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FQP18N50V2/FQPF18N50V2

QFET

FQP18N50V2/FQPF18N50V2

500V N沟道MOSFET

概述

这些N沟道增强型功率场效应

晶体管采用飞兆半导体专有的，

平面条形， DMOS技术。

这种先进的技术已特别针对

最大限度地减少通态电阻，优越的开关

性能，并能承受高能量脉冲

雪崩和减刑模式。这些装置是公

适合于高效率的开关模式电源，

有源功率因数校正，电子镇流器

基于半桥拓扑。

TM

特点

18A ， 500V ，R

DS （ ON）

= 0.265 @V

GS

= 10 V

低栅极电荷（典型的42 NC）

低的Crss （典型值11 pF的）

快速开关

100％的雪崩测试

改进的dv / dt能力

D

!

●

▲

●

G

!

g DS的

TO-220

FQP系列

GD S

TO-220F

FQPF系列

!

S

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GSS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

T

J

, T

英镑

T

L

T

C

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源电压

- 连续（T

C

= 25°C)

漏电流

- 连续（T

C

= 100°C)

漏电流

- 脉冲

（注1 ）

FQP18N50V2

18

12.1

72

FQPF18N50V2

500

18

12.1

72

±

30

330

18

25

4.5

单位

V

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W / ℃，

°C

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

C

= 25°C)

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

- 减免上述25℃

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒

208

1.67

-55到+150

300

69

0.55

热特性

符号

R

θJC

R

θCS

R

θJA

参数

热阻，结到外壳

热电阻，外壳到散热器

热阻，结到环境

FQP18N50V2

0.6

0.5

62.5

FQPF18N50V2

1.8

--

62.5

单位

° C / W

2002仙童半导体公司

版本B ， 2002年8月

FQP18N50V2/FQPF18N50V2

电气特性

符号

参数

T

C

= 25 ° C除非另有说明

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

/

T

J

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

A

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

DS

= 500 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 400 V ，T

C

= 125°C

V

GS

= 30 V, V

DS

= 0 V

V

GS

= -30 V, V

DS

= 0 V

500

--

0.5

--

1

10

100

-100

V

V /°C的

A

nA

基本特征

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

正向跨导

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

A

V

GS

= 10 V，I

D

= 9 A

V

DS

= 40 V，I

D

= 9 A

（注4 ）

3.0

--

0.225

16

5.0

0.265

--

V

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

V

DS

= 400 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

V

DS

= 0V至400 V ，V

GS

= 0 V

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

--

2530

300

11

76

150

3290

390

14.3

--

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

V

DS

= 400 V，I

D

= 18 A,

V

GS

= 10 V

（注4,5）

V

DD

= 250 V，I

D

= 18 A,

R

G

= 25

（注4,5）

--

40

150

95

110

42

12

14

90

310

200

230

55

--

ns

nC

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

V

GS

= 0 V，I

S

= 18 A

漏源二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0 V，I

S

= 18 A,

dI

F

/ DT = 100 A / μs的

（注4 ）

--

420

5.4

18

72

1.4

--

A

V

ns

C

注意事项：

1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 1.83mH ，我

AS

= 18A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25

,

起始物为

J

= 25°C

3. I

SD

≤

图18A中， di / dt的

≤

200A / μs的，V

DD

≤

BV

DSS ，

起始物为

J

= 25°C

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%

5.基本上是独立工作温度

2002仙童半导体公司

版本B ， 2002年8月

FQP18N50V2/FQPF18N50V2

典型特征

V

GS

上图：

15.0 V

10.0 V

8.0 V

10

1

7.0 V

6.5 V

6.0 V

下图：

5.5 V

I

D

，漏电流[ A]

I

D

，漏电流[ A]

10

1

150℃

25℃

-55℃

10

0

10

0

※

注意事项：

1. 250μ s脉冲测试

2. T

C

= 25℃

10

-1

※

注意事项：

1. V

DS

= 40V

2. 250μ s脉冲测试

10

-1

10

0

10

1

10

-1

V

DS

，漏源电压[V]

2

4

6

8

10

V

GS

，栅源电压[V]

图1.区域特征

图2.传输特性

1.0

漏源导通电阻

I

DR

，反向漏电流[ A]

