FDS8984的N-沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压
温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
DS
= 24V
V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
30
23
1
250
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
V
GS
=
±20V,V
DS
= 0V
基本特征
（注3）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
漏极至源极导通电阻
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6A
V
GS
= 10V ，我
D
= 7A,
T
J
= 125°C
1.2
1.7
- 4.3
19
24
26
23
30
32
m
2.5
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
F = 1MHz的
475
100
65
0.9
635
135
100
1.6
pF
pF
pF
开关特性
（注3）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V,
I
D
= 7A
V
DS
= 15V, V
GS
= 5V,
I
D
= 7A
V
DD
= 15V ，我
D
= 7A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 33
5
9
42
21
9.2
5.0
1.5
2.0
10
18
68
34
13
7
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
I
SD
= 7A
I
SD
= 2.1A
I
F
= 7A ，的di / dt = 100A / μs的
0.9
0.8
1.25
1.0
33
20
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 78 ° C / W时，
安装在0.5英寸
2
2盎司纯铜垫
B） 125 ° C / W时，
安装在一个0.02
2
对盎司铜焊盘
C） 135 ° C / W时，
安装在一
minimun垫
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2:
起始物为
J
= 25
°
C，L = 1MH ，我
AS
= 8A ，V
DD
= 27V, V
GS
= 10V.
3:
脉冲测试：脉冲宽度<300
s,
占空比<2 ％ 。
2
FDS8984版本A
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FDS8984_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
Fabruary
2010
FDS8984_F085
30V ，7A ， 23mΩ
概述
N沟道PowerTrench MOSFET的
特点
最大
DS （ ON）
= 23mΩ ，V
GS
= 10V ，我
D
= 7A
最大
DS （ ON）
= 30mΩ到，V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6A
低栅电荷
100% R
G
经过测试
符合AEC Q101
符合RoHS
tm
这N沟道MOSFET的设计专门为
使用改进的DC / DC变换器的整体效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
D1
D
D1
D
D
D2
D2
D
5
6
Q2
4
3
2
Q1
1
SO-8
销1
SO-8
G1
S1
S
G2
S2
G
7
8
S
S
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流连续
脉冲
单脉冲能量Avalache
功率消耗单操作
减免上述25℃
工作和存储温度
（注2 ）
（注1A ）
参数
评级
30
±20
7
30
32
1.6
13
-55到150
单位
V
V
A
A
mJ
W
毫瓦/°C的
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS8984
设备
FDS8984_F085
包
SO-8
带尺寸
330mm
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2010仙童半导体公司
FDS8984_F085版本A
1
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FDS8984_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
DS
= 24V
V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
30
23
1
250
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
V
GS
= ±20V,V
DS
= 0V
基本特征
（注3）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 7A
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6A
V
GS
= 10V ，我
D
= 7A,
T
J
= 125°C
1.2
1.7
- 4.3
19
24
26
23
30
32
m
2.5
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
F = 1MHz的
475
100
65
0.9
635
135
100
1.6
pF
pF
pF
开关特性
（注3）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V,
I
D
= 7A
V
DS
= 15V, V
GS
= 5V,
I
D
= 7A
V
DD
= 15V ，我
D
= 7A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 33
5
9
42
21
9.2
5.0
1.5
2.0
10
18
68
34
13
7
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
I
SD
= 7A
I
SD
= 2.1A
I
F
= 7A ，的di / dt = 100A / μs的
0.9
0.8
1.25
1.0
33
20
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 78 ° C / W时，
安装在0.5英寸
2
2盎司纯铜垫
B） 125 ° C / W时，
安装在一个0.02
2
对盎司铜焊盘
C） 135 ° C / W时，
安装在一
minimun垫
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2:
起始物为
J
= 25
°
C，L = 1MH ，我
AS
= 8A ，V
DD
= 27V, V
GS
= 10V.
