【三菱N沟道功率MOSFETFS10KMJ-2高速开关使用FS10KMJ-2外形绘图10±0.36.5】,IC型号FS10KMJ-2,FS10KMJ-2 PDF资料,FS10KMJ-2经销商,ic,电子元器件-51电子网

三菱N沟道功率MOSFET

FS10KMJ-2

高速开关使用

FS10KMJ-2

外形绘图

10

±

0.3

6.5

±

0.3

3

±

0.3

尺寸（mm）

2.8

±

0.2

15

±

0.3

f

3.2

±

0.2

14

±

0.5

3.6

±

0.3

1.1

±

0.2

1.1

±

0.2

0.75

±

0.15

E

0.75

±

0.15

2.54

±

0.25

2.54

±

0.25

4.5

±

0.2

1 2 3

2.6

±

0.2

4V

DRIVE

V

DSS ................................................. ..............................

100V

r

DS （ ON）（ MAX ） ........................................... ..................

0.19

I

D ........................................................................................

10A

综合

快恢复二极管（ TYP 。）

............

95ns

V

ISO ................................................. ..............................

2000V

w

q

门

w

漏

e

来源

e

TO-220FN

应用

电机控制，灯控制，电磁阀控制

直流 - 直流转换器等。

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

DA

I

S

I

SM

P

D

T

ch

T

英镑

V

ISO

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

雪崩漏电流（脉冲）

源出电流

源电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

隔离电压

重量

L = 100μH

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

100

±20

10

40

10

40

20

–55 ~ +150

单位

V

A

W

°C

V

g

Feb.1999

交流时间1分钟，终端到外壳

典型的价值

–55 ~ +150

2000

2.0

三菱N沟道功率MOSFET

FS10KMJ-2

高速开关使用

电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

TH（ CH-C ）

t

rr

参数

漏源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

V

GS

=

±20V,

V

DS

= 0V

V

DS

= 100V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 5A ，V

GS

= 10V

I

D

= 5A ，V

GS

= 4V

I

D

= 5A ，V

GS

= 10V

I

D

= 5A ，V

DS

= 5V

V

DS

= 10V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

100

—

1.0

—

典型值。

—

1.5

0.14

0.16

0.70

13

800

125

45

14

15

65

40

1.0

—

95

马克斯。

—

±0.1

0.1

2.0

0.19

0.21

0.95

—

1.5

6.25

—

单位

V

A

mA

V

S

pF

ns

V

° C / W

ns

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

反向恢复时间

V

DD

= 50V ，我

D

= 5A ，V

GS

= 10V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 5A ，V

GS

= 0V

渠道情况

I

S

= 10A ， DIS / DT = -100A / μs的

性能曲线

功耗降额曲线

40

功耗P

D

(W)

漏电流I

D

(A)

最大安全工作区

5

3

2

10

1

7

5

3

2

10

0

7

5

3

2

10

–1

7

5

TW = 10毫秒

100ms

32

24

16

1ms

10ms

T

C

= 25°C

单脉冲

DC

8

0

50

100

150

200

2 3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

案例温度T

C

(°C)

输出特性

（典型值）

20

V

GS

= 10V 6V 5V

4V

T

C

= 25°C

脉冲测试

10

T

C

= 25°C

脉冲测试

V

GS

= 10V 6V 5V

4V

3V

漏电流I

D

(A)

16

漏电流I

D

(A)

8

12

3V

6

2.5V

8

4

P

D

= 20W

2

2V

0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FS10KMJ-2

高速开关使用

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

5.0

T

C

= 25°C

脉冲测试

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

0.5

T

C

= 25°C

脉冲测试

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

()

4.0

0.4

3.0

I

D

= 15A

0.3

V

GS

= 4V

2.0

10A

0.2

10V

1.0

5A

0.1

0

10

–1

2 3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

漏电流I

D

(A)

0

2

4

6

8

10

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

20

TC = 25°C

V

DS

= 10V

脉冲测试

正向转移导纳

VS.DRAIN CURRENT

（典型值）

10

2

7

5

4

3

2

T

C

= 25°C

V

DS

= 5V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

12

正向传递

导纳

y

fs

(S)

16

8

4

10

1

7

5

4

3

2

75°C

125°C

0

2

4

6

8

10

0 0

10

2 3 4 5 7 10

1

2 3 4 5 7 10

2

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

10

4

7

5

3

2

10

3

7

5

3

2

10

2

7

5

3

TCH = 25°C

2

F = 1MH

Z

10

1

V

GS

= 0V

西塞

开关特性

（典型值）

10

2

7

5

4

3

2

10

1

7

5

4

3

2

10

0 0

10

2 3 4 5 7 10

1

t

D（关闭）

t

f

切换时间（纳秒）

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

t

r

t

D（上）

科斯

CRSS

TCH = 25°C

V

DD

= 50V

V

GS

= 10V

R

根

= R

GS

= 50

3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3

漏源电压V

DS

(V)

