FGL40N120AND 1200V NPT IGBT
2005年2月
FGL40N120AND
1200V NPT IGBT
特点
高开关速度
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 2.6 V @ I
C
= 40A
高输入阻抗
CO- PAK ， IGBT与FRD ：吨
rr
= 75ns （典型值）。
描述
采用NPT技术，飞兆半导体的IGBT和系列
提供低传导损耗和开关损耗。该系列与
提供诸如感应加热应用的溶液（ 1H），
电机控制，通用逆变器和不间断
电源（UPS ） 。
应用
感应加热， UPS ， AC &直流马达控制和通用
通用变频器。
C
G
TO-264
克碳
E
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM(1)
I
F
I
FM
P
D
SCWT
T
J
T
英镑
T
L
注意事项：
（ 1 ）脉冲宽度有限的最大值。结温
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
最大功率耗散
最大功率耗散
短路承受时间，
V
CE
= 600V, V
GE
= 15V ，T
C
= 125°C
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@T
C
= 25°C
@T
C
= 100°C
@T
C
= 100°C
@T
C
= 25°C
@T
C
= 100°C
FGL40N120AND
1200
±25
64
40
120
40
240
500
200
10
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
s
°C
°C
°C
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
1
典型值。
--
--
--
马克斯。
0.25
0.7
25
单位
° C / W
° C / W
° C / W
www.fairchildsemi.com
2005仙童半导体公司
FGL40N120AND版本A
FGL40N120AND 1200V NPT IGBT
包装标志和订购信息
器件标识
FGL40N120AND
设备
FGL40N120AND
包
TO-264
带尺寸
-
胶带宽度
-
QUANTITY
25
IGBT的电气特性
符号
开关特性
BV
CES
BV
CES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
分解温度系数
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
1200
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
1
±250
V
V /°C的
mA
nA
基本特征
V
GE （日）
G- ê阈值电压
I
C
= 250μA ，V
CE
= V
GE
I
C
= 40A ，V
GE
= 15V
V
CE （ SAT ）
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 40A ，V
GE
= 15V,
T
C
= 125°C
I
C
= 64A ，V
GE
= 15V
动态特性
C
IES
C
OES
c
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V, V
GE
= 0V
F = 1MHz的
--
--
--
3200
370
125
--
--
--
pF
pF
pF
3.5
--
--
--
5.5
2.6
2.9
3.15
7.5
3.2
--
--
V
V
V
V
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
V
CE
= 600V ，我
C
= 40A,
V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ，我
C
= 40A,
R
G
= 5, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 125°C
V
CC
= 600V ，我
C
= 40A,
R
G
= 5, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25°C
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
15
20
110
40
2.3
1.1
3.4
20
25
120
45
2.5
1.8
4.3
25
130
220
--
--
--
80
3.45
1.65
5.1
--
--
--
--
--
--
--
38
195
330
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
nC
nC
nC
2
FGL40N120AND版本A
www.fairchildsemi.com
FGL40N120AND 1200V NPT IGBT
二极管的电气特性
T
符号
V
FM
t
rr
I
rr
Q
rr
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
二极管的正向电压
测试条件
I
F
= 40A
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
I
F
= 40A,
的di / dt = 200A / μs的
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
分钟。
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值。
3.2
2.7
75
130
8
13
300
845
马克斯。
4.0
--
112
--
12
--
450
--
单位
V
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复
当前
二极管的反向恢复电荷
nS
A
nC
3
FGL40N120AND版本A
www.fairchildsemi.com
FGL40N120AND 1200V NPT IGBT
典型性能特性
图1.典型的输出特性
300
T
C
= 25
°
C
图2.典型的饱和电压
特征
150
共发射极
V
GE
= 15V
120
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
250
20V
17V
15V
集电极电流，I
C
[A]
200
12V
集电极电流，I
C
[A]
10
90
150
60
100
V
GE
= 10V
50
30
0
0
2
4
6
8
0
0
2
4
6
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图3.饱和电压与案例
温度变电流等级
5
共发射极
V
GE
= 15V
图4.负载电流与频率的关系
80
70
60
V
CC
= 600V
负载电流：方波的峰值
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
4
80A
负载电流[ A]
50
40
30
20
10
占空比： 50 ％
T
C
= 100
°
C
功耗= 100W
0.1
1
10
100
