FDD8N50NZ N沟道的UniFET
TM
II MOSFET
2013年3月
FDD8N50NZ
N沟道的UniFET
TM
二MOSFET
500 V ， 6.5 A， 850 m
特点
R
DS （ ON）
= 770 m （典型值） @ V
GS
= 10 V，I
D
= 3.25 A
低栅极电荷（典型值14 NC ）
低C
RSS
（典型值pF的）
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
ESD性能改进
符合RoHS
描述
的UniFET
TM
II MOSFET是飞兆半导体
的高
基于先进的平面条形和电压MOSFET系列
DMOS技术。这种先进的MOSFET系列拥有
间的平面型MOSFET最小的导通电阻，并且
还提供了出色的开关性能和更高的
雪崩能量强度。此外，内部栅极 - 源极ESD
二极管允许的UniFET II MOSFET能承受超过2kV的HBM
激增的压力。该系列器件适用于开关电源
转换器的应用，如功率因数校正（PFC ），平
平板显示器（ FPD ）电视电源， ATX和电子镇流器。
应用
LCD / LED /等离子电视
- 照明
·不间断电源
AC- DC电源供应器
D
D
G
G
S
D- PAK
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25 C)
- 减免上述25℃
o
o
参数
FDD8N50NZ
500
±25
o
单位
V
V
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
o
o
- 连续（T
C
= 25 C)
- 连续（T
C
= 100 C)
- 脉冲
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
o
6.5
3.9
26
287
6.5
9
10
90
0.7
-55到+150
300
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
C
C
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳，马克斯。
热阻，结到环境，马克斯。
1
FDD8N50NZ
1.4
62.5
单位
o
C / W
2010仙童半导体公司
FDD8N50NZ版本C0
www.fairchildsemi.com
