VS-FCSP07H40TR
www.vishay.com
威世半导体
FlipKY
,
芯片级封装肖特基整流器， 0.75 A
特点
超低V
F
为了占位面积
非常低调（ < 0.6毫米）
低热阻
提供测试，磁带和卷轴
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
反极性保护
当前转向
FlipKY
续流
反激式
或门
描述
产品概述
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
马克斯。在25℃下
I
RM
最大。在125℃下
T
J
马克斯。
E
AS
0.75 A
40 V
0.47 V
10 μA
3毫安
150 °C
5毫焦耳
Vishay的FlipKY
产品系列采用晶圆级
芯片级封装来提供肖特基二极管与
最低的V
F
在PCB占位面积的行业。这三个垫
0.9毫米×1.2 mm器件可提供高达0.75和
只占用1.08毫米
2
的电路板空间。在阳极和
阴极连接是通过焊料凸点焊盘制作
在硅片的一面使设计人员能够在战略
放置在PCB上的二极管。这种设计不但能减少
板空间，而且还降低了耐热性和耐
电感，从而可以提高整个电路的效率。
典型的应用包括手持式，便携式设备
如手机，MP3播放器，蓝牙，全球定位系统，个人数字助理，
和便携式硬盘驱动器在空间的节省和
性能是至关重要的。
主要额定值及特点
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
V
F
T
J
0.75 A
pk
, T
J
= 125 °C
方波
特征
马克斯。
40
0.75
190
0.47
- 55 150
单位
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
VS-FCSP07H40TR
40
单位
V
修订： 04 -JUL- 11
文档编号： 94561
1
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
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威世半导体
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流在25℃
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
测试条件
50％的占空比在T
PCB
= 106 ℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
以下任何额定
载荷条件和
为V
RRM
应用的
值
0.75
190
10
5
0.5
mJ
A
A
单位
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 2.0 A，L = 5.0 mH的
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
电气规格
参数
符号
0.75 A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
1.5 A
0.75 A
1.5 A
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
T
J
= 25 °C
最大反向漏电流
SEE图。 2
I
RM （ 1 ）
T
J
= 125 °C
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
V
R
= 5 V
V
R
=额定V
R
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
V
R
= 5 V
最大结电容
充电最高电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
C
T
dv / dt的
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz时） ，25°C
为V
R
典型值。
0.51
0.59
0.42
0.52
1
0.2
0.08
0.05
0.7
0.2
0.15
0.125
-
-
马克斯。
0.55
0.64
0.47
0.57
10
0.5
0.25
0.15
3
1
0.8
0.5
90
10 000
pF
V / μs的
mA
A
V
单位
热 - 机械特性
参数
最大结点和
存储温度范围
典型热阻，
结到PCB
最大热电阻，
结到环境
笔记
(1)
(2)
符号
T
J (1)
, T
英镑
R
thJL （2）
R
thJA
直流操作
测试条件
值
- 55 150
35
单位
°C
° C / W
150
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
安装在最小的PCB占位面积
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1000
结电容 - C
T
（P F）
威世半导体
中T = 25℃
J
10
100
瞬时正向电流 - I
F
(A)
10
0
5
T = 150℃
J
T = 125°C
J
中T = 25℃
J
10 15 20 25 30 35 40
反向电压 - V
R
(V)
1
图。 3 - 典型结电容比。
反向电压（每腿）
160
允许外壳温度（ ℃）
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
0
方波（ D = 0.50 ）
80 ％额定Vr的应用
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
DC
DC
见说明（ 2 ）
(1)
0.1
0.2
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.4
0.6
0.8
1
正向电压下降 - V
FM
(V)
1.2
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 1 - 最大正向压降特性
（每站）
图。 4 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流（每腿）
10000
TJ = 150℃
平均功耗（瓦）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
1000
反向电流 - I
R
(μA)
125C
100
10
1
0.1
0.01
0
5
10
15
20
25
100C
75C
50C
25C
DC
30
35
40
0
反向电压 - V
R
(V)
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压（每腿）
图。 5 - 正向功率损耗特性（每腿）
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。钯
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在80 ％的V
R
应用的
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威世半导体
1000
不重复浪涌电流 - 我
FSM
(A)
在任何额定负载条件
并与额定VRRM应用
以下浪涌
100
10
1
10
100
1000
10000
方波脉冲持续时间 - 吨
p
（微秒）
图。 6 - 最大非重复浪涌电流（每腿）
L
快速
开关
飞轮
二极管
40HFL40S02
+
V
d
= 25
V
D.U.T.
