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FDMS7698的N-沟道PowerTrench

MOSFET

FDMS7698

N沟道的PowerTrench

MOSFET

30 V ， 22 A， 10MΩ

特点

最大

DS （ ON）

= 10毫欧，在V

GS

= 10 V，I

D

= 13.5 A

最大

DS （ ON）

= 15毫欧，在V

GS

= 4.5 V，I

D

= 11.0 A

先进的封装和硅结合的低R

DS （ ON）

和高效率

下一代增强

专为软恢复

MSL1稳健包装设计

100 ％ UIL测试

符合RoHS

体

二极管

技术，

2011年5月

概述

这N沟道MOSFET的设计专门为

提高了整体效率和最大限度地减少开关节点

使用的DC / DC转换振铃同步或

传统开关PWM控制器。它已被优化

低栅极电荷，低R

DS （ ON）

，开关速度快和体

二极管的反向恢复性能。

应用

IMVP Vcore电压切换为笔记本电脑

VRM核心电压转换为台式机和服务器

OringFET /负载开关

DC- DC转换器

顶部

底部

S

销1

S

D

S

G

D

5

6

7

8

4

3

2

1

G

S

电源56

MOSFET的最大额定值

T

A

= 25 C ，除非另有说明

符号

V

DS

V

GS

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流 - 连续（包装有限公司）

I

D

- 连续（硅有限公司）

-Continuous

-Pulsed

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

单脉冲雪崩能量

功耗

T

C

= 25 °C

T

A

= 25 °C

（注1A ）

（注3）

T

C

= 25 °C

T

C

= 25 °C

T

A

= 25 °C

（注1A ）

（注4 ）

参数

评级

30

±20

22

44

13.5

50

29

2.5

-55到+150

mJ

W

°C

A

单位

V

工作和存储结温范围

热特性

R

θJC

R

θJA

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

（注1A ）

4.4

50

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDMS7698

设备

FDMS7698

包

电源56

带尺寸

13 ’’

胶带宽度

12 mm

QUANTITY

3000台

2011仙童半导体公司

FDMS7698 Rev.C1

1

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FDMS7698的N-沟道PowerTrench

MOSFET

电气特性

T

J

= 25 C ，除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

ΔT

J

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

I

D

= 250

μA,

V

GS

= 0 V

I

D

= 250

μA,

参考25 ℃下

V

DS

= 24 V, V

GS

= 0 V

30

16

1

100

V

毫伏/°C的

μA

nA

门源漏电流，正向V

GS

= 20 V, V

DS

= 0 V

基本特征

V

GS （ TH）

ΔV

GS （ TH）

ΔT

J

门源阈值电压

温度COEF网络cient

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

μA

I

D

= 250

μA,

参考25 ℃下

V

GS

= 10 V，I

D

= 13.5 A

r

DS （ ON）

静态漏极至源极导通电阻

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 11.0 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 13.5 A

T

J

= 125 °C

V

DS

= 5 V，I

D

= 13.5 A

1.0

2.0

-6

8.1

12.2

11

53

10

15

14

S

mΩ

3.0

V

毫伏/°C的

g

FS

正向跨导

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

V

DS

= 15 V, V

GS

= 0 V,

F = 1 MHz的

0.3

1205

370

35

1.6

1605

495

55

3.2

pF

Ω

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏“米勒”充电

V

GS

= 0 V至10 V

V

GS

= 0 V至4.5 V V

DD

= 15 V,

I

D

= 13.5 A

V

DD

= 15 V，I

D

= 13.5 A,

V

GS

= 10 V ，R

根

= 6

Ω

9

3

20

3

17

7.5

3.9

2.0

18

10

36

10

24

12

ns

nC

漏源二极管的特性

V

SD

t

rr

Q

rr

t

rr

Q

rr

源极到漏极二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0 V，I

S

= 2.1 A

V

GS

= 0 V，I

S

= 13.5 A

（注2 ）

0.75

0.86

24

8

19

13

1.1

1.2

38

15

34

24

V

ns

nC

ns

nC

I

F

= 13.5 A， di / dt的= 100 A / μs的

I

F

= 13.5 A， di / dt的= 300 A / μs的

注意事项：

1. R

θJA

与安装在一个1的设备中确定

2

垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。

θJC

由设计而

= CA

由下式确定

用户的电路板设计。

一个），安装在一个时50℃ / W的

1年

2

2盎司纯铜垫

B）安装时， 125 ° C / W

对2盎司纯铜最小焊盘。

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300

μs,

占空比< 2.0 ％。

3. E

AS

29兆焦耳是基于起始物为

J

= 25

°

C，L = 0.3 mH的，我

AS

= 14 A，V

DD

= 27 V, V

GS

= 10 V.

