FDB9403_F085 N沟道功率MOSFET Trench
七月
FDB9403_F085
N沟道功率沟槽
MOSFET
40V ， 110A ， 1.2mΩ
特点
典型
DS （ ON）
= 1毫欧的V
GS
= 10V ，我
D
= 80A
典型Q
G（ TOT ）
= 164nC在V
GS
= 10V ，我
D
= 80A
UIS能力
符合RoHS
符合AEC Q101
2012
D
D
G
G
S
S
应用
汽车引擎控制
动力管理
电磁阀和电机驱动器
电子转向系统
集成起动机/发电机
分布式电源架构和VRM
主开关的12V系统
TO-263AB
FDB系列
MOSFET的最大额定值
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
漏源极电压
V
GS
I
D
E
AS
P
D
R
θJC
R
θJA
栅极至源极电压
漏电流 - 连续（V
GS
= 10 ）（注1 ）
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
功耗
减免上述25℃
热阻结到外壳
最大热阻结到环境
（注3）
o
参数
评级
40
±20
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
（注2 ）
110
见Figure4
704
333
2.22
-55 + 175
0.45
43
单位
V
V
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
o
C / W
o
C / W
T
J
, T
英镑
工作和存储温度
包装标志和订购信息
器件标识
FDB9403
设备
FDB9403_F085
包
TO-263AB
带尺寸
330mm
胶带宽度
24mm
QUANTITY
800个
注意事项：
1：当前由接合线的配置的限制。
2 ：起始物为
J
= 25℃时，L = 0.18mH ，我
AS
= 88A ，V
DD
= 40V时的电感充电和V
DD
= 0V时一次雪崩
3:
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料
安装的漏极引脚表面。
R
θJC
由设计，同时保证
R
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。的最大额定值
这里介绍的是根据装在1中
2
垫2盎司覆铜。
2012仙童半导体公司
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电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 40V,
V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V
40
o
-
-
-
-
-
1
1
±100
V
μA
mA
nA
T
J
= 25 C
T
J
= 175℃ （注4 ）
o
-
-
-
基本特征
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA
I
D
= 80A,
V
GS
= 10V
T
J
=
T
J
=
2.0
-
4)
-
3.13
1.0
1.63
4.0
1.2
1.96
V
mΩ
mΩ
25
o
C
175
o
C（注
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
V
GS
= 0至10V
V
GS
= 0 2V
V
DD
= 20V
I
D
= 80A
-
-
-
-
-
-
-
-
12700
3195
493
2.9
164
23
59
25
-
-
-
-
213
30
-
-
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
on
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
V
DD
= 20V ，我
D
= 80A,
V
GS
= 10V ，R
GS
= 1.5Ω
-
-
-
-
-
-
-
16
19.5
61
46
-
56
-
-
-
-
171
ns
ns
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
V
SD
T
rr
Q
rr
注意事项：
4 ：由设计指定的最大值在TJ = 175 ℃。产品没有测试这个条件的生产。
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 35A ，V
GS
= 0V
I
SD
= 15A ，V
GS
= 0V
I
F
= 80A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
96
149
0.85
0.80
125
194
V
V
ns
nC
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典型特征
功耗乘法器
1.2
I
D
，漏电流（ A）
500
400
300
200
100
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
200
电流限制
按封装
V
GS
= 10V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
电流限制
硅
0
25
50
75
100
125
150
o
C
)
T
C
，外壳温度
(
175
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN9757
图1.归功耗与案例
温度
占空比 - 降序排列
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
归热
阻抗Z
θ
JC
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
C
-4
单脉冲
0.01
-5
10
10
10
10
10
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
-3
-2
-1
10
0
10
1
图3.归一化最大瞬态热阻抗
1000
V
GS
= 10V
I
DM
,
峰值电流（ A）
100
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
2
175 - T
C
150
单脉冲
10
-5
10
10
-4
10
10
10
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
-3
-2
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
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典型特征
10000
I
D
，漏电流（ A）
1000
100
10
1
0.1
1
1000
I
AS
，雪崩电流（ A）
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
100
起始物为
J
= 25
o
C
100us
操作在此
区域可以
限于由R DS （ ON）
单脉冲
TJ =最大额定
TC = 25℃
1ms
10ms
DC
10
起始物为
J
= 150
o
C
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
100
1
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
1000 10000
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515
图5.正向偏置安全工作区
图6.松开电感式开关
能力
200
100
V
GS
= 0 V
200
150
I
S
，反向漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 5V
T
J
= 175
o
C
100
T
J
= 25
o
C
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25 C
o
10
50
T
J
= -55
o
C
0
2
3
4
5
V
GS
，门源电压（ V）
6
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7.传热特性
图8.正向二极管特性
250
I
D
，漏电流（ A）
200
150
100
50
0
0.0
5V
80
μ
S脉冲宽度
Tj=25
o
C
V
GS
15V顶部
10V
6V
5.5V
5 V底
250
I
D
，漏电流（ A）
200
150
5V
V
GS
15V
5.5V
顶部
10V
6V
5.5V
5V底
100
50
0
0.0
80
μ
S脉冲宽度
Tj=175
o
C
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
DS
，漏源极电压（ V）
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
DS
，漏源极电压（ V）
图9.饱和特性
图10.饱和特性
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典型特征
归
漏极至源极导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-80
I
D
= 80A
V
GS
= 10V
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
10
r
DS （ ON）
，漏极到源极
导通电阻（
Ω
)
8
6
4
I
D =
80A
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
T
J
= 175
o
C
2
0
T
J
= 25
o
C
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温
(
o
C
)
200
图11. VS导通电阻栅极电压
1.2
归一化门
阈值电压
V
GS
=
V
DS
I
D
= 250
μ
A
图12.归一化的Rdson VS结
温度
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 1毫安
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
0.9
0.4
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
0.8
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
图13.归栅极阈值电压VS
温度
图14.归漏极至源极
击穿电压VS结温
100000
电容（pF）
C
国际空间站
V
GS
，门源电压（ V）
10
8
6
4
2
0
I
D
= 80A
V
DD
= 16V
V
DD
= 20V
V
DD
= 24V
10000
C
OSS
1000
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
C
RSS
100
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源极电压
(
V
)
0
50
100
150
Q
g
,
栅极电荷（ NC）
200
图15.电容VS漏极至源极
电压
图16.栅极电荷VS门源
电压
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