【FHX04LG ， 05LG ， 06LG超低噪声HEMT特点低噪声系数： 0.75分贝（典型值）】,IC型号FHX04LG,FHX04LG PDF资料,FHX04LG经销商,ic,电子元器件-51电子网

FHX04LG ， 05LG ， 06LG

超低噪声HEMT

特点

低噪声系数： 0.75分贝（典型值） @ F = 12GHz的（ FHX04 ）

高相关的增益： 10.5分贝（典型值） @ F = 12GHz的

了Lg

≤

0.25微米中，WG = 200微米

黄金门金属化的高可靠性

性价比高陶瓷微带（ SMT ）封装

磁带和卷轴包装可用

描述

该FHX04LG ， FHX05LG ， FHX06LG是高电子迁移率晶体管（HEMT ）

用于一般目的，低噪声和高增益放大器在2-18GHz

频率range.The设备均采用符合成本效益，低寄生，密封

密封的金属陶瓷封装的高容量通信， TVRO ， VSAT或其他

低噪声应用。

富士通的严格的质量保证计划，保证最高

可靠性和一致的性能。

绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）

项

漏源电压

栅源电压

总功耗

储存温度

通道温度

*注意：

安装在氧化铝板（ 30 ×30× 0.65毫米）

富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：

1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）应不超过2伏。

2.正向和反向栅极电流不应超过0.2和-0.05毫安分别与

4000Ω的栅极电阻。

3.工作通道温度（ TCH）不应超过80 ℃。

符号

VDS

VGS

PT *

TSTG

总胆固醇

等级

3.5

-3.0

180

-65到+175

175

单位

°C

电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）

项

饱和漏极电流

跨

捏-O FF电压

门源击穿电压

噪声系数

FHX04LG

相关的增益（分贝）

f=12GHz

VDS=2V

气

10 12

频率（GHz ）

NF &气体与温度

FHX04LG

1.5

f=12GHz

VDS=2V

IDS=10mA

气

输出功率（dBm ）

漏极电流（mA ）

输出功率与输入功率

f=12GHz

VDS=2V

噪声系数匹配

IDS=10mA

Gain匹配

IDS=15mA

噪声系数（dB ）

1.0

0.5

100

200

300

400

环境温度（ ° K）的

-10

-5

输入功率（dBm ）

FHX04LG ， 05LG ， 06LG

超低噪声HEMT

典型噪声系数圆

FHX04LG

+j25

+j50

+j100

+j10

选择

1.0dB

1.5

+j250

2.0 2.5 3.0

100

f=12GHz

VDS=2V

IDS=10mA

Γopt=0.72∠152°

Rn/50=0.04

NFmin=0.75dB

-j10

-j250

-j25

-j50

-j100

嘎（ max）和| S21 |与频率的关系

FHX04LG

VDS=2V

IDS=10mA

嘎（最大值）

增益（dB ）

|S21|

6 810

频率（GHz ）

噪声参数

FHX04LG

VDS = 2V ，IDS = 10毫安

频率。

（千兆赫）

2.0

4.0

6.0

8.0

10.0

12.0

14.0

16.0

18.0

Γopt

（ MAG ）

（ ANG）

0.99

0.97

0.93

0.87

0.80

0.72

0.63

0.53

0.42

29.0

53.0

77.0

101.0

127.0

152.0

178.0

-156.0

-129.0

NFmin

（ dB）的

0.33

0.35

0.45

0.55

0.66

0.75

0.88

1.05

1.30

Rn/50

0.43

0.30

0.20

0.12

0.07

0.04

0.03

0.05

0.09

FHX04LG ， 05LG ， 06LG

超低噪声HEMT

S11

S22

+j100

+j50

+j25

+90°

S21

S12

+j10

18 GHz的

+j250

1 GHz的

0.04 GHz的18

100

250

1 GHz的

180°

0°

量表| S21 |

-j10

-j250

量表| S12 |

0.08

0.12

18 GHz的

-j25

-j100

0.16

-j50

-90°

S-参数

FHX04LG

VDS = 2V ，IDS = 10毫安

频率

（千兆赫）

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

10.0

11.0

12.0

13.0

14.0

15.0

16.0

17.0

18.0

S11

MAG

0.990

0.965

0.928

0.886

0.844

0.804

0.771

0.741

0.717

0.695

0.675

0.650

0.630

0.607

0.585

0.557

0.522

0.480

S21

昂

-19.3

-37.5

-55.2

-72.1

-88.3

S12

昂

162.1

144.1

127.4

110.9

95.6

80.8

66.4

53.1

40.7

28.6

16.4

4.2

-7.8

-19.1

-30.7

-43.2

-56.9

-71.2

S22

昂

75.1

64.8

53.3

41.9

32.2

23.9

16.6

11.5

4.9

-0.3

-3.0

-6.4

-9.3

-12.5

-16.4

-22.2

-29.4

-39.2

MAG

4.232

4.115

3.923

3.737

3.518

3.302

3.090

2.876

2.703

2.592

2.476

2.374

2.277

2.176

2.144

2.151

2.142

2.136

MAG

0.016

0.030

0.042

0.052

0.059

0.063

0.066

0.065

0.066

0.065

0.064

0.063

0.064

0.065

0.066

0.067

0.068

MAG

0.576

0.563

0.546

0.525

0.505

0.489

0.484

0.487

0.497

0.503

0.517

0.534

0.552

0.585

0.617

0.642

0.673

0.694

昂

-14.3

-28.1

-41.2

-54.4

-67.6

-80.7

-93.0

-104.5

-115.1

-124.9

-135.7

-145.8

-156.1

-164.6

-171.7

177.8

169.5

159.7

-103.4

-117.4

-129.6

-140.3

-150.8

-161.2

-171.5

178.9

170.2

161.8

151.8

140.9

128.4

下载S参数，请点击这里

FHX04LG ， 05LG ， 06LG

超低噪声HEMT

机箱样式"LG"

金属陶瓷密封封装

4.78±0.5

1.5±0.3

(0.059)

1.78±0.15 1.5±0.3

(0.07)

(0.059)

1.5±0.3

(0.059)

1.0

(0.039)

1.78±0.15 1.5±0.3

(0.07)

(0.059)

4.78±0.5

0.5

(0.02)

1.3最大

(0.051)

0.1

(0.004)

门

来源

漏

来源

单位：mm （英寸）

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2355 Zanker路。

加利福尼亚州圣何塞， 95131-1138 ， U.S.A.

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1998富士通化合物半导体股份有限公司。

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