订购数量： ENA1125
FH102A
三洋半导体
数据表
NPN外延平面硅晶体管复合
FH102A
特点
高频低噪声放大器呃，
差分放大器器的应用
中所含的MCP封装当前正在使用的有2个晶体管的复合型，提高了安装效率
很大。
该FH102A形成有两个芯片，等价于2SC5226A ，放置在一个封装中。
由于优异的热平衡和对能力的最佳差分放大。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
总功耗
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
PT
Tj
TSTG
当安装在陶瓷基体（ 250毫米
0.8mm)
1unit
2
条件
评级
20
10
2
70
300
500
150
--55到150
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
当安装在陶瓷基体（ 250毫米
2
0.8mm)
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
符号
ICBO
IEBO
的hFE
条件
VCB = 10V ， IE = 0A
VEB = 1V ， IC = 0A
VCE = 5V ， IC = 20mA下
90
评级
民
典型值
最大
1.0
10
200
单位
μA
μA
标记： 102
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
60408AB TI IM TC- 00001436号A1125-1 / 6
FH102A
从接下页。
参数
直流电流增益比
基极 - 发射极电压Diffrence
增益带宽积
输出电容
反向传输电容
正向传输增益
噪声系数
符号
的hFE （小/大）
VBE （ largel - SMAL ）
fT
COB
CRE
S21e
1
2
S21e
2
NF
2
条件
VCE = 5V ， IC = 20mA下
VCE = 5V ， IC = 20mA下
VCE = 5V ， IC = 20mA下
VCB = 10V ， F = 1MHz的
VCB = 10V ， F = 1MHz的
VCE = 5V ， IC = 20mA时， F = 1GHz的
VCE = 2V ， IC = 3mA电流， F = 1GHz的
VCE = 5V ， IC = 7毫安中，f = 1GHz的
评级
民
0.7
5
典型值
0.95
1.0
7
0.75
0.5
9
12
8
1.0
1.8
1.2
最大
单位
mV
GHz的
pF
pF
dB
dB
dB
注）上面显示的规格为除的hFE （小/大）， VBE （大，小）的这对能力是每个晶体管
也显示。
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7026-002
0.425
0.25 0.15
电气连接
B1
B2
E2
6
5
4
2.1
1.25
0.05
0.2
0.425
1
0.65
2
2.0
3
C1
E1
C2
1 ： Collector1
2 ： Emitter1
3 ： Collector2
4 ： Emitter2
5 ：和Base2
6 ： BASE1
三洋： MCP6
0.2
0.9
3
2
的hFE - IC
VCE=5V
增益带宽积， F T - GHz的
2
F T - IC
VCE=5V
10
7
5
直流电流增益， hFE参数
100
7
5
3
2
3
2
10
7
5
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
7 100
2
1.0
7
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
7 100
2
ITR10754
集电极电流， IC - 毫安
ITR10753
集电极电流， IC - 毫安
第A1125-2 / 6
FH102A
s参数
F = 100MHz时， 200至2000MHz （ 200MHz的步骤）
j50
j25
j100
j150
j10
2.0GHz
2.0GHz
2.0GHz
0
10
25
50
100 150 250 500
F = 100MHz时， 200至2000MHz （ 200MHz的步骤）
90°
120°
VCE=5V
IC=7mA
VCE=5V
IC=20mA
0.1GHz
60°
j200
j250
150°
VCE=2V
0.1GHz
I = 3毫安
C
30°
VCE=2V
IC=3mA
VCE=5V
IC=20mA
±180°
0.1GHz
2.0GHz
4
8
12
16
20
0
--j10
0.1GHz
0.1GHz
--j250
0.1GHz
--j200
--j150
--j100
--150°
--30°
--j25
VCE=5V
IC=7mA
--j50
--120°
ITR10760
--60°
--90°
ITR10761
F = 100MHz时， 200至2000MHz （ 200MHz的步骤）
90°
120°
VCE=5V
IC=20mA
VCE=5V
IC=7mA
F = 100MHz时， 200至2000MHz （ 200MHz的步骤）
2.0GHz
60°
2.0GHz
2.0GHz
30°
VCE=2V
IC=3mA
j50
