【SOT23 NPN硅平面高增益中功率晶体管第2期 - 2005年11月特点导通电阻非常低的等效;RC】,IC型号FMMTL619,FMMTL619 PDF资料,FMMTL619经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13692101218

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第124页 > FMMTL619

SOT23 NPN硅平面高增益

中功率晶体管

第2期 - 2005年11月

特点

导通电阻非常低的等效;

R

CE （ SAT ）

= 160mΩ为1.25A

互补式 -

PARTMARKING详细信息 -

FMMTL720

L69

FMMTL619

C

B

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

j

:T

英镑

价值

100

50

5

1.25

2

200

500

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

mA

mW

°C

E

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值脉冲电流

基极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

FMMTL619

电气特性（在T

AMB

= 25°C).

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

分钟。

100

50

5

典型值。

210

70

8.5

10

10

10

24

60

100

195

1020

895

200

300

200

100

30

400

450

400

230

50

180

6

182

379

8

兆赫

pF

ns

ns

45

100

180

330

1100

1000

马克斯。

单位

V

V

V

nA

nA

nA

mV

mV

mV

mV

mV

mV

条件。

I

C

=100A

I

C

=5mA*

I

E

=100A

V

CB

=40V

V

EB

=4V

V

CE

=40V

I

C

= 100mA时我

B

=10mA*

I

C

= 250毫安，我

B

=10mA*

I

C

= 500毫安，我

B

=25mA*

I

C

= 1.25A ，我

B

=125mA*

I

C

= 1.25A ，我

B

=125mA*

I

C

= 1.25A ，V

CE

=2V*

I

C

= 10毫安，V

CE

=5V

I

C

=的200mA， V

CE

=5V*

I

C

= 500毫安，V

CE

=5V*

I

C

= 1A ，V

CE

=5V*

I

C

= 2A ，V

CE

=5V*

I

C

= 50mA时V

CE

=10V

f=100MHz

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

I

C

= 1A ，V

CC

=10V

I

B1

=-I

B2

=10mA

集电极截止电流I

CBO

发射极截止电流

I

EBO

集电极截止电流I

CES

集电极 - 发射极

饱和电压

V

CE （ SAT ）

基射

饱和电压

基射

关闭电压

静态前进

电流传输比

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE

跃迁频率

集电极 - 基

击穿电压

开关时间

f

T

C

敖包

t

on

t

关闭

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比

≤

2%

FMMTL619

典型特征

0.5

+25°C

0.5

IC/IB=20

0.4

0.4

IC/IB=10

IC/IB=20

IC/IB=50

V

CE （ SAT ）

- (V)

V

CE （ SAT ）

- (V)

0.3

0.2

0.1

0

1m

10m

0.3

0.2

0.1

0

-55°C

+25°C

+100°C

100m

1

10

1m

10m

100m

1

10

IC - 集电极电流（ A）

V

CE （ SAT ）

V I

C

I

C

- 集电极电流（ A）

V

CE （ SAT ）

V I

C

700

VCE=5V

1.0

0.8

IC/IB=10

h

FE

- 典型增益

V

BE （ SAT ）

- (V)

0.6

0.4

0.2

0

-55°C

+25°C

+100°C

350

+100°C

+25°C

-55°C

0

1m

10m

100m

1

I

C

- 集电极电流（ A）

10

1m

10m

100m

1

10

h

FE

V I

C

I

C

- 集电极电流（ A）

V

BE （ SAT ）

V I

C

1.2

10

I

C

- 集电极电流（ A）

VCE=5V

V

BE（上）

- (V)

0.8

1

0.4

-55°C

+25°C

+100°C

100m

DC

1s

100ms

10ms

1ms

100us

0

1m

10m

1

100m

I

C

- 集电极电流（ A）

10

10m

100m

1

10

100

V

CE

- 集电极发射极电压（V ）

V

BE（上）

V I

C

安全工作区

SOT23 NPN硅平面高增益

中功率晶体管

第2期 - 2005年11月

特点

导通电阻非常低的等效;

R

CE （ SAT ）

= 160mΩ为1.25A

互补式 -

PARTMARKING详细信息 -

FMMTL720

L69

FMMTL619

C

B

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

j

:T

英镑

价值

100

50

5

1.25

2

200

500

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

mA

mW

°C

E

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值脉冲电流

基极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

FMMTL619

电气特性（在T

AMB

= 25°C).

