【FDB2572 / FDP25722002年9月FDB2572 / FDP2572N沟道的Power】,IC型号FDB2572,FDB2572 PDF资料,FDB2572经销商,ic,电子元器件-51电子网

FDB2572 / FDP2572

2002年9月

FDB2572 / FDP2572

N沟道的PowerTrench

MOSFET

150V ， 29A ， 54mΩ

特点

r

DS （ ON）

= 45mΩ （典型值），V

GS

= 10V ，我

D

= 9A

Q

g

（ TOT ）= 26nC （典型值），V

GS

= 10V

低米勒电荷

低Q

RR

体二极管

UIS能力（单脉冲，重复脉冲）

符合AEC Q101

以前发育类型82860

应用

DC / DC转换器和离线式UPS

分布式电源架构和VRM的

主开关的24V和48V系统

高压同步整流器

直喷/柴油喷射系统

42V汽车负载控制

电子气门驱动系统

漏

（法兰）

门

来源

D

来源

漏

门

漏

（法兰）

G

TO-220AB

FDP系列

TO-263AB

FDB系列

S

MOSFET的最大额定值

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

DSS

V

GS

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

连续（T

C

= 25

o

C，V

GS

= 10V)

I

D

连续（T

C

= 100℃ ，V

GS

= 10V)

连续（T

AMB

= 25℃ ，V

GS

= 10V ，R

θJA

= 43 ℃/ W）

脉冲

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

单脉冲雪崩能量（注1 ）

功耗

减免上述25℃

工作和存储温度

o

参数

评级

150

±20

29

20

4

图4

36

135

0.9

-55至175

单位

V

A

mJ

W

W/

o

C

o

C

热特性

R

θJC

R

θJA

R

θJA

热阻结到外壳TO- 220 ， TO- 263

热阻结到环境TO- 220 ， TO- 263 （注2 ）

热阻结到环境TO- 263 ， 1英寸的铜焊盘面积

2

1.11

62

43

o

C / W

该产品的设计，以满足极端测试条件和环境，汽车行业要求。对于

要求副本，请AEC Q101为： http://www.aecouncil.com/

http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html ：可靠性数据可以在这里找到。

所有飞兆半导体产品的制造，在ISO9000和QS9000质量体系的组装和测试

认证。

2002仙童半导体公司

FDB2572 / FDP2572版本B

FDB2572 / FDP2572

包装标志和订购信息

器件标识

FDB2572

FDP2572

设备

FDB2572

FDP2572

包

TO-263AB

TO-220AB

带尺寸

330mm

管

胶带宽度

24mm

不适用

QUANTITY

800个

50个单位

电气特性

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

B

VDSS

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

I

D

= 250μA ，V

GS

= 0V

V

DS

= 120V

V

GS

= 0V

V

GS

=

±20V

T

C

= 150

o

150

-

1

250

±100

V

A

nA

基本特征

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

门源阈值电压

漏极至源极导通电阻

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

I

D

= 9A ，V

GS

=10V

I

D

= 4A ，V

GS

= 6V,

I

D

= 9A ，V

GS

= 10V ，T

C

=175

o

C

2

-

0.045

0.050

0.126

4

0.054

0.075

0.146

V

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

gs

Q

gs2

Q

gd

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷，在10V

阈值的栅极电荷

门源栅极电荷

栅极电荷阈值，以高原

栅漏“米勒”充电

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

V

GS

= 0V至10V

V

GS

= 0V至2V

V

DD

= 75V

I

D

= 9A

I

g

= 1.0毫安

-

1770

183

40

26

3.3

8

5

6

-

34

4.3

-

pF

nC

电阻开关特性

(V

GS

= 10V)

t

ON

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

开启时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

打开-O FF时间

V

DD

= 75V ，我

D

= 9A

V

GS

= 10V ，R

GS

= 11.0

-

11

14

31

14

-

36

-

66

ns

漏源二极管的特性

V

SD

t

rr

Q

RR

源极到漏极二极管电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

SD

= 9A

I

SD

= 4A

I

SD

= 9A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

I

SD

= 9A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

-

1.25

1.0

74

169

V

ns

nC

注意事项：

1:

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.2mH ，我

AS

= 19A.

2:

脉冲宽度= 100秒

2002仙童半导体公司

FDB2572 / FDP2572版本B

FDB2572 / FDP2572

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

1.2

40

35

I

D

，漏电流（ A）

30

25

20

15

10

5

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（

o

C)

0

25

50

75

100

125

T

C

，外壳温度（

o

C)

150

175

V

GS

= 10V

功耗乘法器

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

图1.归功耗与

环境温度

2.0

1.0

占空比 - 降序排列

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

图2.最大连续漏极电流VS

外壳温度

Z

θJC

归一化

热阻抗

P

DM

0.1

单脉冲

t

1

t

2

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

θJC

个R

θJC

+ T

C

0.01

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

吨，矩形脉冲持续时间（ S）

10

0

10

1

图3.归一化最大瞬态热阻抗

500

跨

可能限流

在这个区域

I

DM

峰值电流（ A）

T

C

= 25

o

C

对于温度

上述25

o

C减免PEAK

当前，如下所示：

I = I

25

175 - T

C

150

100

V

GS

= 10V

20

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

T，脉冲宽度（S ）

10

-1

10

0

10

1

图4.峰值电流容量

2002仙童半导体公司

FDB2572 / FDP2572版本B

FDB2572 / FDP2572

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

1000

100

起始物为

J

= 25

o

C

10

10s

100

100s

I

AS

，雪崩电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

1ms

10

操作在此

区域可以

限于由R

DS （ ON）

1

单脉冲

T

J

=最大额定

T

C

= 25

o

C

0.1

1

10

100

V

DS

，漏源极电压（ V）

200

DC

10ms

1

起始物为

J

= 150

o

C

如果R = 0

t

AV

= （L）（我

AS

） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

)