4.由于有N沟道器件，负栅极电压等级仅用于低占空比脉冲来发生。没有连续得分的暗示。

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FDMS7698的N-沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

T

J

= 25 C ，除非另有说明

50

I

D

，漏电流（ A）

归

漏极至源极导通电阻

V

GS

= 10 V

V

GS

= 6 V

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 4 V

5

V

GS

= 3.5 V

V

GS

= 4 V

40

30

20

10

4

3

2

1

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

V

GS

= 6 V

V

GS

= 4.5 V

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

V

GS

= 3.5 V

V

GS

= 10 V

0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

0

10

20

30

40

50

V

DS

，漏源极电压（ V）

I

D

,

漏电流（ A）

图1.区域特征

图2.归一导通电阻

VS漏极电流和栅极电压

30

1.6

归

漏极至源极导通电阻

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-75

I

D

= 13.5 A

V

GS

= 10 V

r

DS （ON ），

漏

源导通电阻

(

m

Ω

)

I

D

= 13.5 A

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

25

20

T

J

= 125

o

C

15

10

T

J

= 25

o

C

-50

-25

0

25 50 75 100 125 150

T

J

,

结温

(

o

C

)

5

2

4

6

8

10

V

GS

,

门源电压（ V）

图3.归一导通电阻

VS结温

50

40

V

DS

= 5 V

图4.导通电阻与栅极到

源极电压

50

I

S

，反向漏电流（ A）

V

GS

= 0 V

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

I

D

，漏电流（ A）

10

T

J

= 150

o

C

T

J

= 25

o

C

30

T

J

= 150

o

C

20

T

J

= 25

o

C

1

T

J

= -55

o

C

10

T

J

= -55

o

C

0

1

2

3

4

5

0.1

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

GS

，门源电压（ V）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性

图6.源极到漏极二极管

正向电压随电流源

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FDMS7698的N-沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

T

J

= 25 C ，除非另有说明

10

V

GS

，门源电压（ V）

2000

I

D

= 13.5 A

V

DD

= 10 V

电容（pF）

1000

C

国际空间站

8

V

DD

=15 V

6

V

DD

= 20 V

C

OSS

4

2

0

100

F = 1 MHz的

V

GS

= 0 V

C

RSS

0

3

6

9

12

15

18

10

0.1

1

10

30

Q

g

，栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.电容VS漏

至源极电压

50

R

θ

JC

= 4.4 C / W

o

25

I

AS

，雪崩电流（ A）

I

D

,

漏电流（ A）

20

T

J

= 25

o

C

40

V

GS

= 10 V

15

T

J

= 125

o

C

T

J

= 100

o

C

30

V

GS

= 4.5 V

10

20

10

0

25

不限按包

5

1

0.01

0.1

1

10

40

50

75

100

o

125

150

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

T

C

,

外壳温度

(

C

)

图9.松开电感

交换能力

100

P

(

PK

)

,

瞬态峰值功率（ W）

图10.最大连续漏极

电流与外壳温度

1000

单脉冲

R

θ

JA

= 125

o

C / W

I

D

，漏电流（ A）

10

100美

1毫秒

100

T

A

= 25

o

C

1

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

10毫秒

100毫秒

10

0.1

单脉冲

T

J

=最大额定

R

θ

JA

= 125

o

C / W

T

A

= 25

o

C

1s

10 s

DC

1

0.5

-4

10

-3

0.01

0.1

1

10

100200

10

-2

10

-1

1

10

100

1000

V

DS

，漏源极电压（ V）

T，脉冲宽度（秒）

图11.正向偏置安全

工作区

图12.单脉冲最大

功耗

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FDMS7698的N-沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

T

J

= 25 C ，除非另有说明

2

1

归热

阻抗Z

θ

JA

占空比，降序排列

0.1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

P

DM

t

1

0.01

单脉冲

R

θ

JA

= 125℃ / W

o

t

2

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

θJA

个R

θJA

+ T

A

0.001

-4

10

-3

10

-2

10

-1

1

10

100

1000

吨，矩形脉冲持续时间（秒）

图13.结至环境瞬态热响应曲线

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