2 3 4 5 7 10

2

漏电流I

D

(A)

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FS10KMJ-2

高速开关使用

栅源电压

VS.GATE CHARGE

（典型值）

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

40

源电流我

S

(A)

V

GS

= 0V

脉冲测试

10

TCH = 25°C

I

D

= 10A

V

DS

= 20V

8

32

6

50V

80V

24

4

16

T

C

= 125°C

2

8

75°C

25°C

0

4

8

12

16

20

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

7

V

GS

= 10V

I

D

= 1/2I

D

5

脉冲测试

4

3

2

10

0

7

5

4

3

2

10

–1

–50

0

50

100

150

4.0

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

3.2

2.4

1.6

0.8

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

瞬态热阻抗Z

日（ CH - C ）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

瞬态热阻抗

特征

10

2

7

5

3

2

10

1

7

5

3

2

10

0

7

5

3

2

D = 1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

P

DM

tw

T

D

=

tw

T

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

–50

0

50

100

150

10

–1 –4

10 2 3 5710

–3

2 3 5710

–2

2 3 5710

–1

2 3 5710

0

2 3 5710

1

2 3 5710

2

脉冲宽度t

w

(s)

Feb.1999

沟道温度Tch （ ° C）

三菱N沟道功率MOSFET

FS10KMJ-2

高速开关使用

FS10KMJ-2

外形绘图

10

±

0.3

6.5

±

0.3

3

±

0.3

尺寸（mm）

2.8

±

0.2

15

±

0.3

f

3.2

±

0.2

14

±

0.5

3.6

±

0.3

1.1

±

0.2

1.1

±

0.2

0.75

±

0.15

E

0.75

±

0.15

2.54

±

0.25

2.54

±

0.25

4.5

±

0.2

1 2 3

2.6

±

0.2

4V

DRIVE

V

DSS ................................................. ..............................

100V

r

DS （ ON）（ MAX ） ........................................... ..................

0.19

I

D ........................................................................................

10A

综合

快恢复二极管（ TYP 。）

............

95ns

V

ISO ................................................. ..............................

2000V

w

q

门

w

漏

e

来源

e

TO-220FN

应用

电机控制，灯控制，电磁阀控制

直流 - 直流转换器等。

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

DA

I

S

I

SM

P

D

T

ch

T

英镑

V

ISO

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

雪崩漏电流（脉冲）

源出电流

源电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

隔离电压

重量

L = 100μH

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

100

±20

10

40

10

40

20

–55 ~ +150

单位

V

A

W

°C

V

g

Feb.1999

交流时间1分钟，终端到外壳

典型的价值

–55 ~ +150

2000

2.0

三菱N沟道功率MOSFET

FS10KMJ-2

高速开关使用

电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

TH（ CH-C ）

t

rr

参数

漏源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

V

GS

=

±20V,

V

DS

= 0V

V

DS

= 100V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 5A ，V

GS

= 10V

I

D

= 5A ，V

GS

= 4V

I

D

= 5A ，V

GS

= 10V

I

D

= 5A ，V

DS

= 5V

V

DS

= 10V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

100

—

1.0

—

典型值。

—

1.5

0.14

0.16

0.70

13

800

125

45

14

15

65

40

1.0

—

95

马克斯。

—

±0.1

0.1

2.0

0.19

0.21

0.95

—

1.5

6.25

—

单位

V

A

mA

V

S

pF

ns

V

° C / W

ns

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

反向恢复时间

V

DD

= 50V ，我

D

= 5A ，V

GS

= 10V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 5A ，V

GS

= 0V

渠道情况

I

S

= 10A ， DIS / DT = -100A / μs的

性能曲线

功耗降额曲线

40

功耗P

D

(W)

漏电流I

D

(A)

最大安全工作区

5

3

2

10

1

7

5

3

2

10

0

7

5

3

2

10

–1

7

5

TW = 10毫秒

100ms

32

24

16

1ms

10ms

T

C

= 25°C

单脉冲

DC

8

0

50

100

150

200

2 3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

案例温度T

C

(°C)

输出特性

（典型值）

20

V

GS

= 10V 6V 5V

4V

T

C

= 25°C

脉冲测试

10

T

C

= 25°C

脉冲测试

V

GS

= 10V 6V 5V

4V

3V

漏电流I

D

(A)