3:
脉冲测试：脉冲宽度<300
s,
占空比<2 ％ 。
FDS8984_F085版本A
2
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FDS8984_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
30
= 25 ° C除非另有说明
3.0
I
D
，漏电流（ A）
R
DS （ ON）
归一化
V
GS
=10V
脉冲持续时间= 80
S
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
=5.0V
V
GS
=3.5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=4.0V
V
GS
=3.0V
漏源导通电阻
2.5
脉冲持续时间= 80
S
占空比= 0.5 ％ MAX
20
V
GS
=3.0V
V
GS
=3.5V
V
GS
=4.0V
V
GS
=4.5V
2.0
10
1.5
1.0
V
GS
=5.0V
0.5
V
GS
=10V
25
30
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
5
10
15
20
图1.地区特点
V
DS
，漏源电压（V ）
I
D
，漏电流（ A）
图2.导通电阻VS漏电流和
栅极电压
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
2
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
I
D
= 7A
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
归
漏极至源极导通电阻
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-80
I
D
= 7A
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
,
漏
源导通电阻
(
毫欧
)
1.6
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温
(
o
C
)
4
6
8
V
GS
,
门源电压（ V）
10
图3.导通电阻与温度
图4.导通电阻与栅极至源极
Votlage
30
I
S
，反向漏电流（ A）
30
I
D
，漏电流（ A）
25
20
15
10
5
0
脉冲持续时间= 80
S
占空比= 0.5 ％ MAX
10
V
GS
= 0V
V
DD
= 5V
T
J
= 150 C
O
1
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
0.1
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25 C
T
J
= - 55 C
O
O
0.01
1
2
3
V
GS
，门源电压（ V）
4
1E-3
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管正向电压
VS源电流
FDS8984_F085版本A
3
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FDS8984_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
V
GS
，门源电压（ V）
= 25 ° C除非另有说明
700
600
C
国际空间站
10
8
电容（pF）
6
4
2
0
V
DD
= 10V
V
DD
= 15V
500
400
300
200
100
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
V
DD
= 20V
C
OSS
C
RSS
1
10
30
0
2
4
6
Q
g
，栅极电荷（ NC）
8
10
0.1
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
20
图8.电容VS漏源极电压
8
I
AS
，雪崩电流（ A）
10
起始物为
J
= 25 C
O
I
D
，漏电流（ A）
7
6
5
4
3
2
1
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
起始物为
J
= 125 C
1
0.01
0.1
1
10
20
O
0
25
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
125
o
T
A
，环境温度
(
C
)
50
75
100
150
图9.松开电感开关
能力
100
I
D
，漏电流（ A）
10us
图10.最大连续漏极电流与
环境温度
3000
1000
T
A
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
10
100us
P
（ PK）
峰值瞬态功率
(
W
)
1
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1ms
10ms
100ms
1s
DC
100
V
GS
=10V
I = I
25
150
–
T
A
-----------------------
-
125
0.1
10
单脉冲
0.01
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
T
A
= 25
o
C
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
100
1
-5
10
10
-4
10
-3
10
10
10
10
T，脉冲宽度（ S）
-2
-1
0
1
10
2
10
3
图11.正向偏置安全工作区
图12.单脉冲最大功率
耗散
FDS8984_F085版本A
4
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FDS8984_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
2
1
= 25 ° C除非另有说明
占空比 - 降序排列
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
归热
阻抗Z
θ
JA
0.1
0.01
P
DM
t
1
1E-3
单脉冲
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
1E-4
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图13.瞬态热响应曲线
FDS8984_F085版本A
5
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FDS8984的N-沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
DS
= 24V
V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
30
23
1
250
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
V
GS
= ±20V,V
DS
= 0V
基本特征
（注3）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 7A
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6A
V
GS
= 10V ，我
D
= 7A,
T
J
= 125°C
1.2
1.7
- 4.3
19
24
26
23
30
32
m
2.5
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
F = 1MHz的
475
100
65
0.9
635
135
100
1.6
pF
pF
pF
开关特性
（注3）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V,
I
D
= 7A
V
DS
= 15V, V
GS
= 5V,
I
D
= 7A
V
DD
= 15V ，我
D
= 7A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 33
5
9
42
21
9.2
5.0
1.5
2.0
10
18
68
34
13
7
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
I
SD
= 7A
I
SD
= 2.1A
I
F
= 7A ，的di / dt = 100A / μs的
0.9
0.8
1.25
1.0
33
20
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 78 ° C / W时，
安装在0.5英寸
2
2盎司纯铜垫
B） 125 ° C / W时，
安装在一个0.02
2
对盎司铜焊盘
C） 135 ° C / W时，
安装在一
minimun垫
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2:
起始物为
J
= 25
°
C，L = 1MH ，我
AS
= 8A ，V
DD
= 27V, V
GS
= 10V.
3:
脉冲测试：脉冲宽度<300
s,
占空比<2 ％ 。
2
FDS8984牧师A1
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FDS8984的N-沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压
温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
DS
= 24V
V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
30
23
1
250
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
V
GS
=
±20V,V
DS
= 0V
基本特征
（注3）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
漏极至源极导通电阻
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6A
V
GS
= 10V ，我
D
= 7A,
T
J
= 125°C
1.2
1.7
- 4.3
19
24
26
23
30
32
m
2.5
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
F = 1MHz的
475
100
65
0.9
635
135
100
1.6
pF
pF
pF
开关特性
（注3）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V,
I
D
= 7A
V
DS
= 15V, V
GS
= 5V,
I
D
= 7A
V
DD
= 15V ，我
D
= 7A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 33
5
9
42
21
9.2
5.0
1.5
2.0
10
18
68
34
13
7
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
I
SD
= 7A
I
SD
= 2.1A
I
F
= 7A ，的di / dt = 100A / μs的
0.9
0.8
1.25
1.0
33
20
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 78 ° C / W时，
安装在0.5英寸
2
2盎司纯铜垫
B） 125 ° C / W时，
安装在一个0.02
2
对盎司铜焊盘
C） 135 ° C / W时，
安装在一
minimun垫
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2:
起始物为
J
= 25
°
C，L = 1MH ，我
AS
= 8A ，V
DD
= 27V, V
GS
= 10V.
3:
脉冲测试：脉冲宽度<300
s,
占空比<2 ％ 。
2
FDS8984版本A
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