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SOT23 NPN硅平面
高电压晶体管
第4期 - 1996年11月
7
PARTMARKING细节 -
FMMT5550 ? 1FZ
FMMT5551 ? ZG1
FMMT5550 ? FMMT5400
FMMT5551 ? FMMT5401
FMMT5550
FMMT5551
C
B
E
互补类型 -
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
FMMT5550 FMMT5551
160
140
6
600
330
180
160
6
600
330
单位
V
V
V
mA
mW
°C
工作和存储温度范围T
j
:T
英镑
-55到+150
电气特性(在T
AMB
= 25°C).
FMMT5550
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
静态前进
电流传输
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
过渡
频率
输出电容
小信号
噪声系数
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
分钟。
160
140
6
100
100
60
60
20
80
80
30
马克斯。
分钟。
180
160
6
FMMT5551
MAX 。 UNIT
V
V
V
A
条件。
I
C
=100
A
I
C
=1mA
I
E
=10
A*
V
CB
=100V
V
CB
= 100V ,T
A
=100°C
V
CB
=120V
V
CB
= 120V ,T
A
=100°C
I
C
= 1mA时, V
CE
=5V
I
C
= 10毫安,V
CE
=5V
I
C
= 50mA时V
CE
=5V
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安,V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
I
C
= 1mA时, V
CE
=10V
F = 1KHz的?
nA
50
50
250
nA
A
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
敖包
h
fe
NF
250
0.15
0.25
1.0
1.2
0.15 V
0.20 V
1.0 V
1.2 V
100
300兆赫
6.0 pF的
50
260
8
dB
100
300
6.0
50
200
10
I
C
=250
A,V
CE
=5V,
R
S
=1K
F = 10Hz到15.7kHz
.
??定期抽样检验,只有
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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