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

分钟。

100

50

5

典型值。

210

70

8.5

10

10

10

24

60

100

195

1020

895

200

300

200

100

30

400

450

400

230

50

180

6

182

379

8

兆赫

pF

ns

ns

45

100

180

330

1100

1000

马克斯。

单位

V

V

V

nA

nA

nA

mV

mV

mV

mV

mV

mV

条件。

I

C

=100A

I

C

=5mA*

I

E

=100A

V

CB

=40V

V

EB

=4V

V

CE

=40V

I

C

= 100mA时我

B

=10mA*

I

C

= 250毫安，我

B

=10mA*

I

C

= 500毫安，我

B

=25mA*

I

C

= 1.25A ，我

B

=125mA*

I

C

= 1.25A ，我

B

=125mA*

I

C

= 1.25A ，V

CE

=2V*

I

C

= 10毫安，V

CE

=5V

I

C

=的200mA， V

CE

=5V*

I

C

= 500毫安，V

CE

=5V*

I

C

= 1A ，V

CE

=5V*

I

C

= 2A ，V

CE

=5V*

I

C

= 50mA时V

CE

=10V

f=100MHz

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

I

C

= 1A ，V

CC

=10V

I

B1

=-I

B2

=10mA

集电极截止电流I

CBO

发射极截止电流

I

EBO

集电极截止电流I

CES

集电极 - 发射极

饱和电压

V

CE （ SAT ）

基射

饱和电压

基射

关闭电压

静态前进

电流传输比

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE

跃迁频率

集电极 - 基

击穿电压

开关时间

f

T

C

敖包

t

on

t

关闭

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比

≤

2%

FMMTL619

典型特征

0.5

+25°C

0.5

IC/IB=20

0.4

0.4

IC/IB=10

IC/IB=20

IC/IB=50

V

CE （ SAT ）

- (V)

V

CE （ SAT ）

- (V)

0.3

0.2

0.1

0

1m

10m

0.3

0.2

0.1

0

-55°C

+25°C

+100°C

100m

1

10

1m

10m

100m

1

10

IC - 集电极电流（ A）

V

CE （ SAT ）

V I

C

I

C

- 集电极电流（ A）

V

CE （ SAT ）

V I

C

700

VCE=5V

1.0

0.8

IC/IB=10

h

FE

- 典型增益

V

BE （ SAT ）

- (V)

0.6

0.4

0.2

0

-55°C

+25°C

+100°C

350

+100°C

+25°C

-55°C

0

1m

10m

100m

1

I

C

- 集电极电流（ A）

10

1m

10m

100m

1

10

h

FE

V I

C

I

C

- 集电极电流（ A）

V

BE （ SAT ）

V I

C

1.2

10

I

C

- 集电极电流（ A）

VCE=5V

V

BE（上）

- (V)

0.8

1

0.4

-55°C

+25°C

+100°C

100m

DC

1s

100ms

10ms

1ms

100us

0

1m

10m

1

100m

I

C

- 集电极电流（ A）

10

10m

100m

1

10

100

V

CE

- 集电极发射极电压（V ）

V

BE（上）

V I

C

安全工作区

SOT23 NPN硅平面高增益

中功率晶体管

第1期 - 1997年11月

特点

导通电阻非常低的等效;

R

CE （ SAT ）

= 160mΩ为1.25A

互补式 -

PARTMARKING详细信息 -

FMMTL720

L69

FMMTL619

C

B

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

j

:T

英镑

价值

100

50

5

1.25

2

200

500

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

mA

mW

°C

E

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值脉冲电流

基极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

FMMTL619

电气特性（在T

AMB

= 25°C).

