FYP1010DN
FYP1010DN
特点
低正向压降
高频性能和切换速度
保护环，过电压保护
应用
开关模式电源
续流二极管
1
2 3
TO-220
1.阳极2.Cathode 3.阳极
肖特基势垒整流器
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
°
符号
V
RRM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J,
T
英镑
参数
最高重复反向电压
最大直流反向电压
平均正向电流整流
@ T
C
= 135°C
非重复性峰值浪涌电流（每二极管）
60Hz单半正弦波
工作结温和存储温度
价值
100
100
10
100
-65到+150
单位
V
V
A
A
°C
热特性
符号
R
θJC
参数
最大热阻，结到外壳（每二极管）
价值
2.5
单位
° C / W
电气特性
（每二极管）
符号
V
FM
*
参数
最大正向电压
I
F
= 5A
I
F
= 5A
I
F
= 10A
I
F
= 10A
最大瞬时反向电流
@额定V
R
价值
T
C
= 25
°C
T
C
= 125
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 125
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 125
°C
0.75
0.65
0.95
0.73
mA
1
30
单位
V
I
RM
*
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2 ％
2001仙童半导体公司
版本B ， 2001年11月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
H4牧师
FYP1010DN
2007年6月
FYP1010DN
肖特基势垒整流器
低正向压降
高频性能和切换速度
保护环，过电压保护
应用
开关模式电源
续流二极管
1.Anode
3.Anode
1
2.阴极
TO220 （无JEDEC的类型）
绝对最大额定值
符号
V
RRM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J,
T
英镑
*T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
最大直流反向电压
平均正向电流整流
@ T
C
= 135°C
价值
100
100
10
100
-65到+150
单位
V
V
A
A
°C
非重复性峰值浪涌电流（每二极管）
60Hz单半正弦波
工作结温和存储温度
热特性
符号
R
θJC
参数
最大热阻，结到外壳（每二极管）
价值
2.5
单位
° C / W
电气特性
（每二极管）
符号
V
FM
*
参数
最大正向电压
I
F
= 5A
I
F
= 5A
I
F
= 10A
I
F
= 10A
最大瞬时反向电流
@额定V
R
T
C
= 25
°C
T
C
= 125
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 125
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 125
°C
价值
0.75
0.65
0.95
0.73
1
30
单位
V
I
RM
*
mA
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2 ％
2007仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FYP1010DN版本C
tm
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR商标
下面的注册和未注册商标仙童半导体公司拥有或授权使用，不适合于
将所有这些商标的详尽清单。
ACEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
快
FASTr
FPS
FRFET
FACT静音系列
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
ScalarPump
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyPWM
TinyPower
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
的UniFET
VCX
电线
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利
提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担因应用或使用任何责任
任何产品或电路此处所述，它也没有传达任何许可根据其专利权，也不是
他人的权利。这些规格不扩大飞兆半导体的全球条款和条件条款的，特殊
CIFICALLY所述的保修涵盖这些产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或系统的关键组件，但不
飞兆半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统设备或其中， （一）是系统
打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持或维持生命，或
（三）其不履行时，按照正常使用
在标签规定的使用说明，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备或系统的任何部件
其不履行可以合理预期造成的故障
生命支持设备或系统的，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I23
4
版本C
www.fairchildsemi.com
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