0.8

R

DS （ ON）

[Ω ],

10

1

0.6

V

GS

= 10V

0.4

V

GS

= 20V

0.2

※

注：t

J

= 25℃

10

0

150℃

25℃

0.0

0

10

20

30

40

50

60

70

※

注意事项：

1. V

GS

= 0V

2. 250μ s脉冲测试

10

-1

I

D

，漏电流[ A]

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图3.导通电阻变化对比

漏电流和栅极电压

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度

7000

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

(C

ds

=短路）

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

C

RSS

= C

gd

12

V

DS

= 100V

10

6000

V

DS

= 250V

V

DS

= 400V

5000

V

GS

，栅源电压[V]

8

电容[ pF的]

4000

6

3000

C

国际空间站

C

OSS

※

注意事项：

1. V

GS

= 0 V

4

2000

1000

2. F = 1 MHz的

2

※

注：我

D

= 18A

C

RSS

0

-1

10

0

10

1

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

图5.电容特性

图6.栅极电荷特性

2002仙童半导体公司

版本B ， 2002年8月

FQP18N50V2/FQPF18N50V2

典型特征

（续）

1.2

3.0

BV

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

R

DS （ ON）

（归一化）

1.1

漏源导通电阻

2.5

2.0

1.0

1.5

1.0

※

注意事项：

0.9

※

注意事项：

1. V

GS

= 0 V

2. I

D

= 250

μ

A

0.5

1. V

GS

= 10 V

2. I

D

= 9 A

0.8

-100

-50

0

50

100

o

150

200

0.0

-100

-50

0

50

100

o

150

200

T

J

，结温[C]

T

J

，结温[C]

图7.击穿电压变化

与温度的关系

图8.导通电阻变化

与温度的关系

在这一领域

10

2

由R有限公司

DS （ ON）

10

2

由R有限公司

DS （ ON）

I

D

，漏电流[ A]

I

D

，漏电流[ A]

100美

1毫秒

10

1

100美

10

1

1毫秒

10毫秒

100毫秒

DC

10毫秒

DC

※

注意事项：

1. T

C

= 25 C

2. T

J

= 150 C

3.单脉冲

o

10

0

10

0

※

注意事项：

1. T

C

= 25 C

2. T

J

= 150 C

3.单脉冲

o

10

-1

10

0

-1

10

1

10

2

10

3

10

0

10

1

10

2

10

3

V

DS

，漏源电压[V]

V

DS

，漏源电压[V]

图9-1 。最大安全工作区

对于FQP18N50V2

图9-2 。 Maxiumum安全工作区

对于FQPF18N50V2

20

15

I

D

，漏电流[ A]

10

5

0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度[ ℃ ]

图10.最大漏极电流

与外壳温度

2002仙童半导体公司

版本B ， 2002年8月

FQP18N50V2/FQPF18N50V2

典型特征

（续）

（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E

10

0

D = 0 .5

10

-1

0 .2

0 .1

0 .0 5

0 .0 2

0 .0 1

※

N 2 O TE S：

1. Z

θ

JC

(t) = 0 .6

℃

/ W M A X 。

2 。 ü TY F A C到R，D = T

1

/t

2

3. T

JM

- T

C

= P

DM

* Z

θ

JC

(t)

JC

P

DM

S IN克乐P ü LS ê

Z

10

-2

t

1

t

2

θ

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

t

1

，S单方W AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]

图11-1 。瞬态热响应曲线FQP18N50V2

（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E

10

0

D = 0 .5

0 .2

※

N 2 O TE S：

1. Z

θ

JC

0 .1

10

-1

(t) = 1 .8

℃

/ W M A X 。

0 .0 5

0 .0 2

0 .0 1

S IN克乐P ü LS ê

2 。 ü TY F A C到R，D = T

1

/t

2

3. T

JM

- T

C

= P

DM

* Z

θ

JC

(t)

P

DM

t

1

t

2

-2

-1

0

1

θ

JC

Z

10

-2

10

-5

10

-4

10

-3

10

t

1

，S单方W AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]

图11-2 。瞬态热响应曲线FQPF18N50V2

2002仙童半导体公司

版本B ， 2002年8月