FMM1103VJ
砷化镓微波分频器
特点
操作到12.0 GHz的
输入频率除以8 ,不折不扣
-5V (或+ 5V )直流单电源供电
外部50欧姆负载驱动能力
小型10引脚密封SMT - 10封装( VJ )
磁带和卷轴可用
描述
该FMM1103VJ是GaAs微波静态分频器
设计为8以上的频率范围内的输入信号除以
从2.0至12.0千兆赫。这部分被设计为微波频率
合成器和锁相环振荡器的应用程序。
Eudyna严格的质量保证计划,保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值(环境温度Ta = 25 ℃)
参数
电源电压
输入电压
输入功率
储存温度
功耗
符号
VSS
VIN
针
TSTG
PD
评级
-7.0到0
VSS为0
+13.0
-55到+125
1.0
单位
V
V
DBM
°C
W
推荐工作条件
参数
电源电压
外壳温度
符号
VSS
Tc
分钟。
-5.5
-40
极限
典型值。
-5.0
-
马克斯。
-4.5
+85
单位
V
°C
电气特性(案例温度Tc = -40 ° C + 85°C , VSS = -4.5 -5.5V )
参数
电源电流
工作频率
输出功率
符号
国际空间站
条件
分钟。
-
引脚= 0 10dBm的
2.0
0
极限
典型值。马克斯。
90
-
8
-
12.0
-
单位
mA
GHz的
DBM
f
in
Po
1.4版
2004年9月
1
FMM1103VJ
砷化镓微波分频器
机箱样式“ VJ ”
1.2±0.2
(0.047)
7.2±0.2
(0.283)
4.8±0.2
(0.189)
5
4
3
8-0.3
(0.012)
6-1.27
(0.050)
1.2±0.2
(0.047)
3.8
(0.150)
2.8
(0.110)
6.3±0.2
(0.248)
3.9±0.2
(0.154)
6
7
2
1
8
9
10
2-0.38
(0.015)
指数
铅作业
领导
1.
2.
3.
4.
5.
0.15
(0.006)
符号
VDD
GND
IN
GND
REF
领导
6.
7.
8.
9.
10.
1.9
(0.075)
2.9
(0.114)
符号
VSS
GND
OUT
GND
OUT
单位:mm (英寸)
欲了解更多信息,请联系:
小心
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砷化镓
砷化镓(GaAs )
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4