赛普拉斯半导体公司获得的数据表。
数据表莫迪网络版删除不提供设备。
CY74FCT16646T
CY74FCT162646T
SCCS060B - 1994年8月 - 修订2001年9月
16位寄存收发器
功能说明
该CY74FCT16646T和CY74FCT162646T 16位
收发器是三态，D型寄存器，和控制
电路配置为复用的发送数据的直接
从输入总线或从内部寄存器。在数据
或B总线将被移入寄存器的相应
时钟引脚变为高逻辑电平。输出使能（ OE ）和
方向引脚（ DIR）的设置来控制所述收发器
功能。在收发器模式中，数据存在于高
阻抗端口可以被存储在A或B寄存器，或
在这两个。选择控件可以复用存储和实时
（透明模式）的数据。方向控制决定
该总线接收数据时，输出使能（ OE ）是
低电平有效。在隔离模式（输出使能（ OE ） HIGH ）
的数据可被存储在B寄存器和/或B的数据可以是
存储在A寄存器中。
该器件是完全特定网络版对部分掉电
使用我的应用
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，
防止通过设备损坏电流回溢流
当它被断电。
该CY74FCT16646T非常适合驾驶
高电容负载和低阻抗的背板。
该CY74FCT162646T有24毫安平衡输出驱动器
与输出电流限制电阻。这降低了
需要外部终端电阻，并为
最小冲和减少地面反弹。该
CY74FCT162646T是理想的，用于驱动传输线。
特点
I
关闭
支持部分掉电模式下运行
边沿速率控制电路，用于显着改善
噪声特性
典型输出偏斜＆ LT ; 250 PS
ESD ＆ GT ; 2000V
TSSOP （ 19.6密耳间距）和SSOP （ 25密耳间距）
套餐
工业级温度范围
40C
至+ 85°C
V
CC
= 5V
±
10%
CY74FCT16646T特点：
64毫安灌电流32 mA输出电流
典型的V
OLP
（地弹） LT ; 1.0V在V
CC
= 5V,
T
A
= 25C
CY74FCT162646T特点：
平衡24毫安输出驱动器
降低系统的开关噪声
典型的V
OLP
（地弹） LT ; 0.6V在V
CC
= 5V,
T
A
= 25C
逻辑框图
1OE
1DIR
1CLKBA
1SBA
1CLKAB
1SAB
B REG
D
C
2A1
1A1
一个reg
D
C
1B1
2OE
2DIR
2CLKBA
2SBA
2CLKAB
2SAB
B REG
D
C
一个reg
D
C
2B1
TO 7其他渠道
TO 7其他渠道
FCT16646-1
FCT16646-2
版权
2001年，德州仪器
CY74FCT16646T
CY74FCT162646T
功能表
[1]
输入
OE
H
H
L
L
L
L
DIR
X
X
L
L
H
H
CLKAB
H或L
X
X
X
H或L
CLKBA
H或L
X
H或L
X
X
SAB
X
X
X
X
L
H
SBA
X
X
L
H
X
X
数据I / O
[2]
A
输入
产量
输入
B
输入
输入
功能
隔离
商店A和B的数据
实时B数据到总线
存储B数据到总线
输出实时数据到总线
存储在数据到B总线
总线
BUS B
总线
BUS B
DIR
L
OE
L
CLKAB
X
CLKBA
X
SAB
X
SBA
L
DIR
H
OE
L
CLKAB
X
CLKBA
X
SAB
L
SBA
X
实时传输
总线B到BUSA
实时传输
BUSA到总线B
总线
BUS B
总线
总线
DIR
H
L
X
OE
L
L
H
CLKAB
X
CLKBA
X
SAB
X
X
X
SBA
X
X
X
DIR
[3]
L
H
OE
L
L
CLKAB
X
H或L
CLKBA
H或L
X
SAB
X
H
SBA
H
X
从存储
A和/或B
传输存储数据
A和/或B
注意事项：
1.
2.
3.
=低到高的转变
H =高电压电平。 L =低电压电平。 X =无关
该数据输出功能可被使能或通过在OE或DIR输入的各种信号被禁用。数据输入功能总是启用的，也就是说，数据在
总线引脚将存储上的时钟输入每低到高的转变。
无法将数据传送到总线和B总线同步。
.