j25
j100
j150
j10
j200
j250
150°
±180°
0.1GHz
0.04 0.08 0.12 0.16 0.2
0
0
10
25
50
100 150 250 500
2.0GHz
--j10
--150°
--30°
VCE=5V
IC=7mA
VCE=5V
IC=20mA
0.1GHz
--j250
--j200
--j150
--j100
VCE=2V
IC=3mA
--j25
--120°
--90°
--60°
ITR10762
--j50
ITR10763
第A1125-4 / 6
FH102A
的S参数（共发射极）
VCE = 5V ， IC = 7毫安， ZO = 50Ω
频率（MHz ）
100
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
S
11
0.720
0.612
0.497
0.456
0.440
0.436
0.434
0.433
0.433
0.434
0.439
∠S
11
--46.0
--80.9
--121.3
--143.5
--157.6
--167.5
--176.1
176.6
170.9
165.0
159.6
S
21
17.973
13.927
8.656
6.080
4.725
3.864
3.258
2.847
2.329
2.252
2.057
∠S
21
148.5
127.3
105.0
92.8
84.3
77.0
70.3
64.5
57.4
54.2
49.2
S
12
0.030
0.047
0.066
0.079
0.094
0.110
0.126
0.143
0.160
0.178
0.197
∠S
12
68.5
57.1
51.3
52.9
55.4
56.8
57.9
58.4
58.9
58.6
58.1
S
22
0.880
0.697
0.479
0.382
0.339
0.323
0.312
0.304
0.296
0.293
0.294
∠S
22
--23.6
--37.6
--47.6
--50.5
--51.8
--53.4
--55.8
--58.3
--62.0
--65.0
--68.1
VCE = 5V ， IC = 20mA时， ZO = 50Ω
频率（MHz ）
100
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
S
11
0.481
0.420
0.391
0.386
0.381
0.382
0.385
0.388
0.390
0.391
0.394
∠S
11
--78.8
--119.2
--151.6
--166.4
--175.9
178.2
172.1
166.7
162.1
156.7
152.1
S
21
29.795
19.008
10.416
7.084
5.407
4.401
3.701
3.217
2.839
2.534
2.319
∠S
21
132.9
112.2
95.4
86.6
80.1
74.1
68.5
63.6
58.8
54.3
50.1
S
12
0.022
0.033
0.052
0.071
0.092
0.114
0.134
0.156
0.176
0.197
0.219
∠S
12
63.9
60.8
64.7
67.2
68.4
67.8
66.8
65.6
64.0
62.4
60.6
S
22
0.707
0.470
0.296
0.236
0.213
0.208
0.204
0.202
0.199
0.197
0.197
∠S
22
--38.2
--51.1
--55.3
--56.1
--56.6
--57.9
--60.7
--63.5
--67.9
--71.2
--74.2
VCE = 2V ， IC = 3mA电流， ZO = 50Ω
频率（MHz ）
100
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
S
11
0.858
0.782
0.653
0.588
0.557
0.543
0.536
0.533
0.527
0.525
0.528
∠S
11
--32.4
--60.7
--101.1
--126.5
--143.7
--156.3
--166.8
--175.5
177.0
170.3
163.8
S
21
9.413
8.187
5.855
4.337
3.444
2.871
2.446
2.145
1.904
1.714
1.564
∠S
21
157.2
138.5
113.8
98.4
87.7
78.5
70.5
63.5
57.1
51.7
45.9
S
12
0.040
0.070
0.101
0.114
0.122
0.130
0.137
0.146
0.155
0.168
0.183
∠S
12
72.6
59.2
44.5
39.1
38.0
38.6
40.3
42.5
45.0
47.3
49.2
S
22
0.945
0.833
0.637
0.515
0.454
0.426
0.407
0.393
0.382
0.379
0.378
∠S
22
--16.5
--29.3
--43.2
--50.0
--53.8
--57.1
--60.3
--63.8
--68.0
--72.0
--75.8
第A1125-5 / 6
QQ：2880707522 复制
