1998年11月
FDN336P
单P沟道2.5V指定的PowerTrench
TM
MOSFET
概述
这种P沟道2.5V指定MOSFET产生
利用飞兆半导体先进的PowerTrench
已特别是针对减少的过程中
通态电阻，但保持为低栅极电荷
出色的开关性能。
这些装置非常适用于便携式电子
应用：负载开关和电源管理，
电池充电电路和DC / DC转换。
特点
-1.3 A， -20 V.
DS （ ON）
= 0.20
@ V
GS
= -4.5 V
R
DS （ ON）
= 0.27
@ V
GS
= -2.5 V.
低栅极电荷（ 3.6 NC典型值） 。
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
.
高功率版本的行业标准SOT- 23封装。
相同的引脚排列， SOT- 23高30％的功率处理
能力。
SOT-23
SuperSOT -6
TM
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D
D
6
33
S
SuperSOT -3
TM
G
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
T
A
= 25
o
C除非其他明智的注意
FDN336P
-20
±8
单位
V
V
A
- 连续
- 脉冲
-1.3
-10
（注1A ）
（注1B ）
最大功率耗散
0.5
0.46
-55到+150
W
工作和存储温度范围
°C
热特性
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
250
75
° C / W
° C / W
1998仙童半导体公司
FDN336P Rev.C
电气特性
(T
A
= 25
O
C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25
o
C
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
（注2 ）
-20
-16
-1
-10
100
-100
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
nA
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25
o
C
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -1.3 A
T
J
=125°C
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -1.1 A
-0.4
-0.9
3
0.122
0.18
0.19
-5
4
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压温度。系数
静态漏源导通电阻
-1.5
V
毫伏/
o
C
V
GS （ TH）
/
T
J
R
DS （ ON）
0.2
0.32
0.27
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
注意：
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -4.5 V，I
D
= -2 A
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
A
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
330
80
35
pF
pF
pF
开关特性
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= -5 V，I
D
= -0.5 A,
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 6
7
12
16
5
15
22
26
12
5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= -10 V，I
D
= - 2 A,
V
GS
= -4.5 V
3.6
0.8
0.7
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -0.42 A
（注）
-0.42
-0.7
-1.2
A
V
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a. 250
o
安装时C / W
在0.02
2
垫2盎司铜。
b. 270
o
安装时C / W
在0.001
2
垫2盎司铜。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDN336P Rev.C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
相当系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
1998年11月
FDN336P
单P沟道2.5V指定的PowerTrench
TM
MOSFET
概述
这种P沟道2.5V指定MOSFET产生
利用飞兆半导体先进的PowerTrench
已特别是针对减少的过程中
通态电阻，但保持为低栅极电荷
出色的开关性能。
这些装置非常适用于便携式电子
应用：负载开关和电源管理，
电池充电电路和DC / DC转换。
特点
-1.3 A， -20 V.
DS （ ON）
= 0.20
@ V
GS
= -4.5 V
R
DS （ ON）
= 0.27
@ V
GS
= -2.5 V.
低栅极电荷（ 3.6 NC典型值） 。
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
.
高功率版本的行业标准SOT- 23封装。
相同的引脚排列， SOT- 23高30％的功率处理
能力。
SOT-23
SuperSOT -6
TM
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D
D
6
33
S
SuperSOT -3
TM
G
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
T
A
= 25
o
C除非其他明智的注意
FDN336P
-20
±8
单位
V
V
A
- 连续
- 脉冲
-1.3
-10
（注1A ）
（注1B ）
最大功率耗散
0.5
0.46
-55到+150
W
工作和存储温度范围
°C
热特性
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
250
75
° C / W
° C / W
1998仙童半导体公司
FDN336P Rev.C
电气特性
(T
A
= 25
O
C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25
o
C
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
（注2 ）
-20
-16
-1
-10
100
-100
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
nA
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25
o
C
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -1.3 A
T
J
=125°C
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -1.1 A
-0.4
-0.9
3
0.122
0.18
0.19
-5
4
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压温度。系数
静态漏源导通电阻
-1.5
V
毫伏/
o
C
V
GS （ TH）
/
T
J
R
DS （ ON）
0.2
0.32
0.27
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
注意：
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -4.5 V，I
D
= -2 A
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
A
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
330
80
35
pF
pF
pF
开关特性
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= -5 V，I
D
= -0.5 A,
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 6
7
12
16
5
15
22
26
12
5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= -10 V，I
D
= - 2 A,
V
GS
= -4.5 V
3.6
0.8
0.7
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -0.42 A
（注）
-0.42
-0.7
-1.2
A
V
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a. 250
o
安装时C / W
在0.02
2
垫2盎司铜。
b. 270
o
安装时C / W
在0.001
2
垫2盎司铜。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDN336P Rev.C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
相当系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
QQ：2880707522 复制
