FDFS2P103
2001年9月
FDFS2P103
集成的P沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
概述
该
FDFS2P103
联合收割机
该
优秀
飞兆半导体的PowerTrench MOSFET的性能
技术具有非常低的正向电压降
肖特基势垒整流器采用SO - 8封装。
这个装置被作为一个单一的包,专门设计的
溶液为DC至DC转换器。它的特点是速度快
开关,低栅极电荷MOSFET具有极低的导通
态电阻。
在独立连接
肖特基二极管允许其在各种直流/直流用
转换器拓扑。
特点
-5.3 A, -30V
DS ( ON)
= 59毫欧@ V
GS
= –10 V
R
DS ( ON)
= 92毫欧@ V
GS
= –4.5 V
V
F
< 0.52 V @ 1 (T
J
= 125°C)
V
F
< 0.57 V @ 1 (T
J
= 25°C)
肖特基和MOSFET整合到单一的
功率表面贴装的SO -8封装
电气独立的肖特基和MOSFET
引脚排列设计灵活性
D
D
C
C
A
1
A
2
S
3
G
S
A
8
C
7
C
6
D
5
D
SO-8
销1
G
4
A
T
A
=25
o
C除非另有说明
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
MOSFET漏源电压
MOSFET的栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
参数
(注1A )
评级
–
30
±
25
–
5.3
–
20
2
1.6
1
0.9
单位
V
V
A
W
功耗双操作
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
T
J
, T
英镑
V
RRM
I
O
工作和存储结温范围
肖特基重复峰值反向电压
肖特基平均正向电流
(注1A )
–
55 150
30
1
°C
V
A
包装标志和订购信息
器件标识
FDFS2P103
设备
FDFS2P103
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDFS2P103版本C ( W)
FDFS2P103
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJC
热阻,结到环境
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1C )
(注1 )
78
135
40
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
78 ° C / W时,
安装在一
0.5in
2
2垫
盎司铜
b)
125 ° C / W时,
安装在一
在0.02
2
垫
2盎司铜
c)
135 ° C / W时,
安装在一
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.
脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 %
FDFS2P103版本C ( W)