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1998年5月
FDS9936A
双N沟道增强型场效应晶体管
概述
SO - 8 N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的,高生产
细胞密度, DMOS技术。这非常高的密度
工艺特别适合于提供出色的开关
性能和最大限度地减少通态电阻。这些设备
特别适用于低电压应用,例如磁盘
驱动电机控制,电池供电电路中快
开关,低线功率损失,而且瞬态性
是必要的。
特点
5.5 A, 30 V
DS ( ON)
= 0.040
@ V
GS
= 10 V,
R
DS ( ON)
= 0.060
@ V
GS
= 4.5 V.
高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流处理能力的广泛
常用的表面贴装封装。
表面双MOSFET贴装封装
SOT-23
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D2
D2
D1
D1
5
4
3
2
1
DS中的
F 6
3
99
G2
1
6
7
SO-8
S1
G1
S2
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
T
A
= 25
o
C除非其他明智的注意
FDS9936A
30
±20
(注1A )
单位
V
V
A
5.5
20
2
功耗双操作
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
W
1.6
1
0.9
-55到150
°C
T
J
,T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
工作和存储温度范围
热特性
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
78
40
° C / W
° C / W
1998仙童半导体公司
FDS9936A Rev.B的
电气特性
(
T
A
= 25
O
C除非另有说明)
符号
参数
条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V,I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ,参考25
o
C
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
门 - 体泄漏,正向
门 - 体泄漏,反向
(注2 )
30
32
1
10
100
-100
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
nA
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ,参考25℃
V
GS
= 10 V,I
D
= 5.5 A
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 4.5 A
o
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压温度。系数
静态漏源导通电阻
1
1.5
-4.3
0.03
0.046
0.045
3
V
毫伏/
o
C
V
GS ( TH)
/
T
J
R
DS ( ON)
0.04
0.068
0.06
I
D(上)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
注意事项:
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V,I
D
= 4.7 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
20
7
A
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
(注2 )
350
220
80
pF
pF
pF
开关特性
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 10 V,I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5 V ,R
= 6
7.5
12
13
6
15
25
25
15
17
ns
V
DS
= 15 V,I
D
= 5 A,
V
GS
= 10 V
12
2.1
2.6
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V,I
S
= 1.3 A
(注2 )
1.3
0.76
1.2
A
V
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计,同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a. 78
O
在一个0.5℃ / W的
2
垫2盎司覆铜。
b. 125
O
在0.02 C / W
2
垫2盎司覆铜。
c. 135
O
在一0.003 C / W
2
垫2盎司覆铜。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 % 。
FDS9936A Rev.B的
典型电气特性
20
I
D
,漏源电流(A )
3
R
DS ( ON)
归一化
16
5.5V
4.5V
4.0V
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
2.5
12
V
GS
= 3.5V
2
3.5V
8
4.0 V
1.5
4.5 V
5.0V
6.0V
10V
0
5
10
I
D
,漏电流( A)
15
20
4
3.0V
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DS
,漏源电压(V )
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
1.8
漏源导通电阻
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
0.2
V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
I
D
= 5.5A
I
D
= 3A
0.15
R
DS ( ON)
归一化
0.1
T
J
= 125°C
0.05
25°C
0
2
4
6
8
10
-25
0
25
