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三菱N沟道功率MOSFET
.
ATION
NGE 。
pecific要查
INAL SE主题
af
不限制AR
otice :参
N
一些
P
AR
IMIN
REL
Y
FS10KMA-5A
高速开关使用
FS10KMA-5A
外形绘图
10 ± 0.3
6.5 ± 0.3
3 ± 0.3
尺寸(mm)
2.8 ± 0.2
15 ± 0.3
φ
3.2 ± 0.2
14 ± 0.5
3.6 ± 0.3
1.1 ± 0.2
1.1 ± 0.2
0.75 ± 0.15
0.75 ± 0.15
2.54 ± 0.25
2.54 ± 0.25
4.5 ± 0.2
2.6 ± 0.2
q
10V驱动器
q
V
DSS ................................................. ..............................
250V
q
r
DS ( ON) ( MAX ) ........................................... ..................
0.52
q
I
D .........................................................................................
10A
来源
TO-220FN
应用
C
S
开关CRT显示器
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
P
D
T
ch
T
英镑
V
ISO
( TC = 25 ° C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流(脉冲)
雪崩漏电流(脉冲)
最大功率耗散
通道温度
储存温度
隔离电压
重量
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
250
±20
10
30
10
32
–55 ~ +150
–55 ~ +150
2000
2.0
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
V
g
Sep.1998
L = 200μH
交流时间1分钟,终端到外壳
典型的价值
三菱N沟道功率MOSFET
.
ATION
NGE 。
pecific要查
INAL SE主题
af
不限制AR
otice :参
N
一些
P
AR
IMIN
REL
Y
FS10KMA-5A
高速开关使用
电气特性
符号
V
( BR ) DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
V
DS ( ON)
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
R
TH( CH-C )
参数
漏源击穿电压
(总胆固醇= 25 ℃)下
测试条件
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= 250V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时, V
DS
= 10V
I
D
= 5A ,V
GS
= 10V
I
D
= 5A ,V
GS
= 10V
I
D
= 5A ,V
DS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
范围
分钟。
250
2.0
典型值。
3.0
0.40
2.00
9.0
950
90
25
20
25
150
40
0.95
马克斯。
±10
1
4.0
0.52
2.60
3.91
单位
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
V
DD
= 150V ,我
D
= 5A ,V
GS
= 10V ,R
= R
GS
= 50
I
S
= 5A ,V
GS
= 0V
渠道情况
Sep.1998
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    FS10KMA-5A
    -
    -
    -
    -
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