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

分钟。

100

50

5

典型值。

210

70

8.5

10

10

10

24

60

100

195

1020

895

200

300

200

100

30

400

450

400

230

50

180

6

182

379

8

兆赫

pF

ns

ns

45

100

180

330

1100

1000

马克斯。

单位

V

V

V

nA

nA

nA

mV

mV

mV

mV

mV

mV

条件。

I

C

=100A

I

C

=5mA*

I

E

=100A

V

CB

=40V

V

EB

=4V

V

CE

=40V

I

C

= 100mA时我

B

=10mA*

I

C

= 250毫安，我

B

=10mA*

I

C

= 500毫安，我

B

=25mA*

I

C

= 1.25A ，我

B

=125mA*

I

C

= 1.25A ，我

B

=125mA*

I

C

= 1.25A ，V

CE

=2V*

I

C

= 10毫安，V

CE

=5V

I

C

=的200mA， V

CE

=5V*

I

C

= 500毫安，V

CE

=5V*

I

C

= 1A ，V

CE

=5V*

I

C

= 2A ，V

CE

=5V*

I

C

= 50mA时V

CE

=10V

f=100MHz

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

I

C

= 1A ，V

CC

=10V

I

B1

=-I

B2

=10mA

集电极截止电流I

CBO

发射极截止电流

I

EBO

集电极截止电流I

CES

集电极 - 发射极

饱和电压

V

CE （ SAT ）

基射

饱和电压

基射

关闭电压

静态前进

电流传输比

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE

跃迁频率

集电极 - 基

击穿电压

开关时间

f

T

C

敖包

t

on

t

关闭

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比

≤

2%

FMMTL619

典型特征

0.5

+25°C

0.5

IC/IB=10

0.4

0.4

IC/IB=10

IC/IB=20

IC/IB=50

V

CE （ SAT ）

- (V)

V

CE （ SAT ）

- (V)

0.3

0.2

0.1

0

1m

10m

0.3

0.2

0.1

0

-55°C

+25°C

+100°C

100m

1

10

1m

10m

100m

1

10

IC - 集电极电流（ A）

V

CE （ SAT ）

V I

C

I

C

- 集电极电流（ A）

V

CE （ SAT ）

V I

C

700

VCE=5V

1.0

0.8

IC/IB=10

h

FE

- 典型增益

V

BE （ SAT ）

- (V)

0.6

0.4

0.2

0

-55°C

+25°C

+100°C

350

+100°C

+25°C

-55°C

0

1m

10m

100m

1

I

C

- 集电极电流（ A）

10

1m

10m

100m

1

10

h

FE

V I

C

I

C

- 集电极电流（ A）

V

BE （ SAT ）

V I

C

1.2

10

I

C

- 集电极电流（ A）

VCE=5V

V

BE（上）

- (V)

