FGH40T65UPD 650 V 40 A场截止沟道IGBT
2013年4月
FGH40T65UPD
650 V， 40 A场截止沟道IGBT
特点
最高结温：T已
J
= 175
o
C
正Temperaure合作高效，方便的并行操作
高电流能力
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 1.65 V （典型值） @我
C
= 40 A
零件 100 ％测试我
LM(2)
高输入阻抗
收紧参数分布
符合RoHS
短路耐用> 5us的@ 25
o
C
概述
利用创新的视场光阑沟道IGBT技术，飞兆半导体
’s
新系列的场截止沟道IGBT提供最佳perfor-
曼斯太阳能逆变器， UPS ，电焊机，以及数字电源发生器
器，其中低传导和开关损耗是必不可少的。
应用
太阳能逆变器， UPS ，电焊机，数码发电机
电信， ESS
E
C
C
G
G
集热器
（法兰）
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
I
LM （2）
I
F
I
FM(1)
P
D
SCWT
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管的正向电流
二极管的正向电流
脉冲二极管的最大正向电流
最大功率耗散
最大功率耗散
短路承受时间
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25 C
@ T
C
=
100
o
C
@ T
C
= 25
o
C
o
o
评级
650
±
20
@ T
C
= 25 C
@ T
C
= 100
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 100
o
C
80
40
120
120
40
20
120
268
134
5
-55到+175
-55到+175
300
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
A
W
W
us
o
C
o
C
o
C
注意事项：
1 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
2 ： IC = 120A ，的Vce = 400V ， RG = 15Ω
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
1
典型值。
-
-
-
马克斯。
0.56
1.71
40
单位
o
o
C / W
C / W
o
C / W
2012仙童半导体公司
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FGH40T65UPD版本C0
FGH40T65UPD 650 V 40 A场截止沟道IGBT
包装标志和订购信息
器件标识
FGH40T65UPD
设备
FGH40T65UPD
包
TO-247
生态状况
-
包装类型
-
每管数量
30ea
对于“绿色”生态地位飞兆半导体的定义，请访问：
http://www.fairchildsemi.com/company/green/rohs_green.html 。
IGBT的电气特性
符号
开关特性
BV
CES
ΔBV
CES
ΔT
J
I
CES
I
GES
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
集电极到发射极击穿电压V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
分解温度系数
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 250uA
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
650
-
-
-
-
0.6
-
-
-
-
250
±400
V
V/
o
C
μA
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极饱和电压
I
C
= 40毫安，V
CE
= V
GE
I
C
= 40A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 40A
,
V
GE
= 15V,
T
C
= 175
o
C
4.0
-
-
6.0
1.65
2.1
7.5
2.3
-
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
-
-
-
2730
82
48
3630
110
72
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
SC
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
V
GE
= 15V, V
CC
=400V,
R
G
= 10Ω
V
CC
= 400V ，我
C
= 40A,
R
G
= 7Ω, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 175
o
C
V
CC
= 400V ，我
C
= 40A,
R
G
= 7Ω, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
20
26
144
17
1.59
0.58
2.17
19
38
153
60
1.84
0.98
2.82
-
26
34
187
22
2.1
0.76
2.86
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
us
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FGH40T65UPD 650 V 40 A场截止沟道IGBT
IGBT的电气特性
符号
Q
g
Q
ge
Q
gc
（续）
参数
总栅极电荷
门极 - 发射极充
门到集充电
测试条件
V
CE
= 400V ，我
C
= 40A,
V
GE
= 15V
分钟。
-
-
-
典型值。
177
23
100
最大
265
35
150
单位
nC
nC
nC
二极管的电气特性
符号
V
FM
E
REC
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
二极管的正向电压
反向恢复能量
二极管的反向恢复时间
I
F
= 20A
测试条件
T
C
= 25
o
C
T
C
= 175
o
C
T
C
= 175
o
C
I
F
= 20A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
T
C
=
25
o
C
o
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
2.1
1.9
96
33
128
53
341
最大
2.7
-
-
43
-
74
-
单位
V
uJ
ns
T
C
= 175 C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 175
o
C
二极管的反向恢复电荷
nC
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FGH40T65UPD 650 V 40 A场截止沟道IGBT
典型性能特性
图1.典型的输出特性
120
20V
15V
图2.典型的输出特性
120
20V
T
C
= 25 C
o
T
C
= 175 C
15V
o
100
100
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
12V
80
60
10V
80
60
12V
10V
40
20
0
40
20
0
V
GE
= 8V
V
GE
= 8V
0
2
4
6
8
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
10
0
2
4
6
8
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
10
图3.典型的饱和电压
特征
120
100
图4.传输特性
120
共发射极
V
CE
= 20V
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
100
T = 25
o
C
C
T
C
= 175 C
o
80
60
40
20
0
80
60
40
20
0
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25 C
T
C
= 175 C
o
o
0
2
4
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
6
3
6
9
12
栅极 - 发射极电压，V
GE
[V]
15
图5.饱和电压与案例
温度变电流等级
4.0
图6.饱和电压与V
GE
20
共发射极
T
C
= -40 C
o
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
3.5
80A
集电极 - 发射极电压
,
V
CE
[V]
共发射极
V
GE
= 15V
16
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
25
40A
12
8
40A
80A
I
C
= 20A
4
I
C
= 20A
50
75
100
125
150
175
o
集电极 - EmitterCase温度，T
C
[ C]
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
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4
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典型性能特性
图7.饱和电压与V
GE
20
共发射极
图8.饱和电压与V
GE
20
共发射极
o
集电极 - 发射极电压
,
V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
T
C
= 25 C
o
T
C
= 175 C
16
16
12
12
8
40A
80A
I
C
= 20A
8
40A
80A
4
4
I
C
= 20A
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
图9.电容特性
10000
图10.栅极电荷特性
15
共发射极
T
C
= 25 C
o
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
200V
300V
V
CC
= 400V
12
电容[ pF的]
C
IES
1000
9
6
C
OES
100
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25 C
o
3
C
水库
30
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
0
30
0
30
60
90
120
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
150
180
图11. SOA特征
1000
图12.导通特性上与
栅极电阻
100
t
r
100
集电极电流，I
c
[A]
10
μ
s
10毫秒
DC
10
1ms
开关时间[ NS ]
100
μ
s
t
D（上）
1
*注意：
0.1
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 175 C
3.单脉冲
o
o
10
共发射极
V
CC
= 400V, V
GE
= 15V
I
C
= 40A
T
C
= 25 C
T
C
= 175 C
o
o
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
1000
5
0
10
20
30
40
栅极电阻，R
G
[
Ω
]
50
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