IRFP460
R
g
= 25
Ω
当前
MONITOR
图。 7 - 非钳位感应测试电路
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日前，Vishay高功率产品
FlipKY
芯片级封装肖特基整流器， 0.75 A
特点
超低V
F
为了占位面积
非常低调（ < 0.6毫米）
低热阻
提供测试，磁带和卷轴
RoHS指令
柔顺
应用
反极性保护
当前转向
续流
FlipKY
反激式
或门
描述
Vishay的FlipKY
产品系列采用晶圆级
芯片级封装来提供肖特基二极管与
最低的V
F
在PCB占位面积的行业。这三个垫
0.9毫米×1.2 mm器件可提供高达0.75和
只占用1.08毫米
2
的电路板空间。在阳极和
阴极连接是通过焊料凸块焊盘上制成
硅使设计人员能够一侧的战略
放置在PCB上的二极管。这种设计不但能减少
板空间，而且还降低了耐热性和耐
电感，从而可以提高整个电路的效率。
典型的应用包括手持式，便携式设备
如手机，MP3播放器，蓝牙，全球定位系统，个人数字助理，
和便携式硬盘驱动器在空间的节省和
性能是至关重要的。
产品概述
I
F（ AV ）
V
R
0.75 A
40 V
主要额定值及特点
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
V
F
T
J
0.75 APK ，T
J
= 125 °C
方波
特征
马克斯。
40
0.75
190
0.47
- 55 150
单位
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
FCSP07H40TR
40
单位
V
文档编号： 94561
修订： 18 -APR- 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
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1
FCSP07H40TR
日前，Vishay高功率产品
FlipKY
芯片级封装的肖特基
垒整流器， 0.75 A
测试条件
50％的占空比在T
PCB
= 106 ℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
以下任何额定
载荷条件和
为V
RRM
应用的
值
0.75
190
10
5
0.5
mJ
A
A
单位
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流在25℃
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 2.0 A，L = 5.0 mH的
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
电气规格
参数
符号
0.75 A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
1.5 A
0.75 A
1.5 A
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
T
J
= 25 °C
最大反向漏电流
SEE图。 2
I
RM （ 1 ）
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
V
R
= 5 V
V
R
=额定V
R
T
J
= 125 °C
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
V
R
= 5 V
最大结电容
充电最高电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
C
T
dv / dt的
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
为V
R
典型值。
0.51
0.59
0.42
0.52
1
0.2
0.08
0.05
0.7
0.2
0.15
0.125
-
-
马克斯。
0.55
0.64
0.47
0.57
10
0.5
0.25
0.15
3
1
0.8
0.5
90
10 000
pF
V / μs的
mA
A
V
单位
热 - 机械特性
参数
最大结点和
存储温度范围
典型热阻，
结到PCB
最大热电阻，
结到环境
笔记
(1)
(2)
符号
T
J (1)
, T
英镑
R
thJL （2）
R
thJA
直流操作
测试条件
值
- 55 150
35
单位
°C
° C / W
150
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
安装在最小的PCB占位面积
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日前，Vishay高功率产品
芯片级封装的肖特基
垒整流器， 0.75 A
10
结电容 - C
T
（P F）
1000
中T = 25℃
J
100
瞬时正向电流 - I
F
(A)
10
0
5
T = 150℃
J
T = 125°C
J
中T = 25℃
J
10 15 20 25 30 35 40
反向电压 - V
R
(V)
1
图。 3 - 典型结电容比。
反向电压（每腿）
160
允许外壳温度（ ℃）
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
0
方波（ D = 0.50 ）
80 ％额定Vr的应用
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
DC
DC
见说明（ 2 ）
(1)
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1
正向电压下降 - V
FM
(V)
1.2
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 1 - 最大正向压降特性
（每站）
图。 4 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流（每腿）
0.6
10000
TJ = 150℃
1000
反向电流 - I
R
(μA)
平均功耗（瓦）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
125C
100
10
1
0.1
0.01
0
5
10
15
20
25
100C
75C
50C
25C
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
DC
30
35
40
0
反向电压 - V
R
(V)
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压（每腿）
图。 5 - 正向功率损耗特性（每腿）
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。钯
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在80 ％的V
R
应用的
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FlipKY
芯片级封装的肖特基
垒整流器， 0.75 A
在任何额定负载条件
并与额定VRRM应用
以下浪涌
1000
不重复浪涌电流 - 我
FSM
(A)
100
10
1
10
100
1000
10000
方波脉冲持续时间 - 吨
p
（微秒）
图。 6 - 最大非重复浪涌电流（每腿）
L
快速
开关
飞轮
二极管
40HFL40S02
+
V
d
= 25
V
D.U.T.
IRFP460
R
g
= 25
Ω
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产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
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