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FAN5066
超低压同步DC- DC控制器
特点
输出可调范围为400mV至3.5V
同步整流，阳离子
可调节的操作，从80KHZ至1MHz
集成的电源良好和启用功能
过压保护
过电流保护
驱动N沟道MOSFET
20引脚SOIC和TSSOP封装
描述
该FAN5066是一款同步模式DC -DC控制器IC
它提供了一个可调节的输出电压，超低
电压的应用，降低到400mV的。该FAN5066采用
高集成度，提供负载电流中的过量的
19A从一个5V电源以最少的外部电路。
同步模式操作提供了最佳的EF网络效率
整个输出电压范围内，并且所述内部振荡器
可以从80KHZ进行编程，以1MHz的额外
灵活性在选择外部元件。该FAN5066
还提供集成的功能，包括一个4位
DAC控制的基准，电源良好，输出使能，
过电压保护和电流限制。
应用
电源DDR SDRAM VTT
电源HSTL
电源为专用集成电路
可调节的超低电压降压型电源
框图
+12V
FAN5066
1
–
+
+5V
5
4
OSC
–
+
13
12
–
+
–
+
数字
控制
+5V
7
9
VO
CNTRL
VREF
16
20
4-BIT
DAC
19 18
17
8
1.24V
参考
动力
良好
2
3
PWRGD
VID2
VID4
VID1
VID3
启用
初步信息
描述了在没有满负荷生产，在印刷时的产品。规格基于设计目标
REV 。 2.1.4 01年11月13日
和有限的表征。他们可能会更改，恕不另行通知。联系飞兆半导体的最新信息。
FAN5066
产品speci fi cation
引脚分配
CEXT
启用
PWRGD
IFB
VFB
VCCA
VCCP
VID4
LODRV
GNDP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
VREF
VID1
VID2
VID3
CNTRL
GNDA
GNDD
VCCQP
HIDRV
GNDP
FAN5066
16
15
14
13
12
11
引脚德网络nitions
引脚号
1
CEXT
引脚功能说明
振荡器电容连接
。连接一个外部电容此引脚套
内部振荡器的频率。该引脚布局是系统性能的关键。
请参阅应用信息的详细信息。
OUTPUT ENABLE
。为逻辑低电平该引脚将禁用输出。一个内部上拉
电阻器允许任何集电极开路或TTL兼容。
电源良好标记
。集电极开路输出，就可以在逻辑低电平，如果输出
电压不符合
±
12 ％的标称输出电压设定值。
高压侧电流反馈
。引脚4和5被用作输入端的电流
反馈控制回路。这些迹线的布局是系统性能的关键。看
有关详细信息，应用信息。
电压反馈
。销5被用作输入的电压反馈控制环和
作为低压侧电流反馈输入。详情请参阅有关申请信息
正确的布局。
模拟的Vcc
。连接至系统的5V电源去耦用0.1
F的陶瓷
电容。
电源VCC低侧FET驱动器
。连接至系统的5V电源，放置1
F
陶瓷电容去耦和当地电荷存储。
VID4输入
。在此集电极开路/ TTL输入逻辑1将使VID3 - VID0输入
从2.1V的输出设定为3.5V ，和一个逻辑0将设置输出从1.3V到2.05V ，
如表1所示。拉电阻内部的控制器。
低边FET驱动器
。该管脚连接到一个N沟道MOSFET的栅极
同步操作。从这个引脚MOSFET的栅极走线应该是< 0.5" 。
电源地
。返回引脚为高电流流入引脚7和13 （ VCCP和
VCCQP ） 。连接到低阻抗接地。
高侧FET驱动器
。该管脚连接到一个N沟道MOSFET的栅极。该
从这个引脚MOSFET的栅极走线应为< 0.5" 。
电源Vcc的
。对于高侧FET驱动器。 VCCQP必须连接到的在一个电压
至少VCCA + V
GS ，ON
管（MOSFET ） ，并放置一个1
F的陶瓷电容去耦
和当地的电荷存储。详情请参见应用信息
数字地
。返回路径的数字逻辑。连接到低阻抗系统
地平面，以减少接地环路。
模拟地
。返回路径为低功耗模拟电路。该引脚应
连接到低阻抗系统的接地平面，以最大限度地减少接地环路。
电压控制
。强制该引脚上的电压决定了输出电压
转换器。
2
3
4
启用
PWRGD
IFB
5
VFB
6
7
8
VCCA
VCCP
VID4
9
10, 11
12
13
LODRV
GNDP
HIDRV
VCCQP
14
15
16
17-19
GNDD
GNDA
CNTRL
VID1-VID3
电压识别码输入
。这些集电极开路/ TTL兼容的输入会
编程超过表1中规定的范围的基准的输出电压。
上拉电阻是内部到控制器。
VREF
参考电压测试点
。该引脚可访问DAC输出和应
去耦用0.1μF的电容到地。
REV 。 2.1.4 01年11月13日
20
2
产品speci fi cation
FAN5066
绝对最大额定值
电源电压VCCA ， VCCP ， VCCQP到GND
电源电压VCCQP ，电荷泵（V
IN
+ VCCA ）
电压识别码输入， VID3 - VID0
VREF输出电流
结温，T
J
储存温度
引线焊接温度10秒
13V
18V
13V
3mA
150
°
C
-65到150
°
C
300
°
C
工作条件
参数
电源电压VCCA ， VCCP
输入逻辑高
输入逻辑低电平
工作环境温度
输出驱动器供应， VCCQP
0
8.5
条件
分钟。
4.75
2.0
0.8
70
12
典型值。
5
马克斯。
5.25
单位
V
V
V
°
C
V
电气连接特定的阳离子
参数
初始电压给定值
输出温度漂移
负载调整率
线路调整
输出纹波
DAC输出电压
DAC精度
短路检测阈值
输出驱动器上升和下降时间
输出驱动器死区时间1
输出驱动器死区时间2
开启响应时间
振荡器频率
振荡器频率
PWRGD阈值
PWRGD最小工作
电压
最大占空比
控制引脚输入电流
(V
CCA
= 5V, V
CNTRL
= 900mV ，女
OSC
= 300千赫，而T
A
= +25
°
利用图1所示电路C，除非另有说明）
该
表示该应用在整个工作温度范围内特定连接的阳离子。
条件
I
负载
= 0.8A ，V
CTRL
= 1.25V
V
CTRL
= 900mV
T
A
= 0至70
°
（C V）
OUT
= 1.25V
V
OUT
= 900mV
I
负载
= 0.8A到3A
V
IN
= 4.75V至5.25V
20MHz的带宽，我
负载
= 3A
参照表1
见图3
见图3
见图3
I
负载
= 0A到3A
80
C
EXT
= 100 pF的
逻辑高
逻辑低
270
93
88
1.0
90
V
CTRL
= 400mV的到3.5V
95
235
300
1.3
-3
90
120
80
5
80
10
1000
330
107
112
分钟。
1.237
891
典型值。
1.250
900
+6
+4
-20
±
2
±
13
3.4
+3
150
马克斯。
1.263
909
单位
V
mV
mV
mV
mV
mV
mVpk
V
%
mV
纳秒
%/f
OSC
纳秒
毫秒
千赫
千赫
%V
OUT
%V
OUT
V
%
A
REV 。 2.1.4 01年11月13日
3
