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FDG332PZ P沟道PowerTrench

MOSFET

2007年7月

FDG332PZ

P沟道PowerTrench MOSFET

-20V ， -2.6A ，

97m

特点

最大

DS （ ON）

= 95mΩ在V

= -4.5V ，我

= -2.6A

最大

DS （ ON）

= 115mΩ在V

= -2.5V ，我

= -2.2A

最大

DS （ ON）

= 160mΩ在V

= -1.8V ，我

= -1.9A

最大

DS （ ON）

= 330mΩ在V

= -1.5V ，我

= -1.0A

非常低的水平栅极驱动要求，允许操作

在1.5V电路

非常小的封装外形采用SC70-6

符合RoHS

概述

这种P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的低

电压的PowerTrench

流程。它已被优化为

电池电源管理应用。

应用

电池管理

负荷开关

SC70-6

销1

MOSFET的最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

符号

, T

英镑

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

功耗

工作和存储结温范围

-Continuous

-Pulsed

（注1A ）

（注1B ）

参数

评级

-20

±8

-2.6

-9

0.75

0.48

-55到+150

单位

°C

热特性

θJA

热阻，结到环境单人操作

（注1A ）

（注1B ）

170

260

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

.32

设备

FDG332PZ

包

SC70-6

带尺寸

7’’

胶带宽度

8 mm

QUANTITY

3000台

2007仙童半导体公司

FDG332PZ Rev.B的

www.fairchildsemi.com

FDG332PZ P沟道PowerTrench

MOSFET

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

DSS

ΔBV

DSS

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

= -250μA ，V

= 0V

= -250μA ，参考25 ℃下

= -16V, V

= 0V

= ±8V, V

= 0V

-20

-13

-1

±10

毫伏/°C的

基本特征

GS （ TH）

门源阈值电压

温度COEF网络cient

= V

, I

= -250A

= -250μA ，参考25 ℃下

= -4.5V ，我

= -2.6A

= -2.5V ，我

= -2.2A

DS （ ON）

静态漏极至源极导通电阻

= -1.8V ，我

= -1.9A

= -1.5V ，我

= -1.0A

= -4.5V ，我

= -2.6A ，T

= 125°C

正向跨导

= -5V ，我

= -2.6A

-0.4

-0.7

2.5

117

147

100

115

160

330

133

-1.5

毫伏/°C的

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

= -10V, V

= 0V ， F = 1MHz的

420

560

115

开关特性

D（上）

D（关闭）

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏“米勒”充电

= -4.5V, V

= -10V ，我

= -2.6A

= -10V ，我

= -2.6A,

= -4.5V ，R

根

= 6

5.2

4.8

7.6

0.9

1.9

10.8

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

源极到漏极二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

= 0V时，我

= -0.6A

= 2.6A ，的di / dt = 100A / μs的

（注2 ）

-0.7

-0.6

-1.2

注意事项：

1. R

θJA

与安装在1英寸的设备决定

垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。

θJC

由设计而

= CA

由下式确定

用户的电路板设计。

一。安装时170℃ / W的

在A 1

垫2盎司纯铜。

B 。安装在260 ° C / W

2盎司纯铜最小焊盘。

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％。

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FDG332PZ P沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

= 25 ° C除非另有说明

-I

，漏电流（ A）

= -3V

= -2.5V

= -1.8V

2.5

归

漏极至源极导通电阻

= -4.5V

= -1.5V

2.0

= -1.8V

1.5

= -2.5V

= -1.5V

脉冲持续时间= 80

占空比= 0.5 ％ MAX

1.0

脉冲持续时间= 80

占空比= 0.5 ％ MAX

= -3V

= -4.5V

0.0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0.5

-I

漏电流（ A）

-V

，漏源极电压（ V）

图1.区域特征

图2.归一导通电阻

VS漏极电流和栅极电压

300

源导通电阻

(

)

1.6

归

漏极至源极导通电阻

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-50

= -2.6A

= -4.5V

= -2.6A

250

200

150

100

= 25

脉冲持续时间= 80

占空比= 0.5 ％ MAX

DS （ ON）

漏

= 125

-25

100 125

结温

(

)

150

-V

，门源电压（ V）

图3.归在 - 电阻

VS结温

-I

，反向漏电流（ A）

脉冲持续时间= 80

占空比= 0.5 ％ MAX

-I

，漏电流（ A）

图4.导通电阻与栅极到

源极电压

= 0V

= 150

= -5V

0.1

= 25

= 150

= 25

= -55

0.01

= -55

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

1E-3

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

-V

，门源电压（ V）

-V

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性

图6.源极到漏极二极管

正向电压随电流源

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FDG332PZ P沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

= 25 ° C除非另有说明

4.5

-V

，门源电压（ V）

= -2.6A

电容（pF）

= -5V

1000

国际空间站

3.0

= -10V

= -15V

OSS

1.5

100

F = 1MHz的

= 0V

RSS

0.0

，栅极电荷（ NC）

0.1

-V

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.电容VS漏

至源极电压

-I

栅极漏电流（ UA）

-I

，漏电流（ A）

100us

= 0V

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

1ms

10ms

100ms

10s

= 150

0.1

单脉冲

=最大额定

= 260℃ / W

-1

-2

-3

-4

= 25

0.01

0.1

-V

，漏源极电压（ V）

-V

GS ，

门源电压（ V）

图9.正向偏置安全

工作区

100

= -4.5V

（ PK）

，瞬态峰值功率（ W）

图10.栅极漏电流与门极

源极电压

单脉冲

= 260℃ / W

= 25 C

0.1

-3

-2

-1

T，脉冲宽度（ S）

图11 。

瞬态热响应曲线

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FDG332PZ P沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

= 25 ° C除非另有说明

归热

阻抗Z

占空比，降序排列

0.1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

注意事项：

DUTY因子：D = T

PEAK牛逼

= P

X Z

qJA

个R

qJA

+ T

单脉冲

= 260℃ / W

0.01

-3

-2

-1

吨，矩形脉冲持续时间（ S）

图12.瞬态热响应曲线

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