3
CY74FCT16646T
CY74FCT162646T
最大额定值
[4]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度..................... Com'l
55°C
至+ 125°C
环境温度与
电源应用................................. Com'l
55°C
至+ 125°C
直流输入电压
.................................................0.5V
至+ 7.0V
直流输出电压
..............................................0.5V
至+ 7.0V
直流输出电流
（最大灌电流/针）
...........................60
到120毫安
功耗................................................ .......... 1.0W
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
工作范围
范围
产业
环境
温度
40°C
至+ 85°C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
IH
V
IL
V
H
V
IK
I
IH
I
IL
I
OZH
I
OZL
I
OS
I
O
I
关闭
描述
输入高电压
输入低电压
输入滞后
[6]
输入钳位二极管电压
输入高电流
输入低电平电流
高阻抗输出电流
（三态输出引脚）
高阻抗输出电流
（三态输出引脚）
短路电流
[7]
输出驱动电流
[7]
关机关闭
V
CC
=最小值，我
IN
= -18毫安
V
CC
=最大，V
I
=V
CC
V
CC
=最大，V
I
= GND
V
CC
=最大，V
OUT
=2.7V
V
CC
=最大，V
OUT
=0.5V
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，V
OUT
=2.5V
V
CC
=0V, V
OUT
≤4.5V
[9]
80
50
140
100
0.7
1.2
±1
±1
±1
±1
200
180
±1
测试条件
分钟。
2.0
0.8
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
V
mV
V
A
A
A
A
mA
mA
A
输出驱动特性CY74FCT16646T
参数
V
OH
描述
输出高电压
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -3毫安
V
CC
=最小值，我
OH
= -15毫安
V
CC
=最小值，我
OH
= -32毫安
V
OL
输出低电压
V
CC
=最小值，我
OL
= 64毫安
分钟。
2.5
2.4
2.0
典型值。
[5]
3.5
3.5
3.0
0.2
0.55
马克斯。
单位
V
V
V
V
输出驱动特性CY74FCT162646T
参数
I
ODL
I
ODH
V
OH
V
OL
描述
输出低电流
[7]
输出高电流
[7]
输出高电压
输出低电压
测试条件
V
CC
=5V, V
IN
=V
IH
或V
IL
, V
OUT
=1.5V
V
CC
=5V, V
IN
=V
IH
或V
IL
, V
OUT
=1.5V
V
CC
=最小值，我
OH
= -24毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 24毫安
分钟。
60
60
2.4
典型值。
[5]
115
115
3.3
0.3
0.55
马克斯。
150
150
单位
mA
mA
V
V
注意事项：
4.强调大于下的最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
5，典型值是在V
CC
= 5.0V ，T
A
= + 25°C的环境。
6.此参数是特定网络版，但未经测试。
7.不超过一个输出应在同一时间被短路。短的时间不应超过一秒钟。使用高速测试设备和/或样品
并保持的技术是优选的，以便最小化内部芯片加热，更准确地重新佛罗里达州ECT操作值。否则长时间短路
高输出可提高芯片的温度远高于正常，从而导致无效的读数在其他需要技术测试。在参数的任何序列
测试中，我
OS
试验应在最后完成。
8.此参数的测量是在表征，但未经测试。
9.测试在+ 25℃。
4
CY74FCT16646T
CY74FCT162646T
电容
(T
A
= + 25°C ， F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
描述
[8]
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
=0V
典型值。
4.5
5.5
马克斯。
6.0
8.0
单位
pF
pF
电源特性
参数
I
CC
I
CC
I
CCD
描述
静态电源电流
测试条件
[10]
V
CC
=最大。
V
IN
<0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V
分钟。
—
—
V
IN
=V
CC
or
V
IN
= GND
—
典型值。
[5]
5
0.5
75
马克斯。
500
1.5
120
单位
A
mA
μA / MHz的
静态电源电流V
CC
=最大。
TTL输入高电平
V
IN
=3.4V
[11]
动态电源
当前
[12]
V
CC
=最大。
输出打开
DIR = OE = GND
一位切换
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
f
o
= 10兆赫（ CLKBA ）
占空比为50％
DIR = OE = GND
一位切换
f
1
= 5兆赫
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
f
o
= 10兆赫（ CLKBA ）
占空比为50％
DIR = OE = GND
十六位切换
f
1
= 2.5兆赫
占空比为50％
I
C
总电源电流
[13]
V
IN
=V
CC
or
V
IN
= GND
V
IN
= 3.4V或
V
IN
= GND
—
—
0.8
1.3
1.7
3.2
mA
V
IN
=V
CC
or
V
IN
= GND
V
IN
= 3.4V或
V
IN
= GND
—
—
3.8
8.3
6.5
[14]
20.0
[14]
注意事项：
10.显示为最大的条件。或最小值，使用适当的值特定网络版下的电气特性适用的设备类型。
11.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
12.这个参数没有直接测试的，但导出的总电源计算中使用。
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
13. I
C
I
C
= I
CC
+I
CC
D
H
N
T
+I
CCD
(f
0
/2 + f
1
N
1
)
I
CC
=静态电流CMOS输入电平
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
=3.4V)
=占空比为TTL输入高电平
D
H
=的TTL输入的D号
H
N
T
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
=时钟频率为注册设备，否则为零
f
0
=输入信号的频率
f
1
=改变在f输入数
1
N
1
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
14.值对这些条件的IC卡公式的例子。这些限制是特定网络版，但未经测试。
5
