FDMF6730驱动器加FET多芯片模块
2008年8月
FDMF6730
司机加的FET的多芯片模块
特点
超过95 ％的效率
内部5V稳压器为门驱动器
6V - 16V输入范围
最大1MHz的工作频率
对于轻负载效率SMOD操作能力
5A电流容量（ 10A与PASS FET ）
电流限制由R设定
DSON
检测，以最大限度地减少功率损耗
集成自举二极管
概述
该FDMF6730是一种高效率的驱动器加MOSFET功率
现阶段的解决方案超移动PC （ UMPC ）系统优化
电源电压供应。这是完全符合英特尔超超
手机驱动MOS （ uDrMOS ）规格。该MOSFET和
驱动程序进行了优化，以高效率执行
轻型和中型负载，非常适合小型PC设备。
内部驱动器IC中集成了两个高效的LDO用于
内部栅极驱动器和外部电路。自举二极管
也将IC内集成。当用一个较低的工作
侧MOSFET的uDrMOS模块能够提供高达的
的连续电流5A 。通晶体管可以很容易地
路由并行与低侧MOSFET ，以提供高达
10A 。该模块还过流保护集成了一个
从标志的R
DSON
电流检测架构。
该器件采用6X6功率QFN封装的改进
散热性能。
应用
超移动PC
笔记本电脑
典型用途
VCC
VIN
BOOT
VIN
LDO 5V输出
LDO启用
LDO输出
5V LDO
LDO EN
VSW
VOUT
LDO输出
保护地
FDMF6730
LDO ADJ
LDRV
PWM
调节器
DRIVE HS
G_PASS
PW的m
DRIVE LS
CS_O UT
CGND
D_PASS
CS_PROG S_PASS
图1.动力传动系应用电路
订购信息
部分
FDMF6730
2008飞兆半导体公司
额定电流
最大
[A]
10
输入电压
典型
[V]
6-16
1
频率
最大
[千赫]
1000
设备
记号
FDMF6730
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FDMF6730牧师D2
FDMF6730驱动器加FET多芯片模块
功能框图
VC
BO 牛逼PH为SE
HD诉
V在
LDO _5V
LDO _EN
5V REG
V SW
LD O_O ü牛逼
LD
调整
CP
urren吨
牛逼缘米ING
P GN
LD诉
摹_PASS
_PAS S
LDO_A DJ
RIVE_HS
RIVE_LS
C G ND
CS _OUT
S_P RO摹
S_PASS
图2.功能框图
引脚配置
VSWH
VSWH
VSWH
VSWH
保护地
VIN
VIN
VIN
10
VIN
VIN
1
保护地40
保护地
保护地
LDRV
VSWH
D_PASS
G_PASS
S_PASS
S_PASS
S_PASS 31
D
（ D_PASS ）
C
（ CGND ）
A
（ VSWH ）
B
（ VIN ）
11
VIN
VIN
HDRV
VIN
CGND
相
BOOT
LDO_5V
LDO_OUT
20
LDO_ADJ
30
VCC
CGND
NC
DRIVE_HS
D_PASS
CS_PROG
S_PASS
DRIVE_LS
CS_OUT
21
LDO_EN
图3：采用6mm x 6mm ， 40L MLP底视图
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引脚说明
针
1, 38 - 40
2 - 5, 36, A
6 - 12,14,B
13
15, 24, C
16
17
18
19
20
21
22
23
25
26
27
28, 35, D
29
30-33
34
37
名字
保护地
VSWH
VIN
HDRV
CGND
相
BOOT
LDO_5V
LDO_OUT
LDO_ADJ
LDO_EN
DRIVE_LS
DRIVE_HS
VCC
CS_OUT
CS_PROG
D_PASS
NC
S_PASS
G_PASS
LDRV
功能
低边FET源引脚。连接到GND
开关节点引脚。低边FET漏极引脚。电气短路到PHASE引脚
输入电压引脚。输入电压的降压转换器
HDRV引脚。高边驱动器输出。连接到高侧FET的栅极管脚。
IC地。接地回路驱动IC 。
开关节点引脚，方便自举电容的路由。电气短路到VSWH引脚。
自举电源输入引脚。提供供电电压高边MOSFET驱动器。连
自举电容器。
内部5V LDO输出。
可调LDO输出。
LDO调节输入。连接到外部分压器调节LDO输出。
可调LDO使能引脚。 1 =启用， 0 =禁用
低端PWM输入。连接到PWM控制器。
高侧PWM输入。连接到PWM控制器。
司机VCC 。连接到5V 。
电流检测输出。 1 =过电流故障， 0 =无故障。
电流检测程序。
通过FET漏极引脚。连接到VSWH垫更高的输出电流。
无连接。该引脚必须悬空。不能连接到任何引脚。
通过FET源引脚。连接到PGND垫较高的输出电流。
通过FET栅极管脚。连接到LDRV脚更高的输出电流。
LDRV引脚。低端驱动器输出。连接到G_PASS脚更高的输出电流。
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能无法正常运行或操作上述
推荐工作条件，并强调这些零件对这些级别是不推荐的。此外，过度暴露在
以上推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。绝对最大额定值的压力额定
英格斯只。
参数
V
CC
， Drive_LS ， Drive_HS ， LDO_EN ， CS_Prog ， CS_Out到GND
V
IN
到PGND
启动到VSWH
VSWH到PGND
引导至PGND
I
O（ AV ）
I
O（ PK ）
R
θJPCB
P
T
V
IN
= 8.4V, V
O
= 3.3V ，女
SW
= 1MHz的，T
PCB
= 130°C
V
IN
= 8.4V ，T
脉冲
= 10 s
结到PCB的热阻注1 。
T
PCB
=130°
C
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-1.0
-0.3
马克斯。
6
20
6
27
27
10
35
5.5
3.3
单位
V
V
V
V
V
A
A
°
C / W
W
°C
工作和存储结温范围
-55
150
注1 ：
封装功耗为4层， 2平方英寸， 2盎司铜垫。
θJPCB
是稳态结到PCB
与在VSWH销引用PCB温度的热阻。
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推荐工作范围
推荐工作条件表定义了真实器件的工作条件。这些条件被指定到
确保最佳性能达到数据表规范。飞兆半导体建议不要超过推荐或设计，以绝对的
最大额定值。
参数
V
CC
V
IN
V
OUT
控制电路的电源电压
输出级电源
输出电压
分钟。
4.5
6
1.5
典型值。
5
8.4
3.3
马克斯。
5.5
16
5
单位
V
V
V
电气特性
V
IN
= 8.4V, V
CC
= 5V ，T
A
= 25 ° C除非另有说明
.
