【FDD5N60NZ N沟道的UniFETTMII MOSFET2013年3月FDD5N60NZN沟道】,IC型号FDD5N60NZTM,FDD5N60NZTM PDF资料,FDD5N60NZTM经销商,ic,电子元器件-51电子网

FDD5N60NZ N沟道的UniFET

II MOSFET

2013年3月

FDD5N60NZ

N沟道的UniFET

二MOSFET

600 V ， 4.0 A， 2

特点

DS （ ON）

= 1.65

（ TYP 。） @ V

= 10 V，I

= 2.0 A

低栅极电荷（典型值10 NC ）

低C

RSS

（典型值5 pF的）

100 ％雪崩测试

改进dv / dt能力

ESD性能改进

符合RoHS

描述

的UniFET

II MOSFET是飞兆半导体

的高电压

基于先进的平面条形和DMOS MOSFET系列技

术。这种先进的MOSFET系列具有最小导通状态

间的平面型MOSFET的电阻，并且还提供优异的

开关性能和较高的雪崩能量强度。在

此外，内部栅极 - 源极ESD二极管允许的UniFET II MOSFET

承受超过2kV的HBM激增的压力。该系列器件是suit-

能够为开关电源转换器的应用，如功率因数

校正（PFC），平板显示器（FPD）电视电源， ATX和电

TRONIC灯镇流器。

应用

LCD / LED /等离子电视

- 照明

·不间断电源

D- PAK

MOSFET的最大额定值

= 25°C除非另有说明*

符号

DSS

GSS

dv / dt的

, T

英镑

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功耗

= 25 C)

- 减免上述25℃

参数

FDD5N60NZ

600

±25

单位

V / ns的

- 连续（T

= 25 C)

- 连续（T

- 脉冲

100

（注1 ）

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

4.0

2.4

216

4.0

8.3

0.7

-55到+150

300

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

1/8 ？从案例5秒

热特性

符号

θJC

θJA

参数

热阻，结到外壳，马克斯。

热阻，结到环境，马克斯。

FDD5N60NZ

1.5

单位

C / W

2011仙童半导体公司

FDD5N60NZ版本C0

www.fairchildsemi.com

FDD5N60NZ N沟道的UniFET

II MOSFET

包装标志和订购信息

器件标识

FDD5N60NZ

设备

FDD5N60NZ

包

D- PAK

带尺寸

380mm

胶带宽度

16mm

QUANTITY

2500

电气特性

= 25

C除非另有说明

符号

参数

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

开关特性

DSS

ΔBV

DSS

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门到身体漏电流

= 250μA ，V

= 0V ，T

= 25

= 250μA ，参考25

= 600V, V

= 0V

= 480V ，T

125

= ±25V, V

= 0V

600

0.6

100

±10

基本特征

GS （ TH）

DS （ ON）

栅极阈值电压

静态漏极至源极导通电阻

正向跨导

= V

, I

= 250A

= 10V ，我

= 2.0A

= 20V ，我

= 2.0A

3.0

1.65

5.0

2.00

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

G（ TOT ）

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷，在10V

门源栅极电荷

栅漏“米勒”充电

= 400V ，我

= 4.0A

= 10V

（注4 ）

= 25V, V

= 0V

F = 1MHz的

450

2.5

600

7.5

开关特性

D（上）

D（关闭）

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

= 250V ，我

= 4.0A

= 10V ，R

= 25

（注4 ）

漏源二极管的特性

最大连续漏极至源极二极管的正向电流

最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流

漏极至源极二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

= 0V时，我

= 4.0A

= 0V时，我

= 4.0A

/ DT = 100A / μs的

230

0.9

4.0

1.4

注意事项：

1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温

2， L =分别按27MH ，我

= 4.0A ，V

= 50V ，R

= 25Ω ，起始物为

= 25C

3. I

4.0A,

的di / dt

200A / μs的，V

DSS

，起始物为

= 25C

4.基本上是独立的工作温度典型特征

2011仙童半导体公司

FDD5N60NZ版本C0

www.fairchildsemi.com

FDD5N60NZ N沟道的UniFET

II MOSFET

典型性能特性

图1.区域特征

= 12.0V

10.0V

8.0V

7.0V

6.5V

6.0V

5.5V

图2.传输特性

，漏电流[ A]

*注意：

1. V

= 20V

2. 250

s脉冲测试

，漏电流[ A]

150 C

25 C

*注意：

1. 250

s脉冲测试

2. T

= 25 C

-55 C

0.1

，漏源电压[V]

，栅源电压[V]

图3.导通电阻变化对比

漏电流和栅极电压

3.5

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度

DS （ ON）

[

]

漏源导通电阻

3.0

= 10V

，反向漏电流[ A]

150 C

2.5

= 20V

25 C

2.0

*注：t

= 25 C

*注意：

1. V

= 0V

2. 250

s脉冲测试

1.5

，漏电流[ A]

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

，体二极管正向电压[ V]

1.2

图5.电容特性

1000

，栅源电压[V]

国际空间站

图6.栅极电荷特性

= 120V

= 300V

= 480V

电容[ pF的]

OSS

100

*注意：

1. V

= 0V

2， F = 1MHz的

RSS

西塞=的Cgs + Cgd的

(

CDS =短路

)

COSS =硫化镉+ Cgd的

CRSS = Cgd的

*注：我

= 4A

0.1

，漏源电压[V]

，总栅极电荷[ NC ]

2011仙童半导体公司

FDD5N60NZ版本C0

www.fairchildsemi.com

FDD5N60NZ N沟道的UniFET

II MOSFET

典型性能特性

（续）

图7.击穿电压变化

与温度的关系

1.12

DSS

， [归]

漏源击穿电压

图8.导通电阻变化

与温度的关系

2.8

DS （ ON）

， [归]

漏源导通电阻

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

-60

*注意：

1. V

= 10V

2. I

= 2.0A

1.08

1.04

1.00

0.96

0.92

0.88

-80

*注意：

1. V

= 0V

2. I

= 250

-40

120

，结温

[

]

160

-30

120

，结温

[

]

150

图9.最高安全工作区

与外壳温度

图10.最大漏极电流

，漏电流[ A]

100

1ms

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

10ms

，漏电流[ A]

0.1

*注意：

1. T

= 25 C

2. T

= 150 C

3.单脉冲

= 1.5℃ / W

0.01

100

，漏源电压[V]

1000

100

125

，外壳温度

[

]

150

图11.瞬态热响应曲线

热响应

[

]

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

*注意：

1. Z

（吨） = 1.5℃ / W的最大值。

2.占空比，D = T

3. T

- T

= P

* Z

(t)

0.01

-5

-4

矩形脉冲持续时间（秒）

-3

-2

-1

2011仙童半导体公司

FDD5N60NZ版本C0

www.fairchildsemi.com

FDD5N60NZ N沟道的UniFET

II MOSFET

栅极电荷测试电路波形&

电阻开关测试电路波形&

非钳位感应开关测试电路波形&

2011仙童半导体公司

FDD5N60NZ版本C0