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FDFS2P103

2001年9月

FDFS2P103

集成的P沟道PowerTrench

MOSFET和肖特基二极管

概述

该

FDFS2P103

联合收割机

该

优秀

飞兆半导体的PowerTrench MOSFET的性能

技术具有非常低的正向电压降

肖特基势垒整流器采用SO - 8封装。

这个装置被作为一个单一的包，专门设计的

溶液为DC至DC转换器。它的特点是速度快

开关，低栅极电荷MOSFET具有极低的导通

态电阻。

在独立连接

肖特基二极管允许其在各种直流/直流用

转换器拓扑。

特点

-5.3 A， -30V

DS （ ON）

= 59毫欧@ V

GS

= –10 V

R

DS （ ON）

= 92毫欧@ V

GS

= –4.5 V

V

F

< 0.52 V @ 1 （T

J

= 125°C)

V

F

< 0.57 V @ 1 （T

J

= 25°C)

肖特基和MOSFET整合到单一的

功率表面贴装的SO -8封装

电气独立的肖特基和MOSFET

引脚排列设计灵活性

D

D

C

C

A

1

A

2

S

3

G

S

A

8

C

7

C

6

D

5

D

SO-8

销1

G

4

A

T

A

=25

o

C除非另有说明

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

MOSFET漏源电压

MOSFET的栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

参数

（注1A ）

评级

–

30

±

25

–

5.3

–

20

2

1.6

1

0.9

单位

V

V

A

W

功耗双操作

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

T

J

, T

英镑

V

RRM

I

O

工作和存储结温范围

肖特基重复峰值反向电压

肖特基平均正向电流

（注1A ）

–

55 150

30

1

°C

V

A

包装标志和订购信息

器件标识

FDFS2P103

设备

FDFS2P103

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

2001

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDFS2P103版本C （ W）

FDFS2P103

电气特性

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体泄漏，正向

门体泄漏，反向

（注2 ）

测试条件

I

D

= –250

A

V

GS

= 0 V,

I

D

= –250

μA ，引用

至25℃

V

DS

= –24 V,

V

GS

= 25 V,

V

GS

= –25 V,

V

GS

= 0 V

V

DS

= 0 V

V

DS

= 0 V

民

–30

典型值

最大单位

V

开关特性

–23

–1

100

–100

毫伏/°C的

A

nA

nA

基本特征

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

R

DS （ ON）

栅极阈值电压

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

通态漏电流

正向跨导

I

D

= –250

A

V

DS

= V

GS

,

I

D

= –250

μA ，引用

至25℃

V

GS

= -10 V，I

D

= –5.3 A

V

GS

= -4.5 V，I

D

= –4 A

V

GS

= -10 V，I

D

= -5.3A ，T

J

=125°C

V

GS

= –10 V,

V

DS

= –5V,

V

DS

= –5 V

I

D

= –5.3 A

–1

–1.7

4.5

46

70

63

–3

V

毫伏/°C的

59

92

88

m

I

D（上）

g

FS

–20

10

A

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

（注2 ）

V

DS

= –15 V,

F = 1.0 MHz的

V

GS

= 0 V,

528

132

70

pF

pF

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

V

DD

= –15 V,

V

GS

= –10 V,

I

D

= –1 A,

R

根

= 6

7

13

14

9

14

24

25

17

8

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

DS

= –15 V,

V

GS

= –5 V

I

D

= –5.3 A,

5.3

2.2

1.6

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

V

SD

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

V

GS

= 0 V，I

S

= –1.3 A

电压

反向漏

正向电压

V

R

= 30 V

I

F

= 1A

（注2 ）

–0.7

–1.3

–1.2

A

V

肖特基二极管特性

I

R

V

F

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

15

6

0.41

0.32

100

30

0.57

0.52

A

mA

V

V

FDFS2P103版本C （ W）

FDFS2P103

热特性

R

θJA

R

θJA

R

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1C ）

（注1 ）

78

135

40

° C / W

° C / W

° C / W

注意事项：

1.

R

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

a)

78 ° C / W时，

安装在一

0.5in

2

2垫

盎司铜

b)

125 ° C / W时，

安装在一

在0.02

2

垫

2盎司铜

c)

135 ° C / W时，

安装在一

最小焊盘。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

FDFS2P103版本C （ W）

FDFS2P103

典型特征

30

2

-5.0V

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

V

GS

= -10V

-I

D

，漏电流（ A）

-6.0V

1.8

V

GS

=-4.0V

1.6

-4.5V

1.4

1.2

1

0.8

-5.0V

-6.0V

-7.0V

-8.0V

-10V

20

-4.5V

-4.0V

10

-3.5V

-3.0V

0

0

1

2

3

4

5

6

-V

DS

，漏源极电压（ V）

0

6

12

18

24

30

-I

D

，漏电流（ A）

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

0.25

R

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

1.6

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

I

D

= -5.3A

V

GS

= -10V

I

D

= -2.8A

0.2

1.4

1.2

0.15

T

A

= 125

o

C

0.1

1

T

A

= 25

o

C

0.05

0.8

0.6

-50

-25

0

25

50

75

100

o

0

125

150

175

2

4

6

8

10

T

J

，结温（ C）

-V

GS

，门源电压（ V）

图3.导通电阻变化与

温度。

15

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

100

T

A

= -55 C

125

o

C

-I

S

，反向漏电流（ A）

V

DS

= -5V

-I

D

，漏电流（ A）

12

o

25

o

C

10

V

GS

=0 V

T

A

= 125

o

C

1

9

25

o

C

0.1

6

-55

o

C

0.01

3

0.001

0

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

4.5

-V

GS

，门源电压（ V）

0.0001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

-V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度。

FDFS2P103版本C （ W）

FDFS2P103

典型特征

10

-V

GS

，栅源电压（V ）

I

D

= -5.3A

8

V

DS

= -10V

-15V

800

700

F = 1 MHz的

V

GS

= 0 V

C

国际空间站

电容（pF）

-20V

600

500

400

300

6

4

C

OSS

200

100

2

0

0

2

4

6

8

10

Q

g

，栅极电荷（ NC）

C

RSS

0

0

5

10

15

20

25

30

-V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性。

I

R

，反向漏电流（ A）

10

I

F

，正向漏电流（ A）

图8.电容特性。

1.00E-01

1.00E-02

1.00E-03

1.00E-04

1.00E-05

1.00E-06

1.00E-07

T

J

= 125

o

C

T

J

= 125

o

C

1

0.1

T

J

= 25

o

C

T

J

= 25

o

C

0.01

0.001

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

V

F

，正向电压（ V）

0

10

20

30

40

50

60

V

R

，反向电压（V）的

图9.肖特基二极管的正向电压。

1

R（T ），规范有效

瞬态热阻

D = 0.5

图10.肖特基二极管的反向电流。

R

θJA

（吨） = R （t）的R *

θJA

R

θJA

= 135 ° C / W

P（ PK）

0.2

0.1

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

t

1

t

2

T

J

- T

A

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

1

/ t

2

0.01

0.001

0.01

0.1

1

t

1

， TIM E（秒）

10

100

1000

图11.瞬态热响应曲线。

热特性进行使用注1c中所述的条件。

瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。

FDFS2P103版本C （ W）

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