50
75
100
T,结温( ° C)
J
125
150
V
GS
,门源电压( V)
图3.导通电阻变化
温度。
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
15
40
我,反向漏电流( A)
V
DS
=5.0V
I
D
,漏电流( A)
12
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
V
GS
= 0V
TJ = 125°C
25°C
-55°C
9
6
3
TJ = -55°C
25°C
125°C
1
2
3
4
5
0
S
V
GS
,门源电压( V)
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6 。体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
FDS9936A Rev.B的
典型电气特性
(续)
10
V
GS
,栅源电压(V )
1000
I
D
= 5.5A
V
DS
= 5V
500
电容(pF)
10V
8
西塞
200
6
15V
科斯
4
100
2
50
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Q
g
,栅极电荷( NC)
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
0.2
0.5
1
2
5
10
C
RSS
30
0.1
30
V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性。
30
IT
IM
)L
ON
S(
RD
图8.电容特性。
50
30
I
D
,漏电流( A)
10
5
2
1
0.5
100
us
1m
s
10
1s
10s
DC
25
20
15
10
5
0
0.01
0m
s
0.1
0.05
V
GS
=10V
单脉冲
R
θ
JA
= 135 ° C / W
A
T
A
= 25°C
0.2
0.5
1
2
0.01
0.1
功率(W)的
10m
s
单脉冲
R
θ
JA
= 135 ° C / W
T
A
= 25°C
0.1
0.5
1
10
50 100
300
5
10
30
50
单脉冲时间(秒)
V
DS
,漏源电压(V )
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P( PK)
R
θ
JA
(吨) = R (t)的R *
θ
JA
R
θ
JA
=
135
° C / W
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA (T )
占空比D = T
1
/t
2
100
300
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS9936A Rev.B的
SO- 8磁带和卷轴数据和封装尺寸
SOIC ( 8lds )包装
CON组fi guration :
图1.0
包装说明:
EL ECT ROST AT IC
SEN SIT IVE器件
DO不要选丁字施P或STO RE EAR ST RO吴EL ECT ROST AT IC
EL ECT RO M AGN ETI C,M AG NET IC ORR ADIO ACT IVE FI ELD S
TNR ATE
PT NUMB ER
PEEL STREN GTH MIN ___ __ ____ __ ___gms
MAX ___ ___ ___ ___ _克
防静电盖带
防静电标签
SOIC - 8零件运胶带。载带是
从耗散取得(碳填写)聚碳酸酯
树脂。盖带是一种多层膜(热激活
粘合剂的性质) ,主要由聚酯薄膜,
粘合剂层,密封剂和防静电喷洒剂。
在标准选项,这些摇摇晃晃的部分是随
2500个单位13"或330厘米卷筒直径。卷轴是
深蓝色的颜色,是由聚苯乙烯塑料(抗
静电涂层) 。其他选项来在500个单位或7"
177厘米卷筒直径。这与一些其他选项是
在包装信息表中进一步描述。
这些完整卷轴是单独的条码标签和
放置在一个标准的中间框(示于
图1.0 )制成的可回收瓦楞纸牛皮纸。
一箱最多包含两个卷轴。而这些盒子
放在里面的条形码标签包装箱其中
有不同的大小取决于零件的数量
出货。
静电消散
压纹载带
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
F852
NDS
9959
F852
NDS
9959
F852
NDS
9959
F852
NDS
9959
SOIC ( 8lds )包装信息
包装选项
包装类型
每卷/管材/袋数量
带尺寸
箱尺寸(mm )
每箱数量最多
每单位重量(克)
每卷重量(kg )
注/评论
标准
(无流量代码)
TNR
2,500
13"迪亚
343x64x343
5,000
0.0774
0.6060
L86Z
铁路/地铁
95
-
530x130x83
30,000
0.0774
-
F011
TNR
4,000
13"迪亚
343x64x343
8,000
0.0774
0.9696
D84Z
TNR
500
7"迪亚
184x187x47
1,000
0.0774
0.1182
F852
NDS
9959
销1
SOIC - 8单元定位
343毫米X 342毫米X 64毫米
标准的中级箱
防静电标签
F63TNR标签样本
LOT : CBVK741B019
FSID : FDS9953A
数量: 2500
产品规格:
F63TNLabel
F63TN标签
防静电标签
(F63TNR)3
D / C1 : D9842
D / C2 :
QTY1 :
QTY2 :
SPEC REV :
CPN :
N / F: F
SOIC ( 8lds )带片头和片尾
CON组fi guration :
图2.0
载带
盖带
组件
拖车带
640毫米最小或
80皆空
引导带
1680毫米最小或
210皆空
1999年7月,修订版A
1998年5月
FDS9936A
双N沟道增强型场效应晶体管
概述
SO - 8 N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的,高生产
细胞密度, DMOS技术。这非常高的密度
工艺特别适合于提供出色的开关
性能和最大限度地减少通态电阻。这些设备
特别适用于低电压应用,例如磁盘
驱动电机控制,电池供电电路中快
开关,低线功率损失,而且瞬态性
是必要的。
特点
5.5 A, 30 V
DS ( ON)
= 0.040
@ V
GS
= 10 V,
R
DS ( ON)
= 0.060
@ V
GS
= 4.5 V.
