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FDH27N50
2002年8月
FDH27N50
27A ， 500V ， 0.19 Ohm的N通道开关电源功率MOSFET
应用
开关模式电源（ SMPS ） ，如
PFC升压
双开关正激转换器
单开关正激变换器
反激式转换器
降压转换器
高开关速度
特点
低栅极电荷Qg结果简单驱动要求一
换货
改进的门，雪崩和重新应用高dv / dt的
耐用性
缩小的R
DS （ ON）
减少米勒电容和低输入电容
改进的开关速度低EMI
175℃额定结温
包
JEDEC TO- 247
来源
漏
门
符号
D
漏
（法兰）
G
S
绝对最大额定值
TC = 25
o
C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
I
D
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V)
连续（T
C
= 100
o
C，V
GS
= 10V)
脉冲（注1 ）
P
D
T
J
, T
英镑
功耗
减免上述25
o
C
工作和存储温度
焊接温度10秒
安装扭矩， 8-32或M3螺丝
27
19
108
450
3
-55至175
300 （ 1.6毫米从案例）
10ibf *中（ 1.1N *米）
A
A
A
W
W/
o
C
o
o
评级
500
±30
单位
V
V
C
C
热特性
R
θJC
R
θCS
R
θJA
热阻结到外壳
热阻案例下沉，扁平，脂润滑表面
热阻结到环境
0.33
0.24 （典型值）
40
o
C / W
C / W
o
C / W
o
2002仙童半导体公司
FDH27N50牧师A2
FDH27N50
包装标志和订购信息
器件标识
FDH27N50
设备
FDH27N50
包
TO-247
带尺寸
管
胶带宽度
-
QUANTITY
30
电气特性
锝= 25 ℃（除非另有说明）
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
静力学
B
VDSS
漏源击穿电压
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
参考25℃
I
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 13.5A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 500V
V
GS
= 0V
V
GS
= ±30V
T
C
=25
o
C
T
C
=
150
o
C
o
500
-
-
2.0
-
-
-
-
0.64
0.17
3.3
-
-
-
-
-
0.19
4.0
25
250
±100
V
V /°C的
V
A
nA
B
VDSS
/T
J
击穿电压温度。系数
r
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
漏极至源极导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
动态
g
fs
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
正向跨导
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 50V ，我
D
= 13.5A
V
GS
= 10V
V
DS
= 400V
I
D
= 27A
V
DD
= 250V
I
D
= 27A
R
G
= 4.3
R
D
= 9.3
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
11
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
56
17
18
14
54
47
54
3550
409
22
-
67
20
22
-
-
-
-
-
-
-
S
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
雪崩特性
E
AS
I
AR
单脉冲雪崩能量（注2 ）
雪崩电流
2552
-
-
-
-
27
mJ
A
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RR
注意事项：
1 ：重复评价;脉冲宽度有限的最高结温
2 ：起始物为
J
= 25℃时，L = 7MH ，我
AS
= 27A
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流（注1 ）
（体二极管）
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
I
SD
= 27A
D
-
-
-
-
-
-
-
0.89
563
9.2
27
108
1.2
714
14
A
A
V
ns
C
S
I
SD
= 27A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 27A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
2002仙童半导体公司
FDH27N50牧师A2
FDH27N50
典型特征
200
I
D
，漏源电流（A）
I
D
，漏源电流（A）
T
J
= 25
o
C
V
GS
DESCENDING
100
10V
7V
6V
5.5V
5V
4.5V
10
200
T
J
= 175
o
C
V
GS
DESCENDING
100
10V
6V
5.5V
5V
4.5V
4V
10
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1
1
10
100
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1
1
10
100
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
DS
，漏源极电压（ V）
图1.输出特性
100
90
归一漏极至源极导通电阻
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
图2.输出特性
I
D
，漏电流（ A）
80
70
60
50
40
30
20
10
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 80V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
V
GS
= 10V ，我
D
= 13.5A
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
V
GS
，门源电压（ V）
T
J
，结温（
o
C)
图3.传输特性
图4.归一漏极至源极ON
电阻与结Temperatrue
12
10000
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= 27A
10
100V
8
250V
C，电容（pF ）
1000
C
OSS
6
400V
4
100
C
RSS
2
10
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
V
DS
，漏源极电压（ V）
Q
g
，栅极电荷（ NC）
图5.电容VS漏极至源极电压
图6.栅极电荷波形恒
栅电流
2002仙童半导体公司
FDH27N50牧师A2
FDH27N50
典型特征
（续）
I
SD
，源极到漏极电流（A）
60
200
100
50
I
D
，漏电流（ A）
40
100s
10
在这一领域
限于由R
DS （ ON）
1ms
10ms
DC
30
T
J
= 175
o
C
20
T
J
= 25
o
C
1
10
T
C
= 25
o
C
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0.1
1
10
100
1000
V
SD
，源极到漏极电压（ V）
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.体二极管正向电压随身体
二极管电流
30
图8.最大安全工作区
25
I
D
，漏电流（ A）
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9.最大漏极电流与外壳温度
Z
θJC
归一热阻抗
10
0
0.50
0.20
0.10
10
-1
t
1
0.05
0.02
P
D
t
2
DUTY因子，D = T
1
/ t
2
PEAK牛逼
J
= (P
D
X Z
θJC
个R
θJC
) + T
C
单脉冲
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
10
-2
10
-5
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图10.归最大瞬态热阻抗
2002仙童半导体公司
FDH27N50牧师A2
FDH27N50
测试电路和波形
V
DS
t
P
L
I
AS
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
0V
R
G
-
BV
DSS
V
DS
V
DD
+
V
DD
I
AS
0.01
0
t
AV
图11.松开能源利用检测电路
图12.松开能源波形
V
DS
R
L
Q
G（ TOT ）
V
DS
V
GS
= 10V
V
GS
+
V
DD
-
DUT
I
G（ REF ）
0
V
GS
V
GS
= 1V
Q
G（ TH ）
Q
gs
I
G（ REF ）
0
Q
gd
图13.栅极电荷测试电路
图14.门充电波形
V
DS
t
ON
t
D（上）
R
L
V
DS
90%
t
r
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
90%
V
GS
+
V
DD
-
DUT
0
10%
10%
90%
V
GS
50%
脉冲宽度
50%
R
GS
V
GS
0
10%
图15.开关时间测试电路
图16.开关时间波形
2002仙童半导体公司
FDH27N50牧师A2
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