FDMA430NZ单N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
2006年9月
FDMA430NZ
单N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
30V ， 5.0A ， 40MΩ
概述
此单N沟道MOSFET一直使用的设计
飞兆半导体先进的Power沟道工艺
以优化第r
DS
（上） @V
GS
= 2.5V特殊的MicroFET
引线框架。
tm
特点
R
DS （ ON）
= 40MΩ @ V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.0A
R
DS （ ON）
= 50mΩ的@ V
GS
= 2.5 V，I
D
= 4.5A
低调- 0.8毫米最大的新包
的MicroFET 2×2毫米
符合RoHS
应用
的锂离子电池组
销1
D
D
G
S
D
D
4
3
漏
来源
G
D
D
5
2
6
1
D
D
S
底部漏接触
的MicroFET 2X2 （底视图）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
-Continuous
-Pulsed
（注1A ）
（注1A ）
（注1B ）
参数
评级
30
±12
5.0
20
0.9
2.4
-55到+150
单位
V
V
A
W
o
功率耗散（稳态）
工作和存储结温范围
C
热特性
R
θJA
R
θJA
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
145
52
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
430
设备
FDMA430NZ
带尺寸
7”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000台
2006仙童半导体公司
FDMA430NZ B1版本
1
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FDMA430NZ单N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
B
VDSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
I
D
= 250A,
参考25 ℃下
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V,
V
GS
=
±12V,
V
DS
= 0V
30
25.2
1
±10
V
毫伏/°C的
A
A
基本特征
（注2 ）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
I
D
= 250A,
参考25 ℃下
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5.0A
V
GS
= 4.0V ，我
D
= 5.0A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 3.1V ，我
D
=4.5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=4.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5.0A,
T
J
=150°C
g
FS
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=5.0A
0.6
0.81
-3.2
23.6
23.9
25.4
27.6
37.0
25.6
40
41
43
50
61
S
m
1.5
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
F = 1.0MHz的
V
DS
= 10V, V
GS
=0V,
F = 1.0MHz的
600
110
75
3.5
800
150
115
pF
pF
pF
开关特性
（注2 ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 10V ，我
D
= 5.0A,
V
GS
= 4.5V
V
DD
= 10V,
I
D
= 1A
V
GS
= 4.5V ，R
根
= 6
8.3
7.1
18.1
6.0
7.3
0.8
1.9
17
15
37
12
11
2
3
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料
安装的漏极引脚表面。
a.
安装在2盎司纯铜最小焊盘时， 145 ° C / W
b.
在安装在1时52 ° C / W
2
2盎司纯铜垫
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
3.
连接在栅极和源极之间的二极管只作为proection防止ESD 。没门过电压等级是不言而喻的。
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 2.0A
I
F
= 5.0A,
的di / dt = 100A / μs的
0.69
2.0
1.2
17
5
A
V
ns
nC
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2
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FDMA430NZ单N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
GS
= 4.5V
NORMOLIZED漏极 - 源极
导通电阻
40
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 2.5V
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
5
10
15
20
25
30
35
40
V
GS
= 2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.5V
30
V
GS
= 3.0V
脉冲宽度= 300
S
占空比= 2.0 ％ MAX
20
V
GS
= 2.0V
10
V
GS
= 1.5V
0
0
1
2
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
4
I
D
，漏电流（ A）
图1.地区特点
图2.导通电阻VS漏电流和
栅极电压
0.08
漏极至源极导通电阻
1.6
I
D
= 5.0A
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-80
V
GS
= 4.5V
R
DS （ ON）
，漏极到源极
导通电阻（ OHM ）
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
1
T
J
= 25
o
C
脉冲持续时间= 300
s
占空比= 2.0 ％ MAX
I
D
= 2.5A
归
T
J
= 125
o
C
-40
0
40
80
T
J
，结温
(
C
)
O
120
160
2
3
4
5
V
GS
，门源电压（ V）
图3.归一通电阻VS结
温度
30
图4.导通电阻与栅极至源极
Votlage
100
I
S
，反向电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
25
20
15
10
5
0
0.5
脉冲持续时间= 300
s
占空比= 2.0 ％ MAX
V
DS
= 5V
10
1
0.1
0.01
1E-3
1E-4
0.0
V
GS
=
0V
T
J
= 125
C
o
T
J
= 25
C
o
T
J
= 125 C
o
T
J
= 25 C
o
T
J
= -55
C
o
T
J
=
-55
o
C
1.0
1.5
2.0
2.5
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管FORWAD电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管正向
VS电压源电流
3
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典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
VGS ，栅源电压（V ）
5
I
D
=5.0A
1000
C
国际空间站
电容（pF）
4
3
2
1
0
V
DS
= 15V
V
DS
= 10V
V
DS
= 20V
C
OSS
100
C
RSS
0
2
4
6
8
QG ，栅极电荷（ NC）
10
10
0.1
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性
100
图8.电容VS漏源极电压
5
I
D
，漏CUREENT （ A）
I
D
，漏电流（ A）
10us
10
4
3
V
GS
=4.5V
100us
1ms
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
单脉冲
T
J
=最大额定
T
A
=
25
o
C
1
10ms
100ms
1s
10s
DC
V
GS
=2.5V
2
1
0
25
R
θ
JA
=145
O
C / W
0.1
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
50
75
100
125
T
A
，环境温度
(
O
C
)
150
图9.安全工作区
图10.最大连续漏极电流与
环境温度
200
P
（ PK）
峰值瞬态功率
(
W
)
100
V
GS
= 10V
T
A
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
10
单脉冲
当前，如下所示：
I
=
I
25
A
--------------------
-
125
150
–
T
1
0.5
-4
10
10
-3
10
-2
10
T，脉冲宽度（ S）
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
图11.单脉冲最大功率耗散
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4
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MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
占空比，降序排列
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
归热
阻抗Z
θ
JA
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
R
θJA
= 145
o
C
单脉冲
0.01
-4
10
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图12.瞬态热响应曲线
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