若R

≠

0

t

AV

= （ L / R） LN [（我

AS

* R ） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

) +1]

0.1

0.001

0.01

0.1

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

1

图5.正向偏置安全工作区

注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515

图6.松开电感式开关

能力

60

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

V

DD

= 15V

I

D

，漏电流（ A）

T

C

= 25

o

C

50

V

GS

= 10V

50

I

D

，漏电流（ A）

40

T

J

=

30

T

J

= 25

o

C

T

J

=

10

-55

o

C

175

o

C

40

V

GS

= 6V

V

GS

= 7V

30

20

V

GS

= 5V

10

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

0

1

2

3

4

V

DS

，漏源极电压（ V）

5

0

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

V

GS

，门源电压（ V）

6.5

0

图7.传热特性

60

漏极至源极导通电阻（M

)

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

归一漏极至源极

抗性

图8.饱和特性

3.0

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

2.5

55

V

GS

= 6V

2.0

50

V

GS

= 10V

45

1.5

1.0

0.5

V

GS

= 10V ，我

D

=9A

0

40

0

10

20

30

-80

-40

I

D

，漏电流（ A）

0

40

80

120

160

T

J

，结温（

o

C)

200

图9.漏极至源极导通电阻VS漏

当前

图10.归一漏极至源极ON

电阻与结温

2002仙童半导体公司

FDB2572 / FDP2572版本B

FDB2572 / FDP2572

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

1.4

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

1.2

归一化门

阈值电压

归一漏极至源极

击穿电压

1.2

I

D

= 250A

1.1

1.0

0.8

1.0

0.6

0.4

-80

-40

0

40

80

120

160

T

J

，结温（

o

C)

200

0.9

-80

-40

0

40

80

120

160

T

J

，结温（

o

C)

200

图11.归一化栅极阈值电压Vs

结温

1000

C

国际空间站

=

C

GS

+ C

GD

C

OSS

C

DS

+ C

GD

图12.归漏极至源极

击穿电压VS结温

10

V

DD

= 75V

V

GS

，门源电压（ V）

1000

C，电容（pF ）

8

6

C

RSS

=

C

GD

100

4

2

V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

10

0.1

1

10

V

DS

，漏源极电压（ V）

150

任意波形

降序排列：

I

D

= 9A

I

D

= 4A

0

5

10

15

20

Q

g

，栅极电荷（ NC）

25

30

0

图13.电容VS漏极至源极

电压

图14.门充电波形恒

门电流

2002仙童半导体公司

FDB2572 / FDP2572版本B

SMD型

产品speci fi cation

KDB2572

(FDB2572)

特点

r

DS （ ON）

= 45m

（典型值），V

GS

= 10V ，我

D

= 9A

+0.1

1.27

-0.1

TO

-

263

+0.1

1.27

-0.1

+0.2

4.57

-0.2

单位：mm

Q

G（ TOT ）

= 26nC （典型值），V

GS

= 10V

低米勒电荷

+0.2

8.7

-0.2

UIS能力（单脉冲，重复脉冲）

+0.1

1.27

-0.1

0.1max

+0.1

0.81

-0.1

+0.2

5.28

-0.2

2.54

+0.2

-0.2

+0.1

5.08

-0.1

+0.2

2.54

-0.2

+0.2

15.25

-0.2

2.54

+0.2

0.4

-0.2

绝对最大额定值大= 25

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流连续

T

C

=25

T

A

=25

功耗

减免上述25

热阻结到环境

热阻，结到外壳

通道温度

储存温度

R

θJA

R

θJC

T

ch

T

英镑

P

D

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

等级

150

20

29

4

135

0.9

43

1.11

175

-55到+175

单位

V

A

W

W/

/W

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

5.60

1门

2漏

3源

低Q

RR

体二极管

4008-318-123

1 2

SMD型

产品speci fi cation

KDB2572

(FDB2572)

电气特性TA = 25

参数

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极漏电流

栅极阈值电压

符号

V

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

I

D

=250ìA

Testconditons

V

GS

=0V

民

150

1

250

100

2.0

4.0

0.045 0.054

0.050 0.075

0.126 0.146

1770

V

DS

=25V,V

GS

=0,f=1MHZ

183

40

V

GS

= 0V至10V

V

GS

= 0V至2V

26

3.3

8

V

DS

= 75 V，I

D

= 9A ，我

g

=1.0mA

5

6

36

11

V

DD

= 75 V，I

D

= 9 A,

V

GS

= 10 V ，R

根

= 11

14

31

14

66

I

SD

=9A

I

SD

=4A

I

SD

= 9A ，D

ISD

/d

t

=100A/ìs

I

SD

= 9A ，D

ISD

/d

t

=100A/ìs

1.25

1.0

74

169

34

4.3

pF

nC

ns

V

ns

nC

典型值

最大

单位

V

A

nA

V

DS

=120V,V

GS

=0

V

DS

=120V,V

GS

=0,T

C

=150

V

GS

= 20V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250ìA

V

GS

=10V,I

D

=9A

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

V

GS

=6V,I

D

=4A

V

GS

=10V,I

D

=9A,T

C

=175

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷，在10V

阈值的栅极电荷

门源栅极电荷

栅极电荷阈值，以高原

栅漏"Miller"费

开启时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

打开-O FF时间

源极到漏极二极管电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

gs

Q

gs2

Q

gd

t

ON

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

V

SD

tr

r

Q

RR

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sales@twtysemi.com

4008-318-123

2 2