1000
3
40A
2
I
C
= 20A
1
25
50
75
100
125
0
外壳温度，T
C
[
°
C]
频率[千赫]
图5.饱和电压与V
GE
20
共发射极
T
C
= 25
°
C
图6.饱和电压与V
GE
20
共发射极
T
C
= 125
°
C
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
12
12
8
8
80A
4
40A
I
C
= 20A
0
0
4
8
12
16
20
80A
4
40A
I
C
= 20A
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
4
FGL40N120AND版本A
www.fairchildsemi.com
FGL40N120AND 1200V NPT IGBT
典型性能特性
图7.电容特性
6000
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
5000
西塞
T
C
= 25
°
C
（续）
图8.导通特性上与门
阻力
100
电容[ pF的]
4000
开关时间[ NS ]
tr
3000
2000
科斯
1000
CRSS
TD （上）
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 40A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
0
1
10
10
0
10
20
30
40
50
60
70
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
栅极电阻，R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V ，我
C
= 40A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
TD （关闭）
图10.开关损耗与栅极电阻
1000
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 40A
10
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
宙
100
开关损耗[兆焦耳]
开关时间[ NS ]
EOFF
tf
1
10
0
10
20
30
40
50
60
70
0
10
20
30
40
50
60
70
栅极电阻，R
G
[
]
栅极电阻，R
G
[
]
图11.导通特性上与
集电极电流
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 5
100
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
tr
图12.关断特性对比
集电极电流
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 5
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
TD （关闭）
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
100
tf
TD （上）
10
20
30
40
50
60
70
80
20
30
40
50
60
70
80
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
5
FGL40N120AND版本A
www.fairchildsemi.com
FGL40N120AND 1200V NPT IGBT
2006年1月
FGL40N120AND
1200V NPT IGBT
特点
高开关速度
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 2.6 V @ I
C
= 40A
高输入阻抗
CO- PAK ， IGBT与FRD ：吨
rr
= 75ns （典型值）。
描述
采用NPT技术，飞兆半导体的IGBT和系列
提供低传导损耗和开关损耗。该系列与
提供诸如感应加热应用的溶液（ 1H），
电机控制，通用逆变器和不间断
电源（UPS ） 。
应用
感应加热， UPS ， AC &直流马达控制和通用
通用变频器。
C
G
TO-264
克碳
E
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM(1)
I
F
I
FM
P
D
SCWT
T
J
T
英镑
T
L
注意事项：
（ 1 ）脉冲宽度有限的最大值。结温
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
最大功率耗散
最大功率耗散
短路承受时间，
V
CE
= 600V, V
GE
= 15V ，T
C
= 125°C
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@T
C
= 25°C
@T
C
= 100°C
@T
C
= 100°C
@T
C
= 25°C
@T
C
= 100°C
FGL40N120AND
1200
±25
64
40
120
40
240
500
200
10
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
s
°C
°C
°C
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
1
典型值。
--
--
--
马克斯。
0.25
0.7
25
单位
° C / W
° C / W
° C / W
www.fairchildsemi.com
2006仙童半导体公司
FGL40N120AND版本A
FGL40N120AND 1200V NPT IGBT
包装标志和订购信息
器件标识
FGL40N120AND
设备
FGL40N120AND
包
TO-264
带尺寸
-
T
C
= 25 ° C除非另有说明
胶带宽度
-
QUANTITY
25
IGBT的电气特性
符号
开关特性
BV
CES
BV
CES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
分解温度系数
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
参数
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
1200
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
1
±250
V
V /°C的
mA
nA
基本特征
V
GE （日）
G- ê阈值电压
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 250μA ，V
CE
= V
GE
I
C
= 40A ，V
GE
= 15V
V
CE （ SAT ）
I
C
= 40A ，V
GE
= 15V,
T
C
= 125°C
I
C
= 64A ，V
GE
= 15V
动态特性
C
IES
C
OES
c
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V, V
GE
= 0V
F = 1MHz的
--
--
--
3200
370
125
--
--
--
pF
pF
pF