高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流处理能力的广泛
常用的表面贴装封装。
表面双MOSFET贴装封装
SOT-23
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D2
D2
D1
D1
5
4
3
2
1
DS中的
F 6
3
99
G2
1
6
7
SO-8
S1
G1
S2
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
T
A
= 25
o
C除非其他明智的注意
FDS9936A
30
±20
(注1A )
单位
V
V
A
5.5
20
2
功耗双操作
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
W
1.6
1
0.9
-55到150
°C
T
J
,T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
工作和存储温度范围
热特性
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
78
40
° C / W
° C / W
1998仙童半导体公司
FDS9936A Rev.B的
电气特性
(
T
A
= 25
O
C除非另有说明)
符号
参数
条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V,I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ,参考25
o
C
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
门 - 体泄漏,正向
门 - 体泄漏,反向
(注2 )
30
32
1
10
100
-100
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
nA
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ,参考25℃
V
GS
= 10 V,I
D
= 5.5 A
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 4.5 A
o
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压温度。系数
静态漏源导通电阻
1
1.5
-4.3
0.03
0.046
0.045
3
V
毫伏/
o
C
V
GS ( TH)
/
T
J
R
DS ( ON)
0.04
0.068
0.06
I
D(上)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
注意事项:
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V,I
D
= 4.7 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
20
7
A
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
(注2 )
350
220
80
pF
pF
pF
开关特性
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 10 V,I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5 V ,R
= 6
7.5
12
13
6
15
25
25
15
17
ns
V
DS
= 15 V,I
D
= 5 A,
V
GS
= 10 V
12
2.1
2.6
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V,I
S
= 1.3 A
(注2 )
1.3
0.76
1.2
A
V
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计,同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a. 78
O
在一个0.5℃ / W的
2
垫2盎司覆铜。
b. 125
O
在0.02 C / W
2
垫2盎司覆铜。
c. 135
O
在一0.003 C / W
2
垫2盎司覆铜。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 % 。
FDS9936A Rev.B的
典型电气特性
20
I
D
,漏源电流(A )
3
R
DS ( ON)
归一化
16
5.5V
4.5V
4.0V
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
2.5
12
V
GS
= 3.5V
2
3.5V
8
4.0 V
1.5
4.5 V
5.0V
6.0V
10V
0
5
10
I
D
,漏电流( A)
15
20
4
3.0V
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DS
,漏源电压(V )
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
1.8
漏源导通电阻
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
0.2
V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
I
D
= 5.5A
I
D
= 3A
0.15
R
DS ( ON)
归一化
0.1
T
J
= 125°C
0.05
25°C
0
2
4
6
8
10
-25
0
25
50
75
100
T,结温( ° C)
J
125
150
V
GS
,门源电压( V)
图3.导通电阻变化
温度。
