FRM230D , FRM230R ,
FRM230H
1998年6月
8A , 200V , 0.50欧姆,抗辐射,
N沟道功率MOSFET
包
TO-204AA
特点
8A , 200V , RDS ( ON) = 0.50Ω
第二代抗辐射MOSFET结果从新设计概念
伽玛
-
-
-
-
-
会见前-Rad公司特定网络阳离子100KRAD (SI )
德网络斯内德终点规格的300KRAD ( Si)和1000KRAD (SI )
性能允许有限使用,以3000KRAD (SI )
生存3E9RAD (SI ) /秒, 80 %的BVDSS通常
躲过2E12通常情况下如果电流限制在IDM
伽玛点
光电流
中子
- 3.0nA每- RAD (SI ) /秒典型
- 预RAD特定网络阳离子1E13中子/平方厘米
2
- 可用来1E14中子/平方厘米
2
描述
在Intersil公司设计了一系列第二代硬
与收视率N和P沟道增强型ened功率MOSFET
从100V到500V , 1A到60A ,和导通电阻低至25MΩ 。总剂量
硬度是提供在100K RAD ( Si)和1000KRAD (SI )与中子的硬度
从1E13n /厘米
2
对于500V产品1E14n /厘米
2
为100V的产品。剂量
率硬度( GAMMA DOT)存在利率1E9没有电流限制和
2E12与电流限制。
这个MOSFET是一个增强型硅栅功率音响场效晶体管
垂直DMOS ( VDMOS )结构。它是专门设计和处理以
具有最小的特征性改变为总剂量( GAMMA )和中子(N
o
)
暴露。还针对设计和加工工作,提高生存
重离子( SEE )和/或剂量率( GAMMA DOT )曝光。
这部分可被提供作为模具或各种封装比上面示出的其它。
可靠性筛选可作为或者不TX (商业) , TX当量
MIL-S- 19500 , TXV等效MIL-S- 19500 ,或空间等效的
MIL -S - 19500 。联系Intersil的高可靠性营销组任何所需
偏离的数据表。
符号
D
G
S
绝对最大额定值
( TC = 25
o
C)除非另有规定编
FRM230D , R,H
200
200
8
5
24
±20
75
30
0.60
24
8
24
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
V
W
W
W/
o
C
A
A
A
o
C
o
C
漏 - 源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .VDS
漏极 - 栅极电压( RGS = 20kΩ的) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VDGR
连续漏电流
TC = 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .ID
TC = 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .ID
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 IDM
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .VGS
最大功率耗散
TC = 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 PT
TC = 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 PT
降级以上+25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
感应电流,钳位, L = 100μH , (见测试图) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ILM
连续源电流(体二极管) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 IS
脉冲源电流(体二极管) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ISM
操作和储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 TJC , TSTG
焊接温度(焊接时)
距离> 0.063英寸( 1.6毫米)从个案, 10S最大。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 TL
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
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版权
Intersil公司1999
网络文件编号
3249.2
4-1