16

漏电流I

D

(A)

8

12

3V

6

2.5V

8

4

P

D

= 20W

2

2V

0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FS10KMJ-2

高速开关使用

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

5.0

T

C

= 25°C

脉冲测试

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

0.5

T

C

= 25°C

脉冲测试

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

()

4.0

0.4

3.0

I

D

= 15A

0.3

V

GS

= 4V

2.0

10A

0.2

10V

1.0

5A

0.1

0

10

–1

2 3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

漏电流I

D

(A)

0

2

4

6

8

10

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

20

TC = 25°C

V

DS

= 10V

脉冲测试

正向转移导纳

VS.DRAIN CURRENT

（典型值）

10

2

7

5

4

3

2

T

C

= 25°C

V

DS

= 5V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

12

正向传递

导纳

y

fs

(S)

16

8

4

10

1

7

5

4

3

2

75°C

125°C

0

2

4

6

8

10

0 0

10

2 3 4 5 7 10

1

2 3 4 5 7 10

2

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

10

4

7

5

3

2

10

3

7

5

3

2

10

2

7

5

3

TCH = 25°C

2

F = 1MH

Z

10

1

V

GS

= 0V

西塞

开关特性

（典型值）

10

2

7

5

4

3

2

10

1

7

5

4

3

2

10

0 0

10

2 3 4 5 7 10

1

t

D（关闭）

t

f

切换时间（纳秒）

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

t

r

t

D（上）

科斯

CRSS

TCH = 25°C

V

DD

= 50V

V

GS

= 10V

R

根

= R

GS

= 50

3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3

漏源电压V

DS

(V)

2 3 4 5 7 10

2

漏电流I

D

(A)

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FS10KMJ-2

高速开关使用

栅源电压

VS.GATE CHARGE

（典型值）

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

40

源电流我

S

(A)

V

GS

= 0V

脉冲测试

10

TCH = 25°C

I

D

= 10A

V

DS

= 20V

8

32

6

50V

80V

24

4

16

T

C

= 125°C

2

8

75°C

25°C

0

4

8

12

16

20

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

7

V

GS

= 10V

I

D

= 1/2I

D

5

脉冲测试

4

3

2

10

0

7

5

4

3

2

10

–1

–50

0

50

100

150

4.0

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

3.2

2.4

1.6

0.8

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

瞬态热阻抗Z

日（ CH - C ）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

瞬态热阻抗

特征

10

2

7

5

3

2

10

1

7

5

3

2

10

0

7

5

3

2

D = 1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

P

DM

tw

T

D

=

tw

T

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

–50

0

50

100

150

10

–1 –4

10 2 3 5710

–3

2 3 5710

–2

2 3 5710

–1

2 3 5710

0

2 3 5710

1

2 3 5710

2

脉冲宽度t

w

(s)

Feb.1999

沟道温度Tch （ ° C）

我们所有的客户

关于文件中提到的名字，如三菱的变化

电气和三菱XX ，瑞萨科技公司

日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨

科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟

和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等

因此，虽然三菱电机，三菱电机株式会社，三菱

半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中，这些名称

已在事实上，所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。

除了我们的企业商标，标识和公司声明，没有改变任何已经

到文档中的内容作出，而这些变化不构成任何改动的

文件本身的内容。

注：三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营

与功率器件。

瑞萨科技公司

客户服务部

2003年4月1日

三菱N沟道功率MOSFET

FS10KMJ-2

高速开关使用

FS10KMJ-2

外形绘图

10

±

0.3

6.5

±

0.3

3

±

0.3

尺寸（mm）

2.8

±

0.2

15

±

0.3

f

3.2

±

0.2

14

±

0.5

3.6

±

0.3

1.1

±

0.2

1.1

±

0.2

0.75

±

0.15

E

0.75

±

0.15

2.54

±

0.25

2.54

±

0.25

4.5

±

0.2

1 2 3

2.6

±

0.2

4V

DRIVE

V

DSS ................................................. ..............................

100V

r

DS （ ON）（ MAX ） ........................................... ..................

0.19

I

D ........................................................................................

10A

综合

快恢复二极管（ TYP 。）

............

95ns

V

ISO ................................................. ..............................