参数
输入电压范围
工作静态电流
符号
V
IN
条件
分钟。
6
典型值。
马克斯。
16
2
单位
V
mA
V
Drive_HS ， Drive_LS ， LDO_EN逻辑输入
输入高电平
低电平输入
输入电流
5V LDO
输出电压
线路调整
负载调整率
短路电流限制
可调LDO
电压调整
线路调整
负载调整率
短路电流限制
调整输入偏置电流
过电流保护
CS_Prog电流
热关断
门槛
迟滞
传播延迟
超时时间为250ns
t
TIMEOUT
t
DTHH
t
PDHL
t
DTLH
t
PDLL
VSWH = 2V ， HDRV从HI到LO
和LDRV从低到高
LDRV将LO至VSWH去HI
Drive_LS去喜来HDRV去
LO
VSWH将LO至LDRV去HI
Drive_LS将LO至LDRV去
LO
250
30
10
20
10
ns
ns
ns
ns
ns
150
19
o
o
V
IH
V
IL
2.4
0.4
-2
4.7
6V < V
IN
＆ LT ; 16V
5毫安<我
负载
＆ LT ;百毫安
100
5
5
75
180
0.6
3
11
100
180
0.2
30
40
50
0.62
2
5.3
V
A
V
mV
mV
mA
V
mV
mV
mA
A
A
C
C
V
ADJ
6V < V
IN
＆ LT ; 16V
5毫安<我
负载
＆ LT ;百毫安
0.58
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操作描述
2位PWM输入
PWM输入由高侧驱动器和低压侧的
驱动输入，控制高边和低边FET
分别。他们也可以设置为异步
整流（低FET关断）和相位关断（两个FET关闭） 。
真值表
DRIVE_LS
0
0
1
1
DRIVE_HS
0
1
0
1
LOW SIDE
MOSFET
关闭
关闭
ON
关闭
HIGH SIDE
MOSFET
关闭
ON
关闭
关闭
应用科
输入电容
高频4.7ceramic X5R必须直接连接
从V
IN
到GND
自举电路
自举电路使用一个电荷存储电容器和一个
外部二极管。最小0.1μF高频电容
必须连接在BOOT和PHASE引脚之间。该
相销已在内部连接到开关节点。
5V LDO
一个至少为4.7 μF的陶瓷X5R类型必须从连接
LDO_5V连接到GND ，以确保稳定的运行，并提供
高频旁路低侧驱动器。该LDO
将电力提供给通过内部逻辑电路和栅极驱动器
一个10欧姆的电阻。高频率的1μF陶瓷电容
必须放置在V
CC
到GND 。
其中一个uDrMOS的最独特的功能是
集成调整FET 。通FET可以很容易地在路由
与低侧FET ，以平行于提供高达10A
电流。当不作为所述DC-DC调节器的一部分，它可以
在其它应用中，例如负载切换等使用
通FET
可调LDO
最少10 μF的陶瓷X5R类型必须紧密相连
此引脚与GND ，以确保稳定运行范围
2.5V至5V的输出。对于0.6V输出电压的2.5V
最小电容必须是22 μF的陶瓷类型。最低
为1mA负载电流必须从这个引脚连接到GND 。
LDO_ADJ电压0.6V典型。
LDO_EN ：可调LDO使能引脚（ 1 =启用， 0 =禁用）
5V LDO
该uDrMOS方便地集成了5V LDO稳压器
驱动IC和内部的门电路的内部逻辑
的MOSFET。
可调LDO
的部分的另一特征是可调节的百毫安的LDO。该
LDO的输出电压非常容易配置了一个电阻分压器。
过电流保护
电阻从VSWH引脚相连，该引脚计划
过电流阈值点。 CS_OUT是一个输出
内部电流检测比较器，开关，当高
在低侧MOSFET的电流超过预先计划的水平
由CS_PROG引脚设置。该引脚在正常低
操作。
电流限制
该器件还具有一个由一个内部设置的电流限制标志
OCP的拓扑结构。
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