FDG6332C_F085 20V & P沟道PowerTrench MOSFET的
2009年3月
FDG6332C_F085
20V & P沟道PowerTrench
MOSFET的
特点
Q1
0.7 A ， 20V 。
R
DS （ ON）
= 300毫欧@ V
GS
= 4.5 V
R
DS （ ON）
= 400毫欧@ V
GS
= 2.5 V
Q2
-0.6 A， -20V 。
R
DS （ ON）
= 420毫欧@ V
GS
= –4.5 V
R
DS （ ON）
= 630毫欧@ V
GS
= –2.5 V
低栅电荷
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
SC70-6封装：占地面积小（小于51 ％小
SSOT -6）;低调（ 1mm厚）
符合AEC Q101
符合RoHS
概述
N个& P沟道MOSFET采用生产
飞兆半导体的PowerTrench先进
已特别针对减少流程
通态电阻，但保持优异
开关性能。
这些设备被设计成提供
在一个非常小的足迹出色的功耗
对于应用中的更大更昂贵
TSSOP - 8和SSOP - 6包是不切实际的。
应用
DC / DC转换器
负荷开关
液晶显示器逆变器
S
G
D
D
销1
1
2
3
补充
6
5
4
G
S
SC70-6
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
Q1
20
±12
（注1 ）
Q2
–20
±12
–0.6
–2
0.3
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
0.7
2.1
功率消耗单操作
（注1 ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
热阻，结到环境
（注1 ）
415
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.32
设备
FDG6332C_F085
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2009
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDG6332C_F085版本C2 （ W）
FDG6332C_F085 20V & P沟道PowerTrench MOSFET的
电气特性
符号
参数
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
I
D
= 250
A
V
GS
= 0 V,
V
GS
= 0 V,
I
D
= –250
A
I
D
= 250
μA ，参考文献。
至25℃
I
D
= –250
μA ，参考文献。
至25℃
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±
12 V, V
DS
= 0 V
V
GS
=
±
12V , V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
A
I
D
= 250
μA ，参考文献。
至25℃
I
D
= –250
μA ，参考文献。
至25℃
V
GS
= 4.5 V，I
D
=0.7 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
=0.6 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
=0.7A,T
J
=125°C
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –0.6 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –0.5 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -0.6 A，T
J
=125°C
V
DS
= 5 V
V
DS
= –5 V
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 0.7 A
I
D
= –0.6A
V
DS
= 5 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
民
20
–20
典型值
最大单位
V
14
–14
1
–1
±100
±100
毫伏/°C的
A
nA
nA
I
GSSF
/I
GSSR
门体泄漏，正向
I
GSSF
/I
GSSR
门体泄漏，反向
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
（注2 ）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
0.6
-0.6
1.1
–1.2
–2.8
3
180
293
247
300
470
400
2.8
1.8
1.5
–1.5
V
毫伏/°C的
300
400
442
420
630
700
m
Q2
g
FS
I
D（上）
正向跨导
通态漏电流
Q1
Q2
Q1
Q2
S
A
1
–2
V
GS
= –4.5 V, V
DS
= –5 V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
Q1
Q2
Q1
Q2
反向传输电容
Q1
Q2
V
DS
=10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0MHz的
V
DS
=–10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0MHz的
V
DS
=10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0MHz的
V
DS
=–10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0MHz的
V
DS
=10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0MHz的
V
DS
=–10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0MHz的
113
114
34
24
16
9
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
（注2 ）
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
为
Q1:
V
DS
=10 V,
V
GS
= 4.5 V,
5
I
D
= 1 A
R
根
= 6
5.5
7
14
9
6
1.5
1.7
1.1
I
D
= 0.7 A
R
根
= 6
I
D
= –0.6 A
R
根
= 6
1.4
0.24
0.3
0.3
0.4
10
11
15
25
18
12
3
3.4
1.5
2
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
为
Q2:
V
DS
= -10 V，I
D
= –1 A
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 6
为
Q1:
V
DS
=10 V,
V
GS
= 4.5 V,
为
Q2:
V
DS
=–10 V,
V
GS
= –4.5 V,
FDG6332C_F085版本C2 （ W）
FDG6332C_F085 20V & P沟道PowerTrench MOSFET的
电气特性
符号
I
S
V
SD
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
Q1
Q2
（注2 ）
（注2 ）
民
典型值
最大单位
0.25
–0.25
A
V
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
Q1
Q2
V
GS
= 0 V，I
S
= 0.25 A
V
GS
= 0 V，I
S
= –0.25 A
0.74
–0.77
1.2
–1.2
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
θJA
=安装在FR-4的最小垫时415 °C / W
PCB在静止空气环境。
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDG6332C_F085版本C2 （ W）
FDG6332C_F085 20V & P沟道PowerTrench MOSFET的
典型特征： N沟道
4
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
=4.5V
I
D
，漏电流（ A）
3.5V
3
2.5V
3.0V
1.8
1.6
V
GS
= 2.5V
1.4
3.0V
3.5V
4.0V
1
4.5V
2
1.2
2.0V
1
0
0
1
2
3
4
V
DS
，漏源电压（V ）
0.8
0
1
2
I
D
，漏电流（ A）
3
4
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.8
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
=0.7A
V
GS
= 4.5V
1.4
I
D
=0.4A
0.6
1.2
T
A
= 125
o
C
0.4
1
T
A
= 25 C
0.2
o
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
0
125
150
1
2
3
4
5
T
J
，结温（ C）
V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度。
2.5
o
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
10
I
S
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0V
V
DS
= 5V
I
D
，漏电流（ A）
2
T
A
= -55 C
25
o
C
125
o
C
1
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
1.5
0.1
1
0.01
0.5
0.001
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
，门源电压（ V）
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDG6332C_F085版本C2 （ W）
FDG6332C_F085 20V & P沟道PowerTrench MOSFET的
典型特征： N沟道
5
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 0.7A
4
电容（pF）
15V
3
V
DS
= 5V
10V
200
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
150
C
国际空间站
100
2
C
OSS
50
1
C
RSS
0
0
0.4
0.8
Q
g
，栅极电荷（ NC）
1.2
1.6
0
0
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
10
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
10
图8.电容特性。
I
D
，漏电流（ A）
R
DS （ ON）
极限
100s
1ms
10ms
100ms
1s
8
单脉冲
R
θJA
= 415 ° C / W
T
A
= 25°C
1
6
0.1
V
GS
= 4.5V
单脉冲
R
θJA
= 415
o
C / W
T
A
= 25
o
C
DC
4
2
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源电压（V ）
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t
1
，时间（秒）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
FDG6332C_F085版本C2 （ W）
QQ：2880707522 复制