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
15
40
我,反向漏电流( A)
V
DS
=5.0V
I
D
,漏电流( A)
12
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
V
GS
= 0V
TJ = 125°C
25°C
-55°C
9
6
3
TJ = -55°C
25°C
125°C
1
2
3
4
5
0
S
V
GS
,门源电压( V)
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6 。体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
FDS9936A Rev.B的
典型电气特性
(续)
10
V
GS
,栅源电压(V )
1000
I
D
= 5.5A
V
DS
= 5V
500
电容(pF)
10V
8
西塞
200
6
15V
科斯
4
100
2
50
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Q
g
,栅极电荷( NC)
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
0.2
0.5
1
2
5
10
C
RSS
30
0.1
30
V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性。
30
IT
IM
)L
ON
S(
RD
图8.电容特性。
50
30
I
D
,漏电流( A)
10
5
2
1
0.5
100
us
1m
s
10
1s
10s
DC
25
20
15
10
5
0
0.01
0m
s
0.1
0.05
V
GS
=10V
单脉冲
R
θ
JA
= 135 ° C / W
A
T
A
= 25°C
0.2
0.5
1
2
0.01
0.1
功率(W)的
10m
s
单脉冲
R
θ
JA
= 135 ° C / W
T
A
= 25°C
0.1
0.5
1
10
50 100
300
5
10
30
50
单脉冲时间(秒)
V
DS
,漏源电压(V )
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P( PK)
R
θ
JA
(吨) = R (t)的R *
θ
JA
R
θ
JA
=
135
° C / W
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA (T )
占空比D = T
1
/t
2
100
300
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS9936A Rev.B的
SO- 8磁带和卷轴数据和封装尺寸
SOIC ( 8lds )包装
CON组fi guration :
图1.0
包装说明:
EL ECT ROST AT IC
SEN SIT IVE器件
DO不要选丁字施P或STO RE EAR ST RO吴EL ECT ROST AT IC
EL ECT RO M AGN ETI C,M AG NET IC ORR ADIO ACT IVE FI ELD S
TNR ATE
PT NUMB ER
PEEL STREN GTH MIN ___ __ ____ __ ___gms
MAX ___ ___ ___ ___ _克
防静电盖带
防静电标签
SOIC - 8零件运胶带。载带是
从耗散取得(碳填写)聚碳酸酯
树脂。盖带是一种多层膜(热激活
粘合剂的性质) ,主要由聚酯薄膜,
粘合剂层,密封剂和防静电喷洒剂。
在标准选项,这些摇摇晃晃的部分是随
2500个单位13"或330厘米卷筒直径。卷轴是
深蓝色的颜色,是由聚苯乙烯塑料(抗
静电涂层) 。其他选项来在500个单位或7"
177厘米卷筒直径。这与一些其他选项是
在包装信息表中进一步描述。
这些完整卷轴是单独的条码标签和
放置在一个标准的中间框(示于
图1.0 )制成的可回收瓦楞纸牛皮纸。
一箱最多包含两个卷轴。而这些盒子
放在里面的条形码标签包装箱其中
有不同的大小取决于零件的数量
出货。
静电消散
压纹载带
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
F852
NDS
9959
F852
NDS
9959
F852
NDS
9959
F852
NDS
9959
SOIC ( 8lds )包装信息
包装选项
包装类型
每卷/管材/袋数量
带尺寸
箱尺寸(mm )
每箱数量最多
每单位重量(克)
每卷重量(kg )
注/评论
标准
(无流量代码)
TNR
2,500
13"迪亚
343x64x343
5,000
0.0774
0.6060
L86Z
铁路/地铁
95
-
530x130x83
30,000
0.0774
-
F011
TNR
4,000
13"迪亚
343x64x343
8,000
0.0774
0.9696
D84Z
TNR
500
7"迪亚
184x187x47
1,000
0.0774
0.1182
F852
NDS
9959
销1
SOIC - 8单元定位
343毫米X 342毫米X 64毫米
标准的中级箱
防静电标签
F63TNR标签样本
LOT : CBVK741B019
FSID : FDS9953A
数量: 2500
产品规格:
F63TNLabel
F63TN标签
防静电标签
(F63TNR)3
D / C1 : D9842
D / C2 :
QTY1 :
QTY2 :
SPEC REV :
CPN :
N / F: F
SOIC ( 8lds )带片头和片尾
CON组fi guration :
图2.0
载带
盖带
组件
拖车带
640毫米最小或
80皆空
引导带
1680毫米最小或
210皆空
1999年7月,修订版A
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    -
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