3.5
--
--
--
5.5
2.6
2.9
3.15
7.5
3.2
--
--
V
V
V
V
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
V
CE
= 600V ，我
C
= 40A,
V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ，我
C
= 40A,
R
G
= 5, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 125°C
V
CC
= 600V ，我
C
= 40A,
R
G
= 5, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25°C
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
15
20
110
40
2.3
1.1
3.4
20
25
120
45
2.5
1.8
4.3
25
130
220
--
--
--
80
3.45
1.65
5.1
--
--
--
--
--
--
--
38
195
330
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
nC
nC
nC
FGL40N120AND版本A
2
www.fairchildsemi.com
FGL40N120AND 1200V NPT IGBT
二极管的电气特性
T
符号
V
FM
t
rr
I
rr
Q
rr
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复
当前
二极管的反向恢复电荷
测试条件
I
F
= 40A
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
I
F
= 40A,
的di / dt = 200A / μs的
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
分钟。
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值。
3.2
2.7
75
130
8
13
300
845
马克斯。
4.0
--
112
--
12
--
450
--
单位
V
nS
A
nC
FGL40N120AND版本A
3
www.fairchildsemi.com
FGL40N120AND 1200V NPT IGBT
典型性能特性
图1.典型的输出特性
300
T
C
= 25
°
C
图2.典型的饱和电压
特征
150
共发射极
V
GE
= 15V
120
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
250
20V
17V
15V
集电极电流，I
C
[A]
200
12V
集电极电流，I
C
[A]
10
90
150
60
100
V
GE
= 10V
50
30
0
0
2
4
6
8
0
0
2
4
6
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图3.饱和电压与案例
温度变电流等级
5
共发射极
V
GE
= 15V
图4.负载电流与频率的关系
80
70
60
V
CC
= 600V
负载电流：方波的峰值
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
4
80A
负载电流[ A]
50
40
30
20
10
占空比： 50 ％
T
C
= 100
°
C
功耗= 100W
0.1
1
10
100
1000
3
40A
2
I
C
= 20A
1
25
50
75
100
125
0
外壳温度，T
C
[
°
C]
频率[千赫]
图5.饱和电压与V
GE
20
共发射极
T
C
= 25
°
C
图6.饱和电压与V
GE
20
共发射极
T
C
= 125
°
C
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
12
12
8
80A
4
40A
I
C
= 20A
0
0
4
8
12
16
20
8
80A
4
40A
I
C
= 20A
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
FGL40N120AND版本A
4
www.fairchildsemi.com
FGL40N120AND 1200V NPT IGBT
典型性能特性
图7.电容特性
6000
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25
°
C
西塞
（续）
图8.导通特性上与门
阻力
5000
100
开关时间[ NS ]
电容[ pF的]
4000
tr
3000
2000
科斯
1000
CRSS
TD （上）
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 40A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
0
1
10
10
0
10
20
30
40
50
60
70
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
栅极电阻，R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
1000
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V ，我
C
= 40A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
TD （关闭）
图10.开关损耗与栅极电阻
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 40A
10
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
宙
100
tf
开关损耗[兆焦耳]
开关时间[ NS ]
EOFF
1
10
0
10
20
30
40
50
60
70
0
10
20
30
40
50
60
70
栅极电阻，R
G
[
]
栅极电阻，R
G
[
]
图11.导通特性上与
集电极电流
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 5
100
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
tr
图12.关断特性对比
集电极电流
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 5
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
TD （关闭）
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
100
tf
TD （上）
10
20
30
40
50
60
70
80
20
30
40
50
60
70
80
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
FGL40N120AND版本A
5
www.fairchildsemi.com
QQ：2881677436 复制
