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FDS2670

2001年8月

FDS2670

200V N沟道的PowerTrench

MOSFET

概述

这N沟道MOSFET的设计

具体而言，以提高直流/直流整体效率

使用同步或传统转换器

开关PWM控制器。

这些MOSFET的开关速度和更低的

比其他的MOSFET具有可比性的栅极电荷

RDS

（上）

特定连接的阳离子。

其结果是一个MOSFET，很容易和更安全的驾驶

（即使是在非常高的频率），并且DC / DC电力

电源设计具有更高的整体效率。

特点

3.0 A， 200V。

DS （ ON）

= 130毫欧@ V

GS

= 10 V

低栅电荷

开关速度快

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

高功率和电流处理能力

D

D

D

D

5

6

7

4

3

2

1

SO-8

S

S

S

G

8

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

T

A

= 25°C除非另有说明

o

参数

评级

200

±20

（注1A ）

单位

V

V

A

W

3.0

20

2.5

1.2

1.0

3.2

55

+150

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

dv / dt的

T

J

, T

英镑

峰值二极管恢复的dv / dt

（注3）

V / ns的

°C

工作和存储结温范围

热特性

R

θJA

R

θJA

R

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1C ）

（注1 ）

50

125

25

° C / W

° C / W

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS2670

设备

FDS2670

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

2001

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDS2670冯C1 （ W）

FDS2670

电气特性

符号

W

DSS

I

AR

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

单脉冲漏源

雪崩能量

最大漏源雪崩

当前

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体泄漏，正向

门体泄漏，反向

（注2 ）

测试条件

V

DD

= 100 V,

I

D

= 3.0 A

民

典型值

最大单位

375

3.0

mJ

A

漏源雪崩额定值

（注1 ）

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

I

D

= 250

A

V

GS

= 0 V,

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

DS

= 160 V,

V

GS

= 20 V,

V

GS

= –20 V

V

GS

= 0 V

V

DS

= 0 V

V

DS

= 0 V

I

D

= 250

A

200

214

1

100

–100

V

毫伏/°C的

A

nA

nA

基本特征

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

R

DS （ ON）

I

D（上）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

通态漏电流

正向跨导

V

DS

= V

GS

,

2

4

–10

100

205

4.5

V

毫伏/°C的

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

GS

= 10 V,

I

D

= 3.0 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 3.0 A，T

J

=125°C

V

GS

= 10 V,

V

DS

= 10 V

V

DS

= 10 V,

I

D

= 3.0 A

130

275

m

A

20

15

S

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

（注2 ）

V

DS

= 100 V,

F = 1.0 MHz的

V

GS

= 0 V,

1228

112

17

pF

pF

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

V

DD

= 100 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 1 A,

R

根

= 6

13

8

30

25

23

16

48

40

43

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

DS

= 100 V,

V

GS

= 10 V

I

D

= 3 A,

27

7

10

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

V

SD

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

I

S

= 2.1 A

V

GS

= 0 V,

电压

2.1

（注2 ）

A

V

0.7

1.2

FDS2670冯C1 （ W）

FDS2670

注意事项：

1.

R

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

A） 50 ° / W时，

2

安装在一个1英寸

2盎司纯铜垫

B） 105 ° / W时，

安装在0.04

in

2

的2盎司垫

铜

三） 125° / W安装在一个时

最小焊盘。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

3.

I

SD

≤

图3A中， di / dt的

≤

100A / μs的，V

DD

≤

BV

DSS

，起始物为

J

= 25°C

FDS2670冯C1 （ W）

FDS2670

典型特征

20

V

GS

= 10V

6.5V

15

6.0V

1.6

V

GS

= 5.5V

1.4

10

1.2

6.0V

6.5V

10.0V

5

1

5.5V

0

0

2

4

6

8

10

0.8

0

4

8

12

16

20

V

DS

，漏源电压（V ）

I

D

，漏电流（ A）

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

0.4

2.5

I

D

= 3.0A

V

GS

= 10V

2

I

D

= 1.5 A

0.3

1.5

0.2

1

0.1

T

A

= 25 C

o

T

A

= 125 C

o

0.5

0

-50

-25

0

25

50

75

100

o

0

125

150

4

5

6

7

8

9

10

T

J

，结温（ C）

V

GS

，门源电压（ V）

图3.导通电阻变化与

温度。

30

V

DS

= 15V

24

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

100

V

GS

= 0V

10

T

A

= 125 C

25 C

-55 C

o

o

o

18

T

A

= 125 C

12

25 C

6

-55 C

o

o

o

1

0.1

0.01

0

3

4

5

6

7

8

0.001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

V

GS

，门源电压（ V）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度。

FDS2670冯C1 （ W）

FDS2670

典型特征

15

I

D

= 3.0 A

12

100 V

9

V

DS

= 40V

70

2000

F = 1MHz的

V

GS

= 0 V

1500

C

国际空间站

1000

6

500

3

C

OSS

0

0

5

10

15

20

25

30

35

40

0

0

20

C

RSS

40

60

80

100

Q

g

，栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性。

100

R

DS （ ON）

极限

10

I

D

，漏电流（ A）

10ms

1

10s

DC

0.1

V

GS

= 10V

单脉冲

R

θJA

= 125

o

C / W

T

A

= 25

o

C

100ms

1s

100s

图8.电容特性。

100

单脉冲

R

θ

JA

= 125°C / W

T

A

= 25°C

80

60

40

20

0.01

0

0.001

0.001

0.1

1

10

100

1000

0.01

0.1

1

t

1

，时间（秒）

10

100

1000

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大

功耗。

1

D = 0.5

0.2

R

θ

JA

（吨） = R（T） + R

θ

JA

R

θ

JA

= 125°C / W

P（ PK）

t

1

t

2

T

J

- T

A

= P * R

θ

JA

(t)

占空比D = T

1

/ t

2

0.1

1

t

1

，时间（秒）

10

100

1000

0.1

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.01

0.001

0.01

图11.瞬态热响应曲线。

热特性进行使用注1c中所述的条件。

瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。

FDS2670冯C1 （ W）

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