STP12NK60Z
STF12NK60Z
N沟道600V - 0.53Ω - 10A TO- 220 / TO- 220FP
齐纳保护的超网 MOSFET
表1 ：一般特点
TYPE
STP12NK60Z
STF12NK60Z
■
■
■
■
■
■
图1 ：包装
I
D
10 A
10 A
Pw
150 W
35 W
V
DSS
600 V
600 V
R
DS （ ON）
< 0.64
< 0.64
典型
DS
（上） = 0.53
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
重复性
3
1
2
TO-220
TO-220FP
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被照顾，以确保一个很好的dv / dt能力
为要求最苛刻的应用程序。这种系列
补充ST全系列高电压MOSFET导
场效应管，包括革命性的MDmesh 产品。
图2 ：内部原理图
应用
■
大电流，高开关速度
■
IDEAL离线电源，
转接器和PFC
■
灯光
表2 ：订购代码
销售类型
STP12NK60Z
STF12NK60Z
记号
P12NK60Z
F12NK60Z
包
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
第3版
2005年9月
1/12
STP12NK60Z - STF12NK60Z
表3 ：绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
j
T
英镑
参数
TO-220
价值
TO-220FP
单位
V
V
V
10 (*)
6.3 (*)
40 (*)
35
0.27
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
2500
V
°C
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
--
10
6.3
40
150
1.2
600
600
± 30
4000
4.5
-55到150
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤10A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤480V
（*）限定仅由最大允许温度
表4 ：热数据
TO-220
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
0.83
62.5
300
TO-220FP
3.6
° C / W
° C / W
°C
表5：雪崩特征
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
10
260
单位
A
mJ
表6 ：门源齐纳二极管
符号
BV
GSO
参数
栅极 - 源
击穿电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/12
STP12NK60Z - STF12NK60Z
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表7 ：开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 5 A
3
3.75
0.53
分钟。
600
1
50
±10
4.5
0.64
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
表8 ：动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
=10 V
,
I
D
= 5 A
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
9
1740
195
49
101
22.5
18.5
55
31.5
59
10
32
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480 V
V
DD
= 300 V，I
D
= 5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（参见图19）
V
DD
= 480 V，I
D
= 10 A,
V
GS
= 10 V
（参见图22）
表9 ：源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 10 A，V
GS
= 0
I
SD
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 50 V ，T
j
= 25°C
（见测试电路，图5 ）
I
SD
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 50 V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
358
3
17
460
4.2
18.2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
10
40
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
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STF12NK60Z
N沟道600V - 0.53Ω - 10A TO- 220 / TO- 220FP
齐纳保护的超网 MOSFET
表1 ：一般特点
TYPE
STP12NK60Z
STF12NK60Z
■
■
■
■
■
■
图1 ：包装
I
D
10 A
10 A
Pw
150 W
35 W
V
DSS
600 V
600 V
R
DS （ ON）
< 0.64
< 0.64
典型
DS
（上） = 0.53
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
重复性
3
1
2
TO-220
TO-220FP
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被照顾，以确保一个很好的dv / dt能力
为要求最苛刻的应用程序。这种系列
补充ST全系列高电压MOSFET导
场效应管，包括革命性的MDmesh 产品。
图2 ：内部原理图
应用
■
大电流，高开关速度
■
IDEAL离线电源，
转接器和PFC
■
灯光
表2 ：订购代码
销售类型
STP12NK60Z
STF12NK60Z
记号
P12NK60Z
F12NK60Z
包
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
第3版
2005年9月
1/12
STP12NK60Z - STF12NK60Z
表3 ：绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
j
T
英镑
参数
TO-220
价值
TO-220FP
单位
V
V
V
10 (*)
6.3 (*)
40 (*)
35
0.27
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
2500
V
°C
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
--
10
6.3
40
150
1.2
600
600
± 30
4000
4.5
-55到150
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤10A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤480V
（*）限定仅由最大允许温度
表4 ：热数据
TO-220
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
0.83
62.5
300
TO-220FP
3.6
° C / W
° C / W
°C
表5：雪崩特征
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
10
260
单位
A
mJ
表6 ：门源齐纳二极管
符号
BV
GSO
参数
栅极 - 源
击穿电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/12
STP12NK60Z - STF12NK60Z
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表7 ：开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 5 A
3
3.75
0.53
分钟。
600
1
50
±10
4.5
0.64
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
表8 ：动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
=10 V
,
I
D
= 5 A
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
9
1740
195
49
101
22.5
18.5
55
31.5
59
10
32
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480 V
V
DD
= 300 V，I
D
= 5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（参见图19）
V
DD
= 480 V，I
D
= 10 A,
V
GS
= 10 V
（参见图22）
表9 ：源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 10 A，V
GS
= 0
I
SD
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 50 V ，T
j
= 25°C
（见测试电路，图5 ）
I
SD
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 50 V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
358
3
17
460
4.2
18.2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
10
40
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
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