兴业银行
5
20
COB
10
2
0.1
1
10
100
0
1
10
20
50
100 150
V
ce
- 集电极电压( V)
I
C
- 集电极电流(毫安)
功耗与
环境温度
1
P
D
- 功耗( W)
0.75
SOT-6
0.5
0.25
0
0
25
50
75
100
o
温度(℃)
125
150
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    联系人:杨小姐
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    FMBA14
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    -
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    -
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    电话:0755-23063133/23042311
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    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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21+
16500
原厂原包装
原装正品
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FMBA14
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射频微波器件
mini原装正品!
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FMBA14
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FMBA14
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十年专营,供应原装正品!热卖现货!
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联系人:朱先生
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20000
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百分百原装现货,实单可谈!
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SOP16
进口原装公司现货
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电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
FMBA14
M/A-COM
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NA
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1000¥/片,普通
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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FMBA14
MACOM
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全新原装正品/质量有保证
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FMBA14
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SOP16
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