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FJD3305H1 - NPN硅晶体管
2009年4月
FJD3305H1
NPN硅晶体管
高压开关模式的应用
快速开关速度
宽安全工作区
适用于电子镇流器应用
1
DPAK
1.底座2.收藏家3.发射
绝对最大额定值*
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散,T
a
= 25°C
T
c
= 25°C
结温
储存温度
价值
700
400
9
4
8
2
1.1
50
150
-65 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
中T = 25 ° C除非另有说明
a
符号
R
θJA
R
θJ
C
参数
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
价值
110
2.0
单位
° C / W
° C / W
*设备安装在最小焊盘尺寸
订购信息
产品型号
FJD3305H1TM
记号
J3305H1
D- PAK
包装方法
磁带&卷轴
备注
2009仙童半导体公司
FJD3305H1 Rev.A的
1
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FJD3305H1 - NPN硅晶体管
电气特性*
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE ( SAT )
参数
集电极 - 基极电压Breakdwon
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益*
集电极 - 发射极饱和电压
条件
I
C
= 500μA ,我
E
= 0
I
C
= 5毫安,我
B
= 0
I
E
= 500μA ,我
C
= 0
V
CB
= 700V ,我
E
= 0
V
EB
= 9V ,我
C
= 0
V
CE
= 5V ,我
C
= 1A
V
CE
= 5V ,我
C
= 2A
I
C
= 1A ,我
B
= 0.2A
I
C
= 2A ,我
B
= 0.5A
I
C
= 4A ,我
B
= 1A
I
C
= 1A ,我
B
= 0.2A
I
C
= 2A ,我
B
= 0.5A
V
CE
= 10V ,我
C
= 0.5A
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
V
CC
= 125V ,我
C
= 2A
I
B1
= -I
B2
= 0.4A
R
L
= 62.5
分钟。
700
400
9
典型值。
最大
单位
V
V
V
A
A
1
1
19
8
28
40
0.5
0.6
1.0
1.2
1.6
4
65
0.8
4.0
0.9
V
V
V
V
V
兆赫
pF
s
s
s
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
t
ON
t
英镑
t
F
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
启动时间
贮存时间
下降时间
*脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比= 2 %
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FJD3305H1 - NPN硅晶体管
典型性能特性
图1.静态特性
4.5
4.0
100
图2.直流电流增益
V
CE
= 5V
I
C
[A] ,集电极电流
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
I
B
= 300毫安
I
B
= 200毫安
I
B
= 150毫安
I
B
= 100毫安
I
B
= 50毫安
TA = 75℃
O
TA = 125℃
O
h
FE
,直流电流增益
I
B
= 250毫安
10
TA = - 25℃
O
TA = 25℃
O
1.0
0.5
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
0.01
0.1
1
10
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ,收藏家CUTRRENT
图3.集电极 - 发射极饱和电压
10
图4.基 - EmitterSaturation电压
10
V
CE
(饱和) [ V]时,饱和电压
TA = 125℃
1
O
O
V
BE
(饱和) [ V]时,饱和电压
I
C
= 4 I
B
I
C
= 4 I
B
TA = - 25℃
TA = 25℃
1
O
O
TA = 75℃
O
TA = - 25℃
0.1
TA = 25℃
O
TA = 125℃
O
TA = 75℃
O
0.01
0.01
0.1
1
10
0.1
0.01
0.1
1
10
I
C
[A] ,集电极电流
I
C
[A] ,集电极电流
图5.开关时间
1 0 0 00
图6.电容
F = 1M ^ h
t
英镑
t
F
&放大器;牛逼
英镑
[
S] ,切换时间
C
ib
TA = 25℃
1000
t
F
TA = 125℃
O
电容[ pF的]
O
1 0 00
1 00
C
ob
10
100
I
B1
= - I
B2
= 0.4A
V
CC
= 125V
1
1
1
10
100
I
C
[A] ,集电极电流
VER SE VO LT AG E [ V]
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FJD3305H1 - NPN硅晶体管
图7.反向偏置安全工作区
图8. RBSOA集电极 - 发射极饱和
电压
10
10
V
BE (OFF)的
=-9V
V
BE (OFF)的
=-7V
V
CE
(饱和) [ V]时,饱和电压
I
C
[A] ,集电极电流
8
V
BE (OFF)的
=-5V
V
BE (OFF)的
=-3V
6
8
V
CC
= 50V ,L
C
=1mH
V
BE (OFF)的
= -5V ,我
B2
=-1.0A
R
BB
= 0.7欧姆
IC / IB = 5
6
IC / IB = 4
4
4
IC / IB = 3
2
V
CC
= 50V ,L
C
=1mH
I
C
/I
B
=5, I
B2
=-1.0A
R
BB
= 0.7欧姆
2
0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ,集电极电流
图9. RBSOA导通脉冲宽度与
集电极电流
IC / IB = 5
200
60
图10.功率降额
IC / IB = 4
160
P
C
[W] ,功率耗散
开启PW [美国]
V
CC
= 50V ,L
C
=1mH
V
BE (OFF)的
= -5V ,我
B2
=-1.0A
R
BB
= 0.7欧姆
50
IC / IB = 3
40
120
30
80
20
40
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
I
C
[A] ,集电极电流
锝[C] ,外壳温度
图11. RBSOA测试电路
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FJD3305H1 - NPN硅晶体管
机械尺寸
D- PAK
单位:毫米
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    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

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    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
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    -
    -
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联系人:周
地址:广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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电话:0755-82563615/82563213
联系人:朱先生/王小姐
地址:深圳华强北上步204栋520室
FJD3305H1TM
MINI
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1175
射频微波器件
mini原装正品!
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电话:0755-28013727
联系人:朱先生
地址:深圳市龙华区龙华街道清华社区和平路62号优鼎企创园办公楼C栋5层502
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M/A-COM
23+
20000
NA
百分百原装现货,实单可谈!
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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
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M/A-COM
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
FJD3305H1TM
MACOM
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全新原装正品/质量有保证
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电话:82571829 29059095 83798256 82786758 82577629
联系人:曾小姐
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区华强北路2008号华联发综合楼810-812
FJD3305H1TM
M/A-COM
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联系人:李小姐
地址:深圳市宝安区河东工业区A栋313-318
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MACOM
22+
32570
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电话:0755-82710336 82533156年度优秀供应商
联系人:何
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区501栋1109-1110室
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M/A-COM
24+
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十五年专营 金牌供应商
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电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
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23+
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