FDMS86520L的N-沟道PowerTrench
MOSFET
2011年4月
FDMS86520L
N沟道的PowerTrench
MOSFET
60 V ， 22 A， 8.2 mΩ的
特点
最大
DS （ ON）
= 8.2毫欧，在V
GS
= 10 V，I
D
= 13.5 A
最大
DS （ ON）
= 11.7毫欧，在V
GS
= 4.5 V，I
D
= 11.5 A
先进的封装和硅结合的低R
DS （ ON）
和
高效率
MSL1稳健包装设计
100 ％ UIL测试
符合RoHS
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
提高了整体效率和最大限度地减少开关节点
使用的DC / DC转换振铃同步或
传统开关PWM controllers.It已被优化
低栅极电荷，低R
DS （ ON）
，开关速度快和体
二极管的反向恢复性能。
应用
在隔离式DC -DC初级开关
同步整流器器
负荷开关
顶部
底部
销1
S
S
D
S
G
D
D
D
D
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
G
S
S
S
电源56
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 C ，除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续（包装有限公司）
I
D
- 连续（硅有限公司）
-Continuous
-Pulsed
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量
功耗
功耗
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注1A ）
（注3）
T
C
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注1A ）
参数
评级
60
±20
22
71
13.5
60
91
69
2.5
-55到+150
mJ
W
°C
A
单位
V
V
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
（注1A ）
1.8
50
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDMS86520L
设备
FDMS86520L
包
电源56
带尺寸
13 ’’
胶带宽度
12 mm
QUANTITY
3000台
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电气特性
T
J
= 25 C ，除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250
μA,
V
GS
= 0 V
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μA
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V，I
D
= 13.5 A
r
DS （ ON）
静态漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 11.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 13.5 A,
T
J
= 125 °C
V
DS
= 5 V，I
D
= 13.5 A
60
29
1
±100
V
毫伏/°C的
μA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
ΔT
J
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
1
1.8
-7
6.7
9.1
9.6
51
8.2
11.7
11.8
S
mΩ
3
V
毫伏/°C的
g
FS
正向跨导
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
3470
625
25
0.6
4615
835
45
pF
pF
pF
Ω
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0 V至10 V
V
GS
= 0 V至4.5 V V
DD
= 30 V,
I
D
= 13.5 A
V
DD
= 30 V，I
D
= 13.5 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
Ω
15
5.6
32
3.4
45
21
9.5
4.7
27
11
52
10
63
30
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
源极 - 漏极二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.1 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 13.5 A
（注2 ）
（注2 ）
0.72
0.83
37
21
30
37
1.2
1.3
60
34
48
59
V
ns
nC
ns
nC
I
F
= 13.5 A， di / dt的= 100 A / μs的
I
F
= 13.5 A， di / dt的= 300 A / μs的
注意事项：
1. R
θJA
与安装在一个1的设备中确定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
一。安装在当50℃ / W的
1年
2
垫2盎司纯铜。
B 。安装在当125 °C / W
2盎司纯铜最小焊盘。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300
μs,
占空比< 2.0 ％ 。
3.起始物为
J
= 25
°
C，L = 1 mH的，我
AS
= 13.5 A，V
DD
= 54 V, V
GS
= 10 V.
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典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
60
50
I
D
，漏电流（ A）
归
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4 V
V
GS
= 3.5 V
5
V
GS
= 3 V
4
V
GS
= 3.5 V
40
30
20
V
GS
= 3 V
3
2
1
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4 V
10
0
0.0
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0
10
20
30
40
50
60
I
D
,
漏电流（ A）
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
,
漏源极电压（ V）
图1.地区特点
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
1.8
归
漏极至源极导通电阻
40
源导通电阻
(
m
Ω
)
I
D
= 13.5 A
V
GS
= 10 V
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-75
I
D
= 13.5 A
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
30
r
DS （ON ） ，
漏
20
T
J
= 125
o
C
10
T
J
= 25
o
C
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
0
2
4
6
8
10
V
GS
,
门源电压（ V）
图3.归一导通电阻
VS结温
60
50
I
D
，漏电流（ A）
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
100
I
S
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0 V
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DS
= 5 V
10
1
T
J
= 150
o
C
40
T
J
= 150
o
C
30
T
J
= 25
o
C
T
J
= 25
o
C
0.1
T
J
= -55
o
C
20
T
J
= -55
o
C
10
0
1
2
3
4
5
V
GS
，门源电压（ V）
0.01
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
10
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= 13.5 A
10000
C
国际空间站
V
DD
= 30 V
电容（pF）
8
1000
6
V
DD
= 20 V
V
DD
= 40 V
C
OSS
100
C
RSS
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
Q
g
，栅极电荷（ NC）
10
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
1
0.1
1
10
60
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
80
I
D
,
漏电流（ A）
50
I
AS
，雪崩电流（ A）
60
V
GS
= 10 V
T
J
= 25
o
C
10
T
J
= 100
o
C
40
V
GS
= 4.5 V
T
J
=
125
o
C
20
不限按包
R
θ
JC
= 1.8 C / W
o
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
o
125
150
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
T
C
,
外壳温度
(
C
)
图9.松开电感
交换能力
100
P
(
PK
)
,
瞬态峰值功率（ W）
图10.最大连续漏极
电流与外壳温度
1000
V
GS
= 10 V
I
D
，漏电流（ A）
10
100
μ
s
1毫秒
100
1
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
DC
10
单脉冲
R
θ
JA
= 125
o
C / W
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 125℃ / W
T
A
= 25
o
C
o
1
0.5
-4
10
T
A
= 25
o
C
0.01
0.01
0.1
1
10
100 300
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
T，脉冲宽度（秒）
图11.正向偏置安全
工作区
图12.单脉冲最大
功耗
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典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比，降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
0.01
单脉冲
R
θ
JA
= 125℃ / W
o
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
0.001
-4
10
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
吨，矩形脉冲持续时间（秒）
图13.结至环境瞬态热响应曲线
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