订购数量： EN4903
FX503
PNP外延平面硅晶体管
大电流开关应用
特点
·复合型和包含在2 PNP晶体管
一个包，便于高密度安装。
·该FX503房子两个芯片，每个等价
到2SB1202 ，在一个封装中。
·对匹配的特征。
包装尺寸
单位：mm
2118
[FX503]
1 ： BASE1
2 ： Emitter1
3 ： Emitter2
4 ：和Base2
5 ： Collector2
6 ： Collector1
三洋： XP6
（底视图）
开关时间测试电路
电气连接
1 ： BASE1
2 ： Emitter1
3 ： Emitter2
4 ：和Base2
5 ： Collector2
6 ： Collector1
（ TOP VIEW ）
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
总功耗
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
PT
Tj
TSTG
安装在陶瓷板上
安装在陶瓷板上
(750mm
2
×0.8mm)
(750mm
2
×0.8mm)
1个单位
条件
评级
–60
–50
–6
–3
–6
–600
1.5
2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
C
C
·标记： 503
接下页。
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务指挥部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
52098HA （ KT ） / 42695MO （ KOTO ） BX - 1458 No.4903-1 / 4
FX503
从接下页。
电气特性
在Ta = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益比
增益带宽积
输出电容
-E饱和电压
B -E饱和电压
C- B击穿电压
C- E击穿电压
E- B击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
的hFE （小/
大）
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VCB = -40V ， IE = 0
VEB = -4V ， IC = 0
VCE = -2V ， IC = -100mA
VCE = -2V ， IC = -3A
VCE = -2V ， IC = -100mA
VCE = -10V ， IC = -100mA
VCB = -10V ， F = 1MHz的
IC = -2A ， IB = -100mA
IC = -2A ， IB = -100mA
–60
–50
–6
70
450
35
140
35
0.8
150
39
–350
–0.94
–700
–1.2
兆赫
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
条件
评级
民
典型值
最大
–1
–1
400
单位
A
A
V（ BR ） CBO IC = -10μA ， IE = 0
V（ BR ） CEO IC = -1mA ， RBE = ∞
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
IE = -10μA ， IC = 0
见sepcified测试电路
见sepcified测试电路
见sepcified测试电路
No.4903-2/4
FX503
没有描述或包含此产品旨在用于外科植入物，生命支持系统的使用，
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PS No.4903-4 / 4
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