0.8

1

0.4

-55°C

+25°C

+100°C

100m

DC

1s

100ms

10ms

1ms

100us

0

1m

10m

1

100m

I

C

- 集电极电流（ A）

10

10m

100m

1

10

100

V

CE

- 集电极发射极电压（V ）

V

BE（上）

V I

C

安全工作区

SMD型

中功率晶体管

FMMTL619

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

晶体管

IC

单位：mm

+0.1

2.4

-0.1

1

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

2

0.55

导通电阻非常低的等效; R

CE （ SAT ）

= 160亩为1.25A 。

+0.1

1.3

-0.1

特点

0.4

3

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值脉冲电流

基极电流

功耗

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

j,

T

英镑

等级

100

50

5

1.25

2

200

500

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

mA

mW

0-0.1

www.kexin.com.cn

1

SMD型

FMMTL619

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 基极截止电流

发射极 - 基极电流

符号

V

（ BR ） CBO

I

C

=100ìA

V

（ BR ） CEO

I

C

=5mA*

V

（ BR ） EBO

I

E

=100ìA

I

CBO

I

EBO

V

CB

=40V

V

EB

=4V

Testconditons

晶体管

IC

民

100

50

5

典型值

210

70

8.5

最大

单位

V

V

V

10

10

24

60

100

195

1020

895

200

300

200

100

30

400

450

400

230

50

180

6

182

379

8

45

100

180

330

1100

1000

nA

nA

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 100mA时我

B

=10mA*

I

C

= 250毫安，我

B

=10mA*

V

CE（

SAT ）

I

C

= 500毫安，我

B

=25mA*

I

C

= 1.25A ，我

B

=125mA*

V

BE （

SAT ）I

C

= 1.25A ，我

B

=125mA*

V

BE （上

) I

C

= 1.25A ，V

CE

=2V*

I

C

= 10毫安，V

CE

=5V

I

C

=的200mA， V

CE

=5V*

I

C

= 500毫安，V

CE

=5V*

I

C

= 1A ，V

CE

=5V*

I

C

= 2A ，V

CE

=5V*

I

C

= 50mA时V

CE

= 10V F = 100MHz的

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

I

C

= 1A ，V

CC

=10V

I

B1

=-I

B2

=10mA

mV

基射极饱和电压

基射极电压上

mV

mV

直流电流增益

h

FE

电流增益带宽积

输出电容

开启时间

打开-O FF时间

*脉冲测试： TP

300 ;

0.02.

f

T

C

敖包

t

（上）

t

（关闭）

兆赫

pF

ns

ns

记号

记号

L69

2

www.kexin.com.cn

产品speci fi cation

FMMTL619

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

单位：mm

+0.1

2.4

-0.1

1

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

2

0.55

导通电阻非常低的等效; R

CE （ SAT ）

= 160亩为1.25A 。

+0.1

1.3

-0.1

特点

0.4

3

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值脉冲电流

基极电流

功耗

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

j,

T

英镑

等级

100

50

5

1.25

2

200

500

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

mA

mW

0-0.1

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 2

SMD型

晶体管

IC

产品speci fi cation

FMMTL619

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 基极截止电流

发射极 - 基极电流

符号

V

（ BR ） CBO

I

C

=100ìA

V

（ BR ） CEO

I

C

=5mA*

V

（ BR ） EBO

I

E

=100ìA

I

CBO

I

EBO

V

CB

=40V

V

EB

=4V

24

60

100

195

1020

895

200

300

200

100

30

400

450

400

230

50

180

6

182

379

8

兆赫

pF

ns

ns

Testconditons

民

100

50

5

典型值

210

70

8.5

10

10

45

100

180

330

1100

1000

最大

单位

V

V

V

nA

nA

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 100mA时我

B

=10mA*

V

CE（

SAT ）I

C

= 250毫安，我

B

=10mA*

I

C

= 500毫安，我

B

=25mA*

I

C

= 1.25A ，我

B

=125mA*

V

BE （

SAT ）I

C

= 1.25A ，我

B

=125mA*

V

BE （上

) I

C

= 1.25A ，V

CE

=2V*

I

C

= 10毫安，V

CE

=5V

I

C

=的200mA， V

CE

=5V*

I

C

= 500毫安，V

CE

=5V*

I

C

= 1A ，V

CE

=5V*

I

C

= 2A ，V

CE

=5V*

I

C

= 50mA时V

CE

= 10V F = 100MHz的

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

I

C

= 1A ，V

CC

=10V

I

B1

=-I

B2

=10mA

mV

基射极饱和电压

基射极电压上

mV

mV

直流电流增益

h

FE

电流增益带宽积

输出电容

开启时间

打开-O FF时间

*脉冲测试： TP

300 ;

0.02.

f

T

C

敖包

t

（上）

t

（关闭）

记号

记号

L69

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

2 2

查看更多FMMTL619PDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

FMMTL619

-

-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

FMMTL619

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

北京人上科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

FMMTL619

√ 欧美㊣品

▲10/11+

7934

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

北京显周科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

FMMTL619

√ 欧美㊣品

▲10/11+

7986

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

北京首天伟业科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1584878981 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

FMMTL619

ZETEX

21+

45000

SOT-23

全新原装正品/质量有保证

查询更多FMMTL619供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！