2000V

w

q

门

w

漏

e

来源

e

TO-220FN

应用

电机控制，灯控制，电磁阀控制

直流 - 直流转换器等。

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

DA

I

S

I

SM

P

D

T

ch

T

英镑

V

ISO

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

雪崩漏电流（脉冲）

源出电流

源电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

隔离电压

重量

L = 100μH

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

100

±20

10

40

10

40

20

–55 ~ +150

单位

V

A

W

°C

V

g

Feb.1999

交流时间1分钟，终端到外壳

典型的价值

–55 ~ +150

2000

2.0

三菱N沟道功率MOSFET

FS10KMJ-2

高速开关使用

电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

TH（ CH-C ）

t

rr

参数

漏源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

V

GS

=

±20V,

V

DS

= 0V

V

DS

= 100V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 5A ，V

GS

= 10V

I

D

= 5A ，V

GS

= 4V

I

D

= 5A ，V

GS

= 10V

I

D

= 5A ，V

DS

= 5V

V

DS

= 10V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

100

—

1.0

—

典型值。

—

1.5

0.14

0.16

0.70

13

800

125

45

14

15

65

40

1.0

—

95

马克斯。

—

±0.1

0.1

2.0

0.19

0.21

0.95

—

1.5

6.25

—

单位

V

A

mA

V

S

pF

ns

V

° C / W

ns

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

反向恢复时间

V

DD

= 50V ，我

D

= 5A ，V

GS

= 10V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 5A ，V

GS

= 0V

渠道情况

I

S

= 10A ， DIS / DT = -100A / μs的

性能曲线

功耗降额曲线

40

功耗P

D

(W)

漏电流I

D

(A)

最大安全工作区

5

3

2

10

1

7

5

3

2

10

0

7

5

3

2

10

–1

7

5

TW = 10毫秒

100ms

32

24

16

1ms

10ms

T

C

= 25°C

单脉冲

DC

8

0

50

100

150

200

2 3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

案例温度T

C

(°C)

输出特性

（典型值）

20

V

GS

= 10V 6V 5V

4V

T

C

= 25°C

脉冲测试

10

T

C

= 25°C

脉冲测试

V

GS

= 10V 6V 5V

4V

3V

漏电流I

D

(A)

16

漏电流I

D

(A)

8

12

3V

6

2.5V

8

4

P

D

= 20W

2

2V

0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FS10KMJ-2

高速开关使用

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

5.0

T

C

= 25°C

脉冲测试

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

0.5

T

C

= 25°C

脉冲测试

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

()

4.0

0.4

3.0

I

D

= 15A

0.3

V

GS

= 4V

2.0

10A

0.2

10V

1.0

5A

0.1

0

10

–1

2 3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

漏电流I

D

(A)

0

2

4

6

8

10

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

20

TC = 25°C

V

DS

= 10V

脉冲测试

正向转移导纳

VS.DRAIN CURRENT

（典型值）

10

2

7

5

4

3

2

T

C

= 25°C

V

DS

= 5V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

12

正向传递

导纳

y

fs

(S)

16

8

4

10

1

7

5

4

3

2

75°C

125°C

0

2

4

6

8

10

0 0

10

2 3 4 5 7 10

1

2 3 4 5 7 10

2

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

10

4

7

5

3

2

10

3

7

5

3

2

10

2

7

5

3

TCH = 25°C

2

F = 1MH

Z

10

1

V

GS

= 0V

西塞

开关特性

（典型值）

10

2

7

5

4

3

2

10

1

7

5

4

3

2

10

0 0

10

2 3 4 5 7 10

1

t

D（关闭）

t

f

切换时间（纳秒）

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

t

r

t

D（上）

科斯

CRSS

TCH = 25°C

V

DD

= 50V

V

GS

= 10V

R

根

= R

GS

= 50

3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3

漏源电压V

DS

(V)

2 3 4 5 7 10

2

漏电流I

D

(A)

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FS10KMJ-2

高速开关使用

栅源电压

VS.GATE CHARGE

（典型值）

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

40

源电流我

S

(A)

V

GS

= 0V

脉冲测试

10

TCH = 25°C

I

D

= 10A

V

DS

= 20V

8

32

6

50V

80V

24

4

16

T

C

= 125°C

2

8

75°C

25°C

0

4

8

12

16

20

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

7

V

GS

= 10V

I

D

= 1/2I

D

5

脉冲测试

4

3

2

10

0

7

5

4

3

2

10

–1

–50

0

50

100

150

4.0

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

3.2

2.4

1.6

0.8

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

瞬态热阻抗Z

日（ CH - C ）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

瞬态热阻抗

特征

10

2

7

5

3

2

10

1

7

5

3

2

10

0

7

5

3

2

D = 1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

P

DM

tw

T

D

=

tw

T

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

–50

0

50

100

150

10

–1 –4

10 2 3 5710

–3

2 3 5710

–2

2 3 5710

–1

2 3 5710

0

2 3 5710

1

2 3 5710

2

脉冲宽度t

w

(s)

Feb.1999

沟道温度Tch （ ° C）