FGH75N60UF 600V ， 75A场截止IGBT
2009年4月
FGH75N60UF
600V ， 75A场截止IGBT
特点
高电流能力
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 1.9V @我
C
= 75A
高输入阻抗
快速开关
符合RoHS
tm
概述
使用新型场站IGBT技术，飞兆半导体的新型
系列的场截止IGBT的提供最佳性能
感应加热， UPS ， SMPS和PFC应用中的低
传导和开关损耗是必不可少的。
应用
感应加热， UPS ， SMPS ， PFC
E
C
G
集热器
（法兰）
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
=
25
o
C
@ T
C
= 100
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 100 C
o
评级
600
20
150
75
225
452
181
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
W
W
o
C
o
C
o
C
注意事项：
1 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
-
-
马克斯。
0.276
40
单位
o
o
C / W
C / W
2009仙童半导体公司
1
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FGH75N60UF牧师A1
FGH75N60UF 600V ， 75A场截止IGBT
包装标志和订购信息
器件标识
FGH75N60UF
设备
FGH75N60UFTU
包
TO-247
包装
TYPE
管
最大数量
每管数量
30ea
每盒
-
IGBT的电气特性
符号
开关特性
BV
CES
ΔBV
CES
T
J
I
CES
I
GES
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
集电极到发射极击穿电压V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
分解温度系数
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
600
-
-
-
-
0.75
-
-
-
-
250
±400
V
V/
o
C
A
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极饱和电压
I
C
= 250μA ，V
CE
= V
GE
I
C
= 75A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 75A
,
V
GE
= 15V,
T
C
= 125
o
C
4.0
-
-
5.0
1.9
2.15
6.5
2.4
-
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
-
-
-
3850
375
147
-
-
-
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
总栅极电荷
门极 - 发射极充
门到集充电
V
CE
= 400V ，我
C
= 75A,
V
GE
= 15V
V
CC
= 400V ，我
C
= 75A,
R
G
= 3, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 125
o
C
V
CC
= 400V ，我
C
= 75A,
R
G
= 3, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
27
70
128
30
3.05
1.35
4.4
27
74
153
35
3.6
1.8
5.4
250
30
130
-
-
-
80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
nC
nC
nC
FGH75N60UF牧师A1
2
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FGH75N60UF 600V ， 75A场截止IGBT
典型性能特性
图1.典型的输出特性
225
T
C
= 25 C
o
图2.典型的输出特性
225
T
C
= 125 C
o
集电极电流，I
C
[A]
10V
集电极电流，I
C
[A]
180
20V
15V
12V
20V
15V
12V
10V
180
135
135
90
V
GE
= 8V
90
V
GE
= 8V
45
45
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
6
0
0.0
1.5
3.0
4.5
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
6.0
图3.典型的饱和电压
特征
225
共发射极
V
GE
= 15V
图4.传输特性
225
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
180
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
100
共发射极
V
CE
= 20V
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
135
90
10
45
0
0
1
2
3
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
4
1
2
4
6
8
10
栅极 - 发射极电压，V
GE
[V]
12
图5.饱和电压与案例
温度变电流等级
3.6
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
共发射极
V
GE
= 15V
图6.饱和电压与V
GE
20
集电极 - 发射极电压
,
V
CE
[V]
共发射极
T
C
= -40 C
o
3.0
150A
16
12
2.4
75A
8
1.8
I
C
= 40A
4
75A
I
C
= 40A
150A
1.2
25
50
75
100
125
o
集电极 - EmitterCase温度，T
C
[
C
]
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
FGH75N60UF牧师A1
3
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FGH75N60UF 600V ， 75A场截止IGBT
典型性能特性
图7.饱和电压与V
GE
20
集电极 - 发射极电压
,
V
CE
[V]
共发射极
T
C
= 25 C
o
图8.饱和电压与V
GE
20
共发射极
T
C
= 125 C
o
集电极 - 发射极电压，V
CE
[
V
]
16
16
12
12
8
150A
8
75A
I
C
= 40A
150A
4
75A
I
C
= 40A
4
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
图9.电容特性
8000
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25 C
o
图10.栅极电荷特性
15
共发射极
o
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
T
C
= 25 C
6000
电容[ pF的]
12
200V
V
CC
= 100V
300V
C
IES
9
4000
C
OES
6
2000
C
水库
3
0
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
30
0
0
50
100
150
200
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
250
图11. SOA特征
500
10
s
图12.负载电流与频率的关系
140
V
CC
= 400V
负载电流：方波的峰值
负载电流[ A]
100
集电极电流，I
c
[A]
100
s
120
100
80
60
40
20
1
10
100
频率[千赫]
1000
占空比： 50 ％
T = 100
C
C
o
10
1ms
10毫秒
1
单非重复性
脉冲TC = 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
DC
0.1
0.01
1
10
100
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
1000
鲍威消耗= 181W
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4
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FGH75N60UF 600V ， 75A场截止IGBT
典型性能特性
图13.导通特性上的VS.
栅极电阻
200
图14.关断特性对比
栅极电阻
10000
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 5
100
开关时间[ NS ]
T
C
= 25 C
o
开关时间[ NS ]
t
r
1000
T
C
= 125 C
o
t
D（关闭）
t
D（上）
共发射极
V
CC
= 400V, V
GE
= 15V
I
C
= 75A
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
100
t
f
10
0
10
20
30
40
栅极电阻，R
G
[
]
50
10
0
10
20
30
40
50
集电极电流，I
C
[A]
图15.导通特性上与
集电极电流
1000
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 5
T
C
= 25 C
o
图16.关断特性对比
集电极电流
1000
t
r
t
D（关闭）
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
100
T
C
= 125 C
o
100
t
f
t
D（上）
10
10
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 5
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
1
0
30
60
90
120
集电极电流，I
C
[A]
150
1
0
30
60
90
120
150
集电极电流，I
C
[A]
图17.开关损耗与栅极电阻
10
共发射极
V
CC
= 400V, V
GE
= 15V
图18.开关损耗与集电极电流
100
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 5
T
C
= 25 C
o
o
8
开关损耗[兆焦耳]
I
C
= 75A
o
6
T
C
= 125 C
E
on
开关损耗[兆焦耳]
T
C
= 25 C
o
10
T
C
= 125 C
E
on
4
E
关闭
E
关闭
1
2
0
0
10
20
30
40
栅极电阻，R
G
[
]
50
0.1
0
30
60
90
120
150
集电极电流，I
C
[A]
FGH75